包覆式LED器件制造技术

本申请涉及一种包覆式LED器件，涉及LED技术领域，该包覆式LED器件包括LED芯片和设置在LED芯片上的光转换层，其中光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且纳米晶包裹在聚合物中。通过将纳米晶与聚合物混合，纳米晶均匀分散在聚合物中，并被聚合物包裹，隔绝水氧。然后将聚合物包裹的纳米晶涂覆在涂有绝热隔层的LED芯片上面作为LED光转换材料，结合LED芯片形成白光照明或者显示背光等。相较于现有技术，本申请提供的包覆式LED器件，通过聚合物隔绝水氧，能够防止水分或者氧气与纳米晶颗粒相接触，避免了水氧对纳米晶颗粒造成影响，保证了纳米晶的发光效率，进而提高了白光器件的环境稳定性。

Cladding LED device

【技术实现步骤摘要】
包覆式LED器件
本申请涉及LED
，具体而言，涉及一种包覆式LED器件。
技术介绍
采用荧光发光峰在380～780nm之间的纳米晶(以下简称纳米晶)作为LED上的光转换材料制备的白光器件具有处理温度低，结构简单，成本低廉的特性，但是纳米晶表面有不同的缺陷，遇到水氧会影响其发光效率，从而影响白光器件的环境稳定性。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种包覆式LED器件，该包覆式LED器件能够隔绝水氧，保证其发光效率，进而提高白光器件的环境稳定性。为了实现上述目的，本申请是采用以下技术方案实现的。本技术实施例提供一种包覆式LED器件，包括：LED芯片；设置在所述LED芯片上的光转换层；其中，所述光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且所述纳米晶包裹在所述聚合物中。在可选的实施方式中，所述光转换层与所述LED芯片之间还设置有绝热隔层，以隔离所述LED芯片和所述光转换层。在可选的实施方式中，所述绝热隔层包括涂覆在所述LED芯片上的绝缘聚合物。在可选的实施方式中，所述光转换层与所述LED芯片之间还设置有散热层，以对所述LED芯片进行散热。在可选的实施方式中，所述散热层包括涂覆在所述LED芯片上的导电聚合物。在可选的实施方式中，所述纳米晶为氧化锌纳米晶。在可选的实施方式中，所述LED芯片的发光峰小于或者等于360nm。在可选的实施方式中，所述光转换层的厚度在0.01mm-2mm之间。在可选的实施方式中，所述包覆式LED器件还包括设置在所述光转换层上的紫外光过滤层。在可选的实施方式中，所述紫外光过滤层为滤光片，所述滤光片粘接在所述光转换层远离所述LED芯片的一侧。通过上述技术方案，本申请提供的包覆式LED器件，通过将纳米晶与聚合物混合，纳米晶均匀分散在聚合物中，并被聚合物包裹，隔绝水氧。然后将聚合物包裹的纳米晶涂覆在涂有绝热隔层的LED芯片上面作为LED光转换材料，结合LED芯片形成白光照明或者显示背光等。相较于现有技术，本申请提供的包覆式LED器件，通过聚合物隔绝水氧，能够防止水分或者氧气与纳米晶颗粒相接触，避免了水氧对纳米晶颗粒造成影响，保证了纳米晶的发光效率，进而提高了白光器件的环境稳定性。本申请的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1为本申请第一实施例提供的包覆式LED器件的结构示意图；图2为本申请第三实施例提供的包覆式LED器件的结构示意图；图3为本申请第四实施例提供的LED器件的制备方法的步骤框图；图4为本申请第五实施例提供的LED器件的制备方法的步骤框图。图标：100-包覆式LED器件；110-LED芯片；130-光转换层；150-绝热隔层/散热层；170-紫外光过滤层。具体实施方式为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。在本申请的描述中，需要说明的是，术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。第一实施例参见图1，本技术实施例提供了一种包覆式LED器件100，该包覆式LED器件100能够隔绝水氧，保证其发光效率，进而提高白光器件的环境稳定性。