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本发明公开了一种不同于以往工艺的多晶硅表面两次酸刻蚀织构的制备方法，该方法能够解决硅片腐蚀坑的不均匀现象，进而解决了太阳能电池片在PECVD镀膜后存在的色差问题，优化了太阳电池片的外观。本发明采用了一种两次酸刻蚀织构制备方法，第一次酸刻蚀织...
该专利属于长沙理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长沙理工大学授权不得商用。

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