本实用新型专利技术公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本实用新型专利技术的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种太阳能电池组件，尤其涉及串联型的薄膜太阳能电池组件。
技术介绍
太阳能作为取之不尽、用之不竭的天然资源，具有无污染、安全性高、使用寿命长等特性，使得在新能源开发中太阳能光电产业备受市场和研究人员的关注。目前一般常用的太阳能电池为硅晶太阳能电池或薄膜太阳能电池，其中薄膜太阳能电池具有成本低、厚度薄和电能功率耗损较少等优点，但是相对的其转换效率低，本领域通常采用改变半导体材料结构和将电池串联提升转换效率。已有的串联式薄膜太阳能电池的结构，包括基板与多个半导体层构成，因此串联式薄膜太阳能电池的结构实际上为多个具备P-I-N半导体层的独立电池所串联形成的电·池。然而这种结构的电池面临一种缺陷其内部基板上导电薄膜厚度太厚导致薄膜表面粗糙，使射入串联式薄膜太阳能电池的光线分布不均，导致串联式薄膜太阳能电池内部产生微漏电效应。
技术实现思路
为了克服现有技术中的串联薄膜太阳能电池组件出现的漏电问题，本技术公开了一种新的串联型薄膜太阳能电池组件，通过结构改进，能够有效降低内部的漏电效应，提高光电转换效率。为实现上述目的，本技术是通过下述技术方案实现的串联型薄膜太阳能电池组件，包括透明导电玻璃基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于透明导电玻璃基板上方型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶娃层接合。通过上述结构，穿隧层与P型纳米晶硅层结合，提高了开路电压，限制了横向电流产生，同时不会影响到输出垂直电流的传递。从而有效抑制了漏电效应，提升其光电转换效率。进一步的，所述P型纳米晶硅层上方设有I型纳米晶硅层；1型纳米晶硅层上方设有第二N型纳米晶硅层。更进一步的，所述第二 N型纳米晶硅层上方设有电极板。其中，所述穿隧层为二氧化硅制成，所述穿隧层厚度为50_150nm，具有最优的阻断横向电流传递效能。其中，所述电极板为银板或铝板。本技术的串联型薄膜太阳能电池组件通过改变半导体层结构，通过P型层与穿隧层接合阻挡电池内部横向电流传递，降低串联式薄膜太阳能电池内部漏电效应，以提高光电转换效率。附图说明图I为本技术串联型薄膜太阳能电池组件结构示意图。具体实施方式参考附图1，本技术的串联型薄膜太阳能电池组件，包含透明导电玻璃基板I、P型非晶硅层2、I型非晶硅层3、N型纳米晶硅层4、穿隧层5、P型纳米晶硅层6、I型纳米晶硅层7、第二 N型纳米晶硅层8和电极板9，在使用时太阳光从透明导电玻璃基板的丨侧照入，P型非晶硅层位于透明导电玻璃基板上方；1型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶硅层接合，设置在N型纳米晶硅层上方，I型纳米晶硅层设置在穿隧层与P型纳米晶硅层结合后的P型纳米晶硅层上方，第 二 N型纳米晶硅层设在I型纳米晶硅层上方，电极板设在第二 N型纳米晶硅层上方。其中所用的纳米晶硅层的硅粒子粒径通常在3-10nm之间。权利要求1.串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于包括透明导电玻璃基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶硅层接合。2.根据权利要求I所述的串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于所述P型纳米晶硅层上方设有I型纳米晶硅层；1型纳米晶硅层上方设有第二 N型纳米晶硅层。3.根据权利要求2所述的串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于所述第二N型纳米晶娃层上方设有电极板。4.根据权利要求I所述的串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于所述穿隧层为二氧化硅制成，所述穿隧层厚度为50-150nm。5.根据权利要求3所述的串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于所述电极板为银板或招板。专利摘要本技术公开了一种串联型薄膜太阳能电池组件，包括基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方。其中，穿隧缓冲层与P型纳米晶硅层接合。本技术的太阳能电池组件有效降低了串联式薄膜太阳能电池内部的漏电效应，提高光电转换效率。文档编号H01L31/0352GK202712205SQ20122038405公开日2013年1月30日 申请日期2012年8月3日 优先权日2012年8月3日专利技术者王庆东 申请人:深圳蔚光能电子科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
串联型薄膜太阳能电池组件，其特征在于包括透明导电玻璃基板、P型非晶硅层、I型非晶硅层、N型纳米晶硅层、穿隧层和P型纳米晶硅层，其中P型非晶硅层位于基板上方；I型非晶硅层位于P型非晶硅层上方；N型纳米晶硅层位于I型非晶硅层上方；穿隧层位于N型纳米晶硅层之上方，P型纳米晶硅层位于N型纳米晶硅层上方，穿隧层与P型纳米晶硅层接合。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王庆东，
申请(专利权)人：深圳蔚光能电子科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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