一种太阳能电池的结构制法，其包括下列步骤：金属箔层制作步骤：于一基材上形成一金属箔层；蚀刻步骤：于金属箔层的预定位置上进行蚀刻，形成数个金属箔层凹槽；太阳能光伏层制作步骤：于金属箔层上形成一太阳能光伏层；第一激光切割步骤：以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽；每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层，具有一第二宽度；透明导电层制作步骤：于该太阳能光伏层上形成一透明导电层；第二激光切割步骤：以激光切割出数个凹槽后，即完成一太阳能电池的结构。本发明专利技术具有提高转换效率的优点及功效。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池的结构制法，特别涉及一种可缩小金属箔层凹槽宽度的太阳能电池的结构制法，其具有提高转换效率的优点及功效。
技术介绍
如图12所示，其为传统太阳能电池的结构，其制法是先以激光83切割的方式对一玻璃基板910上的金属箔层920进行加工，于该金属箔层920形成数个金属箔层凹槽921(如图13所示)；之后,再进行一太阳能光伏层(Photovoltaic Layer) 930、一透明导电层940及数个凹槽970的制作，即完成一太阳能电池。太阳能电池包括数个有效区A及无效区B，有效区A同时具有金属箔层920 (下电扱)、太阳能光伏层930及透明导电层940(上电极)；当太阳光照射时，光能将硅原子(太·阳能光伏层930)中的电子激发出来，而产生电子和电洞的对流，并以上、下电极连接而形成ー个回路。也就是说，光线只会与该有效区A反应而产生电流，且当该有效区A的区域愈大时，其电能转换效率也相对愈高。如图13所不,但一般太阳能电池以激光83切割的方式切割该金属箔层凹槽921,其切割宽度S4较大(约为50 μ m至100 μ m之间)，在切割数个金属箔层凹槽921后，使得该金属箔层920因切割的损失也相对增加，该有效区A也因此而缩小，与一光线75的反应范围也相对较小(图12的反射箭头)，进而影响整体电能转换效率(如图12所示，该有效区A及该无效区B的总宽度为ー预定宽度W，该有效区A具有一第二有效区宽度W21，而该无效区B具有一第二无效区宽度W22)。因此，有必要研发新产品，以解决上述缺点及问题。
技术实现思路
为解决现有技术存在的金属箔层凹槽宽度较大而使得有效区缩小的问题，本专利技术提供一种太阳能电池的结构制法，其具有提高转换效率的优点及功效。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种太阳能电池的结构制法，其包括下列步骤金属箔层制作步骤于一基材上形成一金属箔层；蚀刻步骤于该金属箔层的预定位置上进行蚀刻，形成数个金属箔层凹槽；又，姆ー金属箔层凹槽完全截断该金属箔层，且具有一第一宽度，该第一宽度介于10 μ m至30 μ m之间；太阳能光伏层制作步骤于该金属箔层上形成一太阳能光伏层；第一激光切割步骤以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽；每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层，且具有一第二宽度，该第二宽度介于10 μ m至50 μ m之间；透明导电层制作步骤于该太阳能光伏层上形成一透明导电层；第二激光切割步骤以激光切割出数个凹槽后，即完成一太阳能电池的结构；又，每ー凹槽完全截断该透明导电层及该太阳能光伏层，且具有一第三宽度，该第三宽度介 10 μ m M 50 μ m え|1]。前述的太阳能电池的结构制法，其中金属箔层的材质采用铜、铝、银或不锈钢。本专利技术的有益效果是，其具有提高转换效率的优点及功效。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进ー步说明。图I是本专利技术的太阳能电池的结构制法的流程示意图。 图2A是本专利技术的金属箔层制作步骤的示意图。图2B是本专利技术的金属箔层的剖视示意图。图3A是本专利技术的蚀刻步骤流程一的示意图。图3B是本专利技术的蚀刻步骤流程一的剖视示意图。图4A是本专利技术的蚀刻步骤流程ニ的示意图。图4B是本专利技术的蚀刻步骤流程ニ的剖视示意图。图5A是本专利技术的蚀刻步骤流程三的示意图。图5B是本专利技术的蚀刻步骤流程三的剖视示意图。图6A是本专利技术的蚀刻步骤流程四的示意图。图6B是本专利技术的蚀刻步骤流程四的剖视示意图。图7A是本专利技术的太阳能光伏层制作步骤的示意图。图7B是本专利技术的太阳能光伏层制作步骤的剖视示意图。图8A是本专利技术的第一激光切割步骤的示意图。图SB是本专利技术的第一激光切割步骤的剖视示意图。