本申请一种芯片转移方法及装置。提供一包括第一透明基板层以及掺杂有热发泡剂的第一光敏胶层的第一转移基板。将第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底与芯片阵列贴合。通过预设波长的光线对第一光敏胶层进行照射，使得第一光敏胶...

本申请涉及一种包覆式LED器件，涉及LED技术领域，该包覆式LED器件包括LED芯片和设置在LED芯片上的光转换层，其中光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且纳米晶包裹在聚合物中。通过将纳米晶与聚合物混合，纳米晶均匀分散在聚合物中，并...

本申请提出了一种芯片结构，涉及半导体领域。该芯片结构包括发光层，其中，发光层的一侧设置有P电极层与N电极层，以及位于发光层一侧的封装层，其中，封装层设置有多个通孔，每个通孔连通至P电极层或N电极层，且每个通孔内均填充有散热导电介质，散热...

本发明提供了一种具有超薄铝铟氮插入层的紫外发光二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述紫外发光二极管包括衬底和在所述衬底上依次生长的低温缓冲层、高温层、n型AlGaN层、发光有源区、插入层、p型AlGaN电子阻挡层、p型AlGaN层...

本申请提供了一种芯片结构及其制作与测试方法，涉及半导体技术领域。该芯片结构包括衬底与衬底逐层连接的多个功能层与功能电极；功能电极设置于功能层远离衬底的一侧；其中，多个功能层中的任意一层设置有通孔；该芯片结构还包括检测电极，检测电极安装于...

本申请提供了一种生物传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先基于一衬底制作生物传感器的本体结构，其中，所述本体结构包括栅电极层，然后沿所述栅电极层外延生长过渡层，并对所述过渡层进行刻蚀，以在所述过渡层的表面形成多个凸起，最后沿所述过...

本发明提供了一种匀光模组和匀光灯具，涉及照明技术领域，匀光模组包括保护外壳、发光芯片、基板、导光模块和透镜组件，保护外壳用于设置在底座上，基板、发光芯片、导光模块以及透镜组件均设置在保护外壳内，发光芯片贴附在基板上，导光模块设置在发光芯...

本申请提供了一种生物电子芯片及其制作方法，涉及生物检测技术领域。首先基于衬底的一侧制作包含栅电极层的芯片本体，然后基于栅电极层远离衬底的一侧制作缓冲层，再基于缓冲层远离衬底的一侧制作偶联分子层；其中，偶联分子层包括第一酶联分子，最后沿偶...

本申请提供了一种直流发光器件，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的直流发光器件，各个发光单元形成电子传输岛状结构，各个电子传输岛状结构之间具有足够的距离，相互之间是分隔的。形成各个发光单元由于不需要使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，有...

本申请提供的栅极结构和栅极结构制作方法，涉及微电子器件技术领域。其中，栅极结构包括沟道层、势垒层、高阻帽层、P型帽层和栅电极层。势垒层制作于沟道层的一面，高阻帽层制作于势垒层远离沟道层的一面，栅电极层制作于高阻帽层远离P型帽层的一面。沟...

一种栅极结构、栅极结构的制造方法和增强型半导体器件，涉及半导体技术领域，该栅极结构包括：沟道层、设置在所述沟道层上的势垒层、设置在所述势垒层上的帽层以及设置在所述帽层上的栅电极层，其中，所述帽层具有与所述势垒层相反的晶体极化取向。利用与...

本发明提供了一种紫外LED芯片的制作方法，涉及半导体发光器件领域。此方法采用先定义出紫外LED芯片结构的n型AlGaN欧姆接触区域，生长阻挡层覆盖其它区域，n型AlGaN欧姆接触区域上MOCVD生长薄层n‑GaN/n‑InGaN作为n型...

本发明提供了一种钙钛矿LED器件结构及其制备方法，涉及半导体发光器件技术领域。钙钛矿LED器件结构的制备方法包括：在衬底上的阳极电极上依次沉积空穴注入层以及空穴传输层；在所述空穴传输层上沉积钙钛矿发光层，其中，所述钙钛矿发光层包括卤化铅...

本申请涉及一种纳米晶LED器件和发光器件的制作方法，涉及LED显示技术领域，该纳米晶LED器件包括LED芯片以及设置在所述LED芯片上的光转换层；其中，所述光转换层包含具有单一宽发射波长的纳米晶。本发明实施例提供的纳米晶LED器件，采用...

本实用新型提供了一种LED透镜与照明装置，涉及LED技术领域。该LED透镜包括容置腔、全反射面以及出光面，容置腔设置于全反射面的一端，出光面设置于全反射面的另一端，出光面设置为沿全反射面凹陷的弧形凸面，容置腔用于安装一LED光源，且容置...

本实用新型提供一种LED光热理疗护颈带，涉及理疗产品技术领域。LED光热理疗护颈带包括护颈带本体、至少一个LED灯板以及电源接口，每个LED灯板均与电源接口电连接，每个LED灯板均包括至少两种波段的LED灯珠，每个LED灯板均安装于护颈...

本实用新型提供一种微型发光器件及微型发光阵列，通过在微型发光区域形成平面化的结构，以利于形成尺寸很小的器件，同时利于多个器件间的互联形成复杂的阵列，使激活层不会对器件造成损伤，进而提高器件的发光效率。详细地，本申请实施例提供微型发光器件...

本实用新型提供了一种半导体发光器件及其制作方法，所述半导体发光器件的发光单元是基于氮化物成核层选区生长得到，相邻的发光单元之间相互分隔，不需要再使用刻蚀或切割等工艺分割发光单元，简化了制作工艺流程，并且抑制了刻蚀或切割器件表面形成的非辐...

本实用新型提供了一种微型LED器件及微型LED阵列，涉及半导体发光器件技术领域。具体地，通过离子注入破坏被注入区域的晶格结构和电学性能，形成两个高电阻区，该区域具有较高的电阻，以限定LED的发光主要发生在未被离子注入的区域。本实用新型保...

本申请涉及一种补色LED器件和补色LED器件的制备方法，涉及LED技术领域，该补色LED器件包括LED芯片和设置在LED芯片上的光转换层。其中，光转换层包含相互混合的纳米晶和补色剂。将补色剂与纳米晶相混合后涂覆在在LED芯片上形成光转换...