【技术实现步骤摘要】
本技术涉及太阳能电池
，尤其涉及一种用于制备太阳能电池的单晶硅片。
技术介绍
晶态娃分为单晶娃和多晶娃，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。目前单晶太阳能级硅片主要采用CZ法生长〈100〉晶向的圆棒，经过开方，将圆棒切割成横截面为四角带圆弧形的准方形柱体，然后经过滚圆机砂轮滚圆，使原来生长势不均匀的圆棒毛坯获得均一的尺寸，一般磨削量为2mm-5mm，用这种准方棒进行线切割，即可获得用于生产电池的单晶硅片。目前行业内普遍生产的为6英寸(直径约151_)和8英寸(直径约196mm)的圆棒，经过上述加工过程形成125mmX125mm和156mmX 156mm四角带圆弧的准方形娃片；125mmX 125mm准方形娃片圆弧直径为150mm, 156mmX 156mm准方形娃片圆弧直径为195_...
【技术保护点】
一种太阳能级单晶硅片，包括硅片本体，该硅片本体采用单晶硅制作而成，其特征在于，所述硅片本体为平行四边形结构，该硅片本体的厚度为100um～200um。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：夏学军，
申请(专利权)人：云南三奇光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。