一种光电器件结构制造技术

本申请提供了一种光电器件结构，涉及半导体光电技术领域。该光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、Al

【技术实现步骤摘要】
一种光电器件结构
本申请涉及半导体光电
，具体而言，涉及一种光电器件结构。
技术介绍
近年来，AlGaN基深紫外LED具有环保、无汞、杀菌，高调制频率等优点，在紫外固化、空气与水净化、生物医疗，高密度储存，安全与保密通讯等领域具有重要商业应用价值。然而，相对于较成熟的蓝光LED，深紫外LED依旧表现出较低的辐射复合效率及出光效率。限制其较高量子效率的输出，原因包括：1、生长AlGaN基深紫外LED外延材料时，较大应变的量子结构，产生过多的位错密度，形成非辐射复合中心，导致效率下降；2、P型掺杂困难，高Al组分中Mg并入非常困难，激活效率低于1％；3、限制AlGaN基LED发光效率的一个关键因素是大电流条件下电子空穴注入不匹配导致的电子电流泄漏，部分电子不能在发光有源区内充分复合发光，而是从有源区泄漏到p型区，对于高Al组分的AlGaN基深紫外LED空穴注入不足及电子泄露更加严重。原因在于AlGaN中Mg的激活能高达510-600meV，造成P型AlGaN的空穴浓度远远低于n型AlGaN，导致了大量电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电器件结构，其特征在于，所述光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、Al

【技术特征摘要】
1.一种光电器件结构，其特征在于，所述光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、AlxGa1-xN/AlyGa1-yN发光有源区、最后一个AlxGa1-xN量子垒层、p型电子阻挡层、p型半导体层以及接触层，且0.01≤x<y≤1；
其中，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN发光有源区包括多个量子阱层与多个AlGaN量子垒层，所述多个量子阱层与所述多个AlGaN量子垒层交替设置，以使所述发光有源区中的第一个所述AlGaN量子垒层靠近所述n型半导体层设置，所述发光有源区中的最后一个所述量子阱层靠近所述最后一个AlxGa1-xN量子垒层设置，且所述多个AlGaN量子垒层与所述最后一个AlxGa1-xN量子垒层均为铝组分渐变层。


2.如权利要求1所述的光电器件结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/AlyGa1-yN发光有源区包括N个量子阱层与N个AlGaN量子垒层，其中，2≤N≤20；
其中，所述N个量子阱层中铝组分恒定不变，所述N个量子阱层与N个AlGaN量子垒层交替设置；
每个所述AlGaN量子垒层与所述最后一个AlxGa1-xN量子垒层中的铝组分在生长方向上呈线性或非线性变化。


3.如权利要求2所述的光电器件结构，其特征在于，每个所述AlGaN量子垒层与所述最后一个AlxGa1-xN量子垒层中的铝组分在生长方向上均先递增，后递减，再递增，再递减。


4.如权利要求3所述的光电器件结构，其特征在于，每个所述AlGa...

【专利技术属性】
技术研发人员：王巧，刘宁炀，梁锡辉，卢瀚仑，王君君，林丹，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44