【技术实现步骤摘要】
一种宽带近红外LED器件
本专利技术涉及一种近红外光源,特别涉及一种宽带近红外LED器件。
技术介绍
近红外线是一种介于可见光和中红外线之间的电磁波。它具有无损伤和深穿透的特性。因此,近红外线被广泛应用于生物医学成像、肿瘤组织诊断、健康实时监测、食品成分分析和虹膜识别等诸多领域。然而,目前的近红外光源却十分有限,尤其是缺少具有宽带近红外发光特性的光源。在当前主流的近红外光源中,钨卤素灯可以提供覆盖可见到红外范围的超宽带光谱,但是其寿命短,效率低,发热高;超连续谱固体激光器具有覆盖400nm到2400nm范围的优异光谱特性,然而其能耗高,造价相对昂贵且占用空间不便于携带;近红外LED芯片具有诸多优点,包括体积小、响应快、效率高、能耗低和易携带等特性,可是其光谱带宽极窄,通常不超过50nm。因此,在当今社会的生产和生活中,人们迫切需要一种具有宽带、光谱稳定、能耗低、寿命长和易携带等特性的新型近红外光源。
技术实现思路
为了解决现有技术中的不足,本专利技术的目的是提供一种宽带近红外LED器件。本专利技术 ...
【技术保护点】
1.一种宽带近红外LED器件,其特征在于,包括铋掺杂玻璃、LED芯片和聚光罩,铋掺杂玻璃和聚光罩组成一个密封的腔体,LED芯片位于腔体底部,铋掺杂玻璃位于LED芯片上方,和LED芯片相对,构成腔体顶部,聚光罩构成腔体壁;所述聚光罩用于聚光,所述LED芯片为近紫外到蓝光波段的LED芯片;所述LED器件还包括和LED芯片相连接的散热结构。/n
【技术特征摘要】
1.一种宽带近红外LED器件,其特征在于,包括铋掺杂玻璃、LED芯片和聚光罩,铋掺杂玻璃和聚光罩组成一个密封的腔体,LED芯片位于腔体底部,铋掺杂玻璃位于LED芯片上方,和LED芯片相对,构成腔体顶部,聚光罩构成腔体壁;所述聚光罩用于聚光,所述LED芯片为近紫外到蓝光波段的LED芯片;所述LED器件还包括和LED芯片相连接的散热结构。
2.根据权利要求1所述的宽带近红外LED器件,其特征在于,所述散热结构为散热片,位于LED芯片下表面。
3.根据权利要求1所述的宽带近红外LED器件,其特征在于,所述铋掺杂玻璃包括硅酸盐铋掺杂玻璃、锗酸盐铋掺杂玻璃、磷酸盐铋掺杂玻璃、硅酸盐铋掺杂玻璃和硼酸盐铋掺杂玻璃中的一种以上。
4.根据权利要求1所述的宽带近红外LED器件,其特征在于,铋掺杂玻璃中铋掺杂的浓度为0...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭明营,肖建华,王亚飞,
申请(专利权)人:华南理工大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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