【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术涉及一种异质结型太阳能电池，包括N型硅、P型硅、顶电极，P型硅表面淀积有掺硼的非晶硅，非晶硅与P型硅形成同型异质结，非晶硅开有纵向槽，非晶硅表面淀积有氮化硅，顶电极穿过氮化硅和非晶硅的槽与P型硅欧姆接触，所述顶电极与非晶硅绝缘。本技术电池在非晶硅上开设纵向槽，以便顶电池穿过后与P型硅连接，而顶电极与非晶硅之间由于氮化硅的存在而被绝缘，因此确保异质结的正常运行；而且电池对电极烧入深度控制要求低，只需要对准槽中央往下烧制电极，使电极烧制P型硅即可，可见本电池的制造工艺简单，能够在产业上获得推广。【专利说明】一种异质结型太阳能电池
本技术涉及一种异质结型太阳能电池。
技术介绍
同型异质结电池在普通PN结电池上淀积一层非晶硅薄膜，形成同型异质结，可在 电池表面形成低阻层，从而降低电池的串联电阻，提高电池的光生电流。但该结构电池的顶 电极弓I出困难，易使得异质结短路，不易形成异质结低阻层。经检索发现中国专利技术专利申请200610024876.2，涉及一种“非晶硅-晶体硅异质 结太阳能电池”，其顶电极烧至非晶硅层，通过隧道效应与下面的晶硅层欧姆接触，从而实 现异质结电池。然而在实际生产工作成，烧制电极的烧入深度极难控制，一旦烧得过深穿了 非晶硅，该异质结即被短路；烧的不够，隧道效应由难以实现。故该结构电池很难在产业上 被生产，无法被推广。
技术实现思路
本技术的目的在于:克服上述现有技术的缺陷，提出一种异质结型太阳能电 池，该电池的结构简单，易于工艺实现，生产成本低。为了达到上述目的，本技术提出的异质结型太阳能电池，包括N型硅、P型硅、 ...
【技术保护点】
一种异质结型太阳能电池，包括N型硅（1）、P型硅（2）、顶电极（3），其特征是所述P型硅（2）表面淀积有掺硼的非晶硅（4），所述非晶硅（4）与P型硅（2）形成同型异质结，所述非晶硅（4）开有纵向槽（5），非晶硅（4）表面淀积有氮化硅（6），顶电极（3）穿过氮化硅（6）和非晶硅（4）的槽（5）与P型硅（2）欧姆接触，所述顶电极（3）与非晶硅（4）绝缘。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王强，虞铮栋，张孙，浩琛，罗阳，胡艳，张士兵，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：实用新型
国别省市：
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