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本发明涉及一种图形化半导体基材表面的方法。在此图形化半导体基材表面的方法中，首先提供高分子膜(Polymer?Film)，其中高分子膜具有多个第一贯穿孔。然后，形成保护层于高分子膜的表面上以及第一贯穿孔的多个侧壁上，以形成屏蔽，其中第一贯穿...
该专利属于茂迪股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过茂迪股份有限公司授权不得商用。

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