本实施例提供的包覆式LED器件100，包括LED芯片110和设置在LED芯片110上的光转换层130，其中，光转换层130包含相互混合的纳米晶和聚合物，且纳米晶包裹在聚合物中。具体地，光转换层130由均匀混合后的纳米晶和聚合物涂覆在LED芯片110的表面固化后形成，其厚度在0.01mm-1mm之间，优选为0.1mm。在本实施例中，LED芯片110为蓝光LED芯片110，其发光效率高，且光转换层130设置在LED芯片110的发光侧，通过光转换层130转换后形成白光，从而使得整个器件用在背板显示或者照明领域。同时LED芯片110封装设置在一支架上，并在支架外围填充有环氧树脂或丙烯酸树脂，优选为丙烯酸树脂。支架上还设置有散热座，LED芯片110通过导电且导热的结合材料被耦合在散热座上，通过散热座进行散热，其中导电且导热的接合材料例如是焊料、粘合剂、涂层、膜、密封剂、浆糊、油脂和/或其它合适的材料。需要说明的是，本实施例中纳米晶与聚合物按照一定比例进行混合，其中聚合物的占比应大于等于纳米晶的占比，经过充分混合后，能够保证纳米晶颗粒均包覆在聚合物中。本实施例中所提及的纳米晶，指的是利用纳米尺寸结晶体(nanocrystal)的半导体材料，优选地，本实施例中采用氧化锌纳米晶(ZnO)和聚合物的混合物作为光转换材料，涂覆在LED芯片110上。其中氧化锌纳米晶(ZnO)的尺寸在5nm-15nm之间，优选为7nm。在本实施例中，氧化锌纳米晶(ZnO)以二水合醋酸锌和氢氧化钾的甲醇溶液为前驱体，采用低温溶胶-凝胶法制备，再将制备好的氧化锌纳米晶(ZnO)与聚合物均匀混合，再将混合后的混合粒子涂覆在LED芯片110上固化后形成光转换层130。且氧化锌纳米晶(ZnO)的荧光发光峰在380nm-780nm之间，优选地，本实施例中氧化锌纳米晶(ZnO)的发光峰为600nm。在本实施例中，聚合物为聚苯乙烯、聚偏氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯酸、或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种或至少两种的组合，优选聚丙烯酸。具体地，聚合物与氧化锌纳米晶(ZnO)的混合过程如下：采用低温溶胶-凝胶法制备好氧化锌纳米晶(ZnO)后，同时将甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸羟乙酯(麦克林化学)、甲基丙烯酸缩水甘油酯搅拌混匀，加入偶氮二异丁腈加入上述混合物中，搅拌使之溶解，将二氧六环加入上述混合物，搅拌混匀。加入到75℃，搅拌下，反应直到聚合物粘度达标降温停止反应。将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种包覆式LED器件，其特征在于，包括：/nLED芯片；/n设置在所述LED芯片上的光转换层；/n其中，所述光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且所述纳米晶包裹在所述聚合物中。/n

【技术特征摘要】
1.一种包覆式LED器件，其特征在于，包括：
LED芯片；
设置在所述LED芯片上的光转换层；
其中，所述光转换层包含相互混合的纳米晶和聚合物，且所述纳米晶包裹在所述聚合物中。


2.根据权利要求1所述的包覆式LED器件，其特征在于，所述光转换层与所述LED芯片之间还设置有绝热隔层，以隔离所述LED芯片和所述光转换层。


3.根据权利要求2所述的包覆式LED器件，其特征在于，所述绝热隔层包括涂覆在所述LED芯片上的绝缘聚合物。


4.根据权利要求1所述的包覆式LED器件，其特征在于，所述光转换层与所述LED芯片之间还设置有散热层，以对所述LED芯片进行散热。


5.根据权利要求4所述的包覆式LED器件，其特征在于，所述散热层包括涂覆在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建太，龚政，陈志涛，龚岩芬，潘章旭，郭婵，刘久澄，卢翰伦，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：新型
国别省市：广东;44