本发明专利技术涉及一种单晶硅太阳能电池，包括有绝缘基板，透明粘结胶层及单晶硅层；所述透明粘结胶层和单晶硅层各包括有两层，所述绝缘基板上设置有第二层透明粘结胶层，第二层透明粘结胶层上设置有第二层单晶硅层，在第二层单晶硅层上设置有第一层透明粘结胶层，在第一层透明粘结胶层上设置有第一层单晶硅层；在第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的背对光源的侧面设置有电引出导线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光伏太阳能领域，特别是指ー种单晶硅太阳能电池。
技术介绍
以硅为主要材料的太阳能电池，根据其结晶性，分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池。其中单晶硅太阳能电池与多晶硅太阳能电池的区别仅为在加工硅结晶过程的エ 艺不同。单晶硅采用结晶提拉而成，多晶硅是铸模而成。非晶硅是利用等离子体CVD法，将硅烷气体在气相中利用放电分解，由此在基板上形成晶质的氢化硅膜而成。虽然非晶硅的膜相对于单晶硅要薄，一般为I微米就能达到现实用的光电转换效果，但其光电转换效率不到10%，而单晶硅的光电转换效率能够达到15%的利用效率。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供ー种单晶硅太阳能电池，ー种能够提高太阳能光电转换效率牟太阳能电池。本专利技术是通过以下技术方案实现的单晶硅太阳能电池，包括有绝缘基板，透明粘结胶层及单晶硅层；所述透明粘结胶层和单晶硅层各包括有两层，所述绝缘基板上设置有第二层透明粘结胶层，第二层透明粘结胶层上设置有第二层单晶硅层，在第二层单晶硅层上设置有第一层透明粘结胶层，在第ー层透明粘结胶层上设置有第一层单晶硅层；在第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的背对光源的侧面设置有电引出导线。所述绝缘基板为树脂类基板或玻璃类基板。所述第一层透明粘结胶层和第二层透明粘结胶层为相同材料或不同材料均可，所述透明粘胶层的组成为，硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物，聚碳酸酯以及聚对苯ニ甲酸こニ醇酯中的ー种。所述第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的厚度相同，为0. 1-3. 5微米。本专利技术同现有技术相比的有益效果是因为单晶硅层的光利用率为15%左右，而其余的光源会通过单晶硅发生反射或折射效果，通过本专利技术的技术方案，没有被利用的光源通过第一层单晶硅层及第ー层透明粘胶层后在第二层单晶硅层内被第二次利用，第二层单晶硅的光转换率为6-8%，这样能够有效的利用太阳能电池的立体空间，提高単位面积的发电效率。附图说明图I为本专利技术单晶硅太阳能电池截面示意图。具体实施方式以下通过具体实施例来详细说明本专利技术的技术方案，应当理解的是，以下的具体实施例仅能用来解释本专利技术而不能解释为是对本专利技术的限制。參考图I所示，首先准备绝缘基板11，基板的选择没有特别的要求，在本实施例中选用的是树脂制成的基板，将第二层单晶硅层14的ー个面注入氢离子或稀有气体离子，并在这ー个面同涂有第二层透明粘结胶层15同基板11粘接，然后通过机械去除第二层单晶硅层14以形成单晶硅膜，厚度为2. 5微米，在其它实施例中单晶硅膜厚度可以为0. 1-3.5微米之间，将第一层单晶硅层12的ー个面注入氢离子或稀有气体离子，并在这ー个面同涂有第一层透明粘结胶层13同第二层单晶硅膜粘接，然后通过机械去除第一单晶硅层12以形成第一单晶硅膜。第一层 单晶硅膜厚度为2. 5微米。在每ー层单晶硅膜进行离子注入的面连接有供产生的电流引出的导线。所述第一层透明粘结胶层和第二层透明粘结胶层为相同材料或不同材料均可，所述透明粘胶层的组成为，硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物，聚碳酸酯以及聚对苯ニ甲酸こニ醇酯中的ー种。通过本技术方案制得的单晶硅太阳能电池，光源在通过第一层单晶硅膜时的利用率为15%左右，然后会有大量的光线穿过第一层单晶硅膜及第一层粘结胶层进入第二层单晶硅膜，第二单晶硅膜在光线的照射下会产生光电转换。尽管已经示出和描述了本专利技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本专利技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本专利技术的范围由所附权利要求及其等同限定。权利要求1.单晶硅太阳能电池，包括有绝缘基板，透明粘结胶层及单晶硅层；其特征在于所述透明粘结胶层和单晶硅层各包括有两层，所述绝缘基板上设置有第二层透明粘结胶层，第ニ层透明粘结胶层上设置有第二层单晶硅层，在第二层单晶硅层上设置有第一层透明粘结胶层，在第一层透明粘结胶层上设置有第一层单晶硅层；在第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的背对光源的侧面设置有电引出导线。2.根据权利要求I所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于所述绝缘基板为树脂类基板或玻璃类基板。3.根据权利要求I所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于所述第一层透明粘结胶层和第二层透明粘结胶层为相同材料或不同材料均可，所述透明粘胶层的组成为，硅树脂、丙烯酸树脂、脂环式丙烯酸树脂、液晶聚合物，聚碳酸酯以及聚对苯ニ甲酸こニ醇酯中的一种。4.根据权利要求I所述的单晶硅太阳能电池，其特征在于所述第一层单晶硅层和第ニ层单晶硅层的厚度相同，为0. 1-3. 5微米。全文摘要本专利技术涉及一种单晶硅太阳能电池，包括有绝缘基板，透明粘结胶层及单晶硅层；所述透明粘结胶层和单晶硅层各包括有两层，所述绝缘基板上设置有第二层透明粘结胶层，第二层透明粘结胶层上设置有第二层单晶硅层，在第二层单晶硅层上设置有第一层透明粘结胶层，在第一层透明粘结胶层上设置有第一层单晶硅层；在第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的背对光源的侧面设置有电引出导线。文档编号H01L31/04GK102956724SQ201210493308公开日2013年3月6日 申请日期2012年11月27日 优先权日2012年11月27日专利技术者曾宏, 林国勇 申请人:宁波贝达新能源科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
单晶硅太阳能电池，包括有绝缘基板，透明粘结胶层及单晶硅层；其特征在于：所述透明粘结胶层和单晶硅层各包括有两层，所述绝缘基板上设置有第二层透明粘结胶层，第二层透明粘结胶层上设置有第二层单晶硅层，在第二层单晶硅层上设置有第一层透明粘结胶层，在第一层透明粘结胶层上设置有第一层单晶硅层；在第一层单晶硅层和第二层单晶硅层的背对光源的侧面设置有电引出导线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾宏，林国勇，
申请(专利权)人：宁波贝达新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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