图9A是本专利技术的透明导电层制作步骤的示意图。图9B是本专利技术的透明导电层制作步骤的剖视示意图。图IOA是本专利技术的第二激光切割步骤的示意图。图IOB是本专利技术的第二激光切割步骤的剖视示意图。图11是本专利技术的太阳能电池的结构示意图。图12是传统太阳能电池的示意图。图13是传统太阳能电池的金属箔层凹槽制作的示意图。图中标号说明10基材20金属箔层21金属箔层凹槽30太阳能光伏层31太阳能光伏层凹槽40透明导电层51金属箔层制作步骤52蚀刻步骤53太阳能光伏层制作步骤 54第一激光切割步骤55透明导电层制作步骤56第二激光切割步骤60光阻剂70凹槽75光线81预定灯源82光罩83激光920金属箔层921金属箔层凹槽930太阳能光伏层940透明导电层970凹槽SI第一宽度S2第二宽度S3第三宽度S4第四宽度W预定宽度Wll第一有效区宽度W12第一无效区宽度W21第二有效区宽度W22第二无效区宽度A有效区B无效区具体实施例方式如图I所示，本专利技术为一种太阳能电池的结构制法，其包括下列步骤金属箔层制作步骤51 :如图2A及图2B所示，于ー基材10上进行金属镀膜或为压合贴附(例如铜、铝、银及不锈钢等)，形成一金属箔层20 (也就是下电极)。该基材10的材质可为聚酰亚胺(Polyimide,简称PI)、聚酯(Polyester,简称PET)或こ烯/醋酸こ烯酯共聚物(Ethylene Vinyl Acetate,简称为EVA)。蚀刻步骤52 :如于该金属箔层20的预定位置上进行蚀刻，形成数个金属箔层凹槽21 ;又,姆ー金属箔层凹槽21完全截断该金属箔层20,且具有一第一宽度SI,该第一宽度SI介于10 μ m至30 μ m之间。关于该金属箔层凹槽21的蚀刻,先将一光阻剂60涂布于该金属箔层20上，再利用一预定灯源81 (例如紫外光)及一光罩82对预定位置的进行曝光(请參阅图3A及图3B);接着，以显影剂移除经曝光的光阻剂60后(如图4A及图4B所示)，再进行蚀刻，使该金属箔层20无光阻剂60的部份被蚀刻而形成该金属箔层凹槽21 (如图5A及图5B所示)；最后，将剩余的该光阻剂60去除，即完成数个金属箔层凹槽21的制作(如图6A及图6B所示)。上述举例为一般的正光阻微影制程，在实务上，也可利用负光阻微影制程来达成(负光阻不适合小于3 μ m以下的制程技术)。太阳能光伏层制作步骤53 :如图7A及图7B所示，于该金属箔层20上形成一太阳能光伏层30 (Photovoltaic),例如娃薄膜、CIGS (铜铟镓硒，Copper Indium GalliumDiselenide);以硅薄膜来说，其可以溅镀或电浆辅助化学气相沉积法(PECVD)形成于该金属箔层20上。第一激光切割步骤54 :如图8A及图8B所示，以ー激光83切割出数个太阳能光伏层凹槽31 ;姆一太阳能光伏层凹槽31完全截断该太阳能光伏层30,且具有一第二宽度S2，该第二宽度S2介于ΙΟμπι至50μπι之间。透明导电层制作步骤55 :如图9Α及图9Β所示，于该太阳能光伏层30上形成一透明导电层40 (或称上电极)。第二激光切割步骤55 :如图10Α及图10Β所示，以ー激光83切割出数个凹槽70后，即完成一太阳能电池的结构100 ;又，每ー凹槽70完全截断该透明导电层40及该太阳能光伏层30，且具有一第三宽度S3，该第三宽度S3介于10 μ m至50 μ m之间。关于本专利技术的制法所制出的太阳能电池的结构100，其包括数个有效区A及无效区B (如图10B)，有效区A同时具有该金属箔层20 (本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池的结构制法，其特征在于，包括下列步骤：[1]金属箔层制作步骤：于一基材上形成一金属箔层；[2]蚀刻步骤：于该金属箔层的预定位置上进行蚀刻，形成数个金属箔层凹槽；又，每一金属箔层凹槽完全截断该金属箔层，且具有一第一宽度，该第一宽度介于10μm至30μm之间；[3]太阳能光伏层制作步骤：于该金属箔层上形成一太阳能光伏层；[4]第一激光切割步骤：以激光切割出数个太阳能光伏层凹槽；每一太阳能光伏层凹槽完全截断该太阳能光伏层，且具有一第二宽度，该第二宽度介于10μm至50μm之间；[5]透明导电层制作步骤：于该太阳能光伏层上形成一透明导电层；[6]第二激光切割步骤：以激光切割出数个凹槽后，即完成一太阳能电池的结构；又，每一凹槽完全截断该透明导电层及该太阳能光伏层，且具有一第三宽度，该第三宽度介于10μm至50μm之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李硕仁，陈贻和，
申请(专利权)人：元智大学，
类型：发明
国别省市：
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