【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及多晶硅太阳电池的生产エ艺，属于半导体光电材料
技术介绍
在太阳电池的酸刻蚀表面织构エ艺中，酸刻蚀液一般为HF、HNO3和去离子水按ー定比例混合而成，其中HNO3为强氧化剂，在反应中提供反应所需要的空穴；HF的作用是与反应的中间产物SiO2反应生成络合物H2SiF6,以促进反应进行；去离子水对反应起缓冲作用。反应中酸对硅的刻蚀速度与晶粒取向无关，因此酸刻蚀织构又称为各向同性腐蚀。腐蚀反应最先发生在反应激活能最低的位置(比如在晶体缺陷处或是表面损伤处)，最初的 腐蚀可视为点腐蚀，然后呈辐射状向各个方向推迸。由于硅片切割水平不同，某些硅片切割的下刀初期，切割用的SiC等切割材料较锐利，造成了下刀处表面损伤密度较高，而当进入切割的中期后，因切割材料已变钝，因此表面损伤密度较低。如果采用传统的腐蚀溶液，会造成损伤层密度高的腐蚀量过大，腐蚀坑形貌不同，进而造成PECVD镀膜后太阳电池片出现色差。二次酸刻蚀织构エ艺中，第一次酸刻蚀织构的特点为温度较低和时间较短，有效去除了硅片表面的机械损伤层，同时形成了较小的腐蚀坑。第二次织构的特点为温度较高和时间较长...
【技术保护点】
一种多晶硅表面两次酸刻蚀织构制备方法，其特征包括以下工艺步骤：1）配制一定浓度的以HF？HNO3为基础的酸溶液，使HF浓度为3mol/L？3.3mol/L，HNO3浓度为9mol/L？9.8mol/L,循环时间为2小时；2）控制酸刻蚀液温度为3？10℃，损伤层密度不同的硅片于溶液中反应40？60s,然后用去离子水清洗；3）清洗后的硅片于2%的NaOH溶液中反应10s，去除表面的多孔硅，然后用去离子水清洗；4）清洗后的硅片于5%的HF和10%的HCl混合溶液中反应30s,？去除表面的金属离子和氧化层，然后用去离子水清洗后吹干；5）控制酸刻蚀液温度为6？12℃，将之前刻蚀后的硅...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周艺，郭长春，李荡，黄岳文，肖斌，欧衍聪，
申请(专利权)人：长沙理工大学，
类型：发明
国别省市：
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