一种芯片结构制造技术

本申请提供了一种芯片结构，涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；功能电极设置于功能层远离衬底的一侧；其中，多个功能层中的任意一层设置有通孔；该芯片结构还包括检测电极，检测电极安装于通孔。本申请提供的芯片结构具有能够区分出不同功能层的缺陷性质、物理机制和对芯片特性影响的效果。

A chip structure

【技术实现步骤摘要】
一种芯片结构
本技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种芯片结构。
技术介绍
高电子迁移率晶体管(HighElectronMobilityTransistor，HEMT)的外延结构包含很多功能层，各层的能带结构，掺杂特性，缺陷分布等性质各不相同，其电学机制十分复杂。HEMT器件特性也会受到影响，比如阈值稳定性，动态电阻，反向漏电与击穿特性等等。因此，需要对HEMT器件进行测试分析，以分析各功能层对器件参数的影响。目前，一般采用外加背电势来分析体材料缺陷对器件的影响，即在衬底上施加测试电压进行测试，但这类测试很难区分外延层不同位置的缺陷性质和影响机制。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种芯片结构，以解决现有技术中难以区分不同功能层的缺陷性质和影响机制。为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：第一方面，本申请提供了一种芯片结构，所述芯片结构包括：衬底；与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧；其中，所述多个功能层中的任意一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：/n衬底；/n与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧；其中，所述多个功能层中的任意一层设置有通孔；/n检测电极，所述检测电极安装于所述通孔。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：
衬底；
与所述衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；所述功能电极设置于所述功能层远离所述衬底的一侧；其中，所述多个功能层中的任意一层设置有通孔；
检测电极，所述检测电极安装于所述通孔。


2.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层中的任意一层的四周均设置有通孔，所述通孔的表面均铺设有所述检测电极。


3.如权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个功能层包括缓冲层、应力释放层、高阻层、沟道层、势垒层以及盖帽层，所述衬底、所述缓冲层、所述应力释放层、...

【专利技术属性】
技术研发人员：任远，刘宁炀，李祈昕，李成果，陈志涛，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44