半导体装置制造方法及图纸

半导体装置具有衬底和设置在该衬底的第一表面上的半导体管芯。线柱附连到该衬底的第一表面。线柱包括基底部分和杆部分。接合盘在衬底的第二表面上形成。密封剂沉积在衬底、半导体管芯和线柱上。密封剂的一部分通过LDA去除来暴露线柱。密封剂的一部分通过LDA去除来暴露衬底。互连结构在密封剂上形成并且电连接到线柱和半导体管芯。凸点在互连结构上形成。半导体封装件设置在密封剂上并且电连接到衬底。分立半导体装置设置在密封剂上并且电连接到衬底。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：衬底；半导体管芯，其设置在所述衬底的第一表面上；线柱，其附连到所述衬底的所述第一表面；密封剂，其沉积在所述衬底、半导体管芯和线柱上；以及互连结构，其在所述密封剂上形成并且电连接到所述线柱。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：PC马里穆图，SML阿尔瓦雷斯，林耀剑，JA卡帕拉斯，陈严谨，
申请(专利权)人：新科金朋有限公司，
类型：实用新型
国别省市：