本发明公开了一种柔性TFT器件及其制备方法。本发明的柔性TFT器件依次包括柔性衬底、PI黏附层、栅电极、介电层、PαMS修饰层、半导体层、界面修饰层和源漏电极层，所述栅电极含有PEDOT:PSS，所述介电层含有PDMS‑HfO

本申请提供了一种光电器件结构，涉及半导体光电技术领域。该光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、Al

本发明公开了一种钙钛矿量子点的制备方法和钙钛矿量子点，涉及显示技术领域，通过将含有镓离子的金属盐、卤化铅基前驱体和铯基前驱体混合，并搅拌后形成镓离子掺杂的钙钛矿量子点，其中，钙钛矿量子点中镓离子的掺杂比例小于或等于5％，通过高价金属镓离...

本实用新型提供了一种采用新型电子阻挡层的紫外发光器件，涉及半导体技术领域。所述紫外发光器件包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型Al

本申请提供了一种增强型功率器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，然后沿所述衬底的一侧制作外延层，其中，所述外延层包括高阻P型掺杂层，再对所述高阻P型掺杂层的目标区域进行激活，再去除源极区域与漏极区域的高阻P型掺杂层，最后...

本实用新型提供了一种均匀出光装置和LED匀光灯具，涉及灯具领域，该均匀出光装置包括匀光器、光源和安装基板，匀光器内设置有光学腔，且匀光器具有一出光面，出光面上开设有与光学腔连通的出光口，安装基板与出光面连接并部分遮挡出光口，光源设置在安...

本申请提供了一种半导体结构及其制作方法，涉及半导体材料制备技术领域。该半导体结构包括衬底，与所述衬底的生长面连接的模板层，其中，模板层的表面为非平行宏台阶表面，与宏台阶表面连接的P型掺杂Al

本发明提供了一种均匀光斑的设计方法和均匀光斑的照明装置，涉及照明技术领域，通过中心光源和中心单透镜形成中心光斑，通过内层光源和内层单透镜形成内层环形光斑，并通过外层光源、外层单透镜和双自由曲面透镜形成外层环形光斑，再将中心光斑、内层环形...

本发明提供了一种GaN基LED外延结构及其制备方法、发光二极管，涉及半导体技术领域，该GaN基LED外延结构包括由下而上依次设置的衬底、n型掺杂层、量子阱有源层、电子阻挡层和p型掺杂层，n型掺杂层形成在衬底上，量子阱有源层形成在n型掺杂...

本发明提供了一种锁相环电路，通过自校准电荷泵根据up脉冲或dn脉冲对环路滤波器进行充电或放电，调节环路滤波器输出的控制电压；自校准电荷泵根据up脉冲或dn脉冲泵入或泵出的电流相同，利用自校准电荷泵改进了传统电荷泵的电流失配问题，实现电荷...

本发明提供的一种阻抗调节装置及信号发射装置，涉及阻抗调节技术领域，通过在驱动单元中并联用于调节阻抗的MOS管及电阻，通过向驱动单元中用于调节阻抗的MOS管输出调节电压，改变该MOS管的阻抗，进而调节整个驱动单元的阻抗；通过调节该调节电压...

本发明的实施例提供了一种LED芯片结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。本发明实施例的LED芯片结构的制作方法包括在金属阻挡层制作前，对金属反射镜的表面进行平滑化处理，再沉积制作金属阻挡层。然后，对金属反射镜和金属阻挡层的组合结构进行退...

本申请提供了一种芯片结构，涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；功能电极设置于功能层远离衬底的一侧；其中，多个功能层中的任意一层设置有通孔；该芯片结构还包括检测电极，检测电极安装于通孔。本申请提供的...

本申请提供了一种激光二极管封装结构与电子设备，涉及半导体封装技术领域。该激光二极管封装结构包括底座、第一芯片、第二芯片以及透镜组，底座设置有腔体结构，第一芯片、第二芯片以及透镜组均设置于腔体结构内；第一芯片与第二芯片发出的光线通过透镜组...

本申请提供了一种COB封装基板与结构，涉及COB封装技术领域，具体而言，涉及一种COB封装基板与结构。该COB封装基板包括第一基板与第二基板，第二基板套设于第一基板外，以形成封装基板；其中，封装基板用于铺设电路层，第一基板用于安装发光芯...

本发明提供了一种遥控无人潜水器、水下可见光通信系统和水下可见光通信自动对准的方法，涉及水下可见光通信技术领域。遥控无人潜水器包括微型主机以及与微型主机电连接的第一摄像头和第一LD照明装置；第一LD照明装置包括蓝光激光光源和荧光转轮，荧光...

本申请提供了一种芯片结构及其制作方法，涉及半导体领域。该芯片结构包括依次设置的衬底、缓冲层、n型半导体层、n型电子储蓄层，Al

本发明提供了一种微LED器件及阵列，涉及半导体技术领域。该微LED器件从下往上依次包括N型半导体层，量子阱，P型半导体层以及至少一个微凸点金属堆叠层，微凸点金属堆叠层与P型半导体的一侧连接；微凸点金属堆叠层用于与目标基板连接，且微凸点金...

本申请提供了一种LED制备方法与待剥离LED结构，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，其中，衬底的一面上设置有周期性凸台结构，然后沿衬底制作第一掩膜层，其中，第一掩膜层包括凹陷区，凹陷区的底部露出衬底上的凸台结构，且凹陷区的底部宽度小于...

本申请实施例提供了一种极性控制方法、氮化物薄膜制备方法和氮化物薄膜，涉及半导体技术领域。该极性控制方法在单晶体衬底上生长具有反演对称中心的界面层，所述界面层用于提供氮极性表面，其中，所述单晶体衬底在垂直方向上的原子具有六方密堆排布结构。...