【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能利用
，涉及非晶硅太阳能电池结构，尤其是一种多吸收层的非晶硅太阳能电池结构。
技术介绍
随着石油，天然气等不可再生资源的日益枯竭，太阳能作为一种取之不尽的资源成为人类所努力的方向。目前主要的硅基太阳能电池主要为单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池和非晶硅太阳能电池，其中，非晶硅太阳能电池和单晶硅和多晶硅太阳能电池相t匕，在制造工艺上大大简化，在材料消耗和电能耗上大大减少，从而成为硅基太阳能电池的执占。 非晶硅材料具有较高的光吸收系数，特别是在0. 3^0. 75微米的可见光波段，它的吸收系数比单晶硅高一个数量级，因而，它比单晶硅对太阳辐射的吸收效率要高40倍左右，用很薄的非晶硅膜(约I微米厚)就能吸收约90%的可见光太阳能。非晶硅的光学带隙宽度比单晶硅大，随制备条件的不同约在I. 5^2. Oev的范围内变化，这样制成的太阳能电池的开路电压高。另外制备非晶硅的工艺和设备简单，沉积温度低，时间短，适于大批量生产。由于非晶硅没有晶体所要求的周期性原子排列，可以不考虑制备晶体所必须考虑的材料与衬底间的晶格失配问题，因此可以沉积在任何衬底上，包括...
【技术保护点】
一种多吸收层纵向分布的非晶硅太阳能电池，其结构从上往下包括依次层叠的透明玻璃衬底（1），TCO透明导电膜（2），P型半导体层（3），缓冲层（4），非晶硅光吸收层（5），N型半导体层（6），金属电极（7）；其特征在于，所述非晶硅光吸收层（5）由多个光学带隙宽度依次减小的非晶硅光吸收子层沿纵向从上往下依次层叠而成。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘爽，曲鹏程，魏广路，陈逢彬，何存玉，熊流峰，周晟，刘飒，钟智勇，刘永，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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