一种薄膜太阳能电池制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜太阳能电池包括依次层叠的基底/背电极/吸收层/缓冲层/透明导电层/上电极，其中，吸收层包括1-CuInS2薄膜/1-CuInSx1Se(2-x1)薄膜/CuInSe2薄膜/2-CuInSx2Se(2-x2)薄膜/2-CuInS2薄膜复合层，1-CuInSx1Se(2-x1)薄膜中S原子的总数与Se和S原子的总数比为0.1-1；2-CuInSx2Se(2-x2)薄膜中S原子的总数与Se和S原子的总数比为0.1-1。本发明专利技术的吸收层为多种带隙能的光吸收层的复合，吸收层中S浓度呈V型分布能提高太阳能电池的开路电压和光电转化效率，同时减少有毒Se的使用，且S成本低，对环境污染较小，易大规模化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光伏领域。具体而言，本专利技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种薄膜太阳能电池。
技术介绍
目前，商品化的太阳能电池主要包括硅基晶片电池、薄膜太阳能电池和砷化镓基聚光太阳能电池，其中，CuInSe2基薄膜太阳能电池因其生产成本低、转化效率高、弱光性能好、抗辐射能力强、无光致衰退以及可沉积在柔性基底上等特点，被国际上称为“下一时代最有前途的新型薄膜太阳能电池”。CuInSe2基(简称CIS)薄膜太阳能电池，主要由基底/背电极/吸收层/缓冲层/透明导电层/上电极/减反射层结构组成，吸收层为将光能转化电能的活性部件，为太阳能电池的重要组成部分，也为现有研究的热点和重点。铜铟硒是直接能隙半导体，其光吸收系数较大，高达105CHT1，常温下铜铟硒能隙Eg=L 04eV,但太阳电池的最佳能隙为I. 45eV。现有大量采用的一般是通过掺杂少量的Ga替代In形成CuInGahSe2材料，通过调整Ga的浓度分布，可以使禁带宽度在I. 02eV^l. 68eV之间变化，来实现更多的太阳光谱的吸收。但Ga属于贵金属，且其具有剧毒对环境保护不利，且Ga的浓度分布也较难调整。也有在CuInSe2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池?，包括依次层叠的基底/背电极/吸收层/缓冲层/透明导电层/上电极，其特征在于，所述吸收层包括1?CuInS2薄膜/1?CuInSx1Se(2?x1)?薄膜/CuInSe2薄膜/2?CuInSx2Se(2?x2)?薄膜/2?CuInS2薄膜复合层，所述1?CuInSx1Se(2?x1)薄膜中S原子的总数与Se和S原子的总数比为0.1?1；所述2?CuInSx2Se(2?x2)薄膜中S原子的总数与Se和S原子的总数比为0.1?1。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：仓芹，钟北军，周勇，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：