无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置。该制作方法包括：在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；对多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有第一结构的第二结构，其中，第一结构用于形成无机发光二极管；将显示面板的阵列基板设置于膜层远离生长基板的一侧；通过在第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。通过本发明专利技术，能够提升无机发光二极管显示面板的良率。

Inorganic Light Emitting Diode Display Panel and Its Fabrication Method and Display Device

The invention discloses an inorganic light emitting diode display panel, a manufacturing method and a display device thereof. The fabrication method includes: growing a plurality of film layers of the inorganic light emitting diode on the growth substrate; patterning a plurality of film layers to obtain several first structures and a second structure enclosing all the first structures, in which the first structure is used to form the inorganic light emitting diode; setting the array substrate of the display panel on the side of the film layer away from the growth substrate; and through the second junction. A packaging material is arranged between the structure and the array substrate for packaging. The invention can improve the yield of the display panel of the inorganic light emitting diode.

【技术实现步骤摘要】
无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
传统的无机发光二极管(InorganicLightEmittingDiode，ILED)通常作为背光源用于液晶显示器的背光模组中，随着显示技术和无机发光二极管的发展，无机发光二极管作为像素应用于高分辨率显示面板中，实现了一种无机发光二极管显示面板。但是，目前的无机发光二极管显示面板的良率较低，因而，如何提高无机发光二极管显示面板的良率，成为现有技术需要解决的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种无机发光二极管显示面板及其制作方法和显示装置，以提高无机发光二极管显示面板的良率。为了达到上述目的，一方面，本专利技术提供了一种无机发光二极管显示面板的制作方法。该无机发光二极管显示面板的制作方法包括：在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；对所述多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，所述第一结构用于形成无机发光二极管；将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧；通过在所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；对所述多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，所述第一结构用于形成无机发光二极管；将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧；通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。

【技术特征摘要】
1.一种无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层；对所述多个膜层进行图案化处理，以得到若干第一结构和包围所有所述第一结构的第二结构，其中，所述第一结构用于形成无机发光二极管；将显示面板的阵列基板设置于所述膜层远离所述生长基板的一侧；通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装。2.根据权利要求1所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在生长基板上生长无机发光二极管的多个膜层的步骤包括：在所述生长基板上依次生长N型扩展层、量子阱层和P型扩展层。3.根据权利要求2所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在通过在所述第二结构与阵列基板之间设置封装材料进行封装的步骤之后，所述方法还包括：去除所述生长基板；在所述N型扩展层远离所述阵列基板的一侧制作所述无机发光二极管的N电极。4.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在制作所述无机发光二极管的N电极的步骤之后，所述方法还包括：在所述无机发光二极管的N电极远离所述阵列基板的一侧，制作波长转换层。5.根据权利要求4所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，制作波长转换层的步骤包括：制作若干波长转换单元，其中，所述波长转换层包括第一波长转换单元、第二波长转换单元和第三波长转换单元，不同的所述波长转换单元将所述无机发光二极管产生的光的波长转换为不同波长，每个所述波长转换单元在所述阵列基板上的正投影至少覆盖一个所述无机发光二极管在所述阵列基板上的正投影；在相邻的所述波长转换单元之间制作遮光单元。6.根据权利要求3所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述无机发光二极管的N电极的步骤包括：制作一层透明薄膜导电材料，以使各所述无机发光二极管具有公共N电极。7.根据权利要求2所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在对所述多个膜层进行图案化处理的步骤之后，所述方法还包括：在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极。8.根据权利要求7所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极的步骤包括：在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作P电极层；对所述P电极层进行图案化处理，以在所述第一结构的P型扩展层表面形成所述P电极，且所述P电极相对所述第一结构的P型扩展层形成台阶结构；所述方法还包括：在所述P电极远离所述生长基板的一侧制作保护层,对所述保护层进行图案化处理，以至少暴露部分所述P电极。9.根据权利要求7所述的无机发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，在所述P型扩展层远离所述生长基板的一侧制作所述无机发光二极管的P电极的步骤之后，...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏兴达，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31