一种芯片结构制造技术

技术编号:23311761 阅读:34 留言:0更新日期:2020-02-11 16:58
本申请提出了一种芯片结构,涉及半导体领域。该芯片结构包括发光层,其中,发光层的一侧设置有P电极层与N电极层,以及位于发光层一侧的封装层,其中,封装层设置有多个通孔,每个通孔连通至P电极层或N电极层,且每个通孔内均填充有散热导电介质,散热导电介质与P电极层或N电极层连接。本申请提供的芯片结构具有散热能力更好,热阻更低的效果。

A chip structure

【技术实现步骤摘要】
一种芯片结构
本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种芯片结构。
技术介绍
紫外LED光源具有体积小、无毒环保、寿命长、电压低等优点,在水质净化、医疗器械、全彩显示、光学存储,气体传感等各个领域有着广泛且重要的应用前景,成为固态半导体领域研究热点。然而,目前的紫外LED普遍存在芯片散热能力不好的问题。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种芯片结构,以解决现有技术中紫外LED芯片散热能力不好的问题。为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:本技术实施例提供了一种芯片结构,所述芯片结构包括:发光层,其中,所述发光层的一侧设置有P电极层与N电极层;位于所述发光层一侧的封装层,其中,所述封装层设置有多个通孔,每个所述通孔连通至所述P电极层或N电极层,且每个所述通孔内均填充有散热导电介质,所述散热导电介质与所述P电极层或N电极层连接。进一步地,所述芯片结构包括引脚焊盘,所述引脚焊盘位于所述封装层远离所述发光层的一侧,每个所述引脚焊盘与多个所述通孔内填充的散热导电介质连接。进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括:/n发光层,其中,所述发光层的一侧设置有P电极层与N电极层;/n位于所述发光层一侧的封装层,其中,所述封装层设置有多个通孔,每个所述通孔连通至所述P电极层或N电极层,且每个所述通孔内均填充有散热导电介质,所述散热导电介质与所述P电极层或N电极层连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括:
发光层,其中,所述发光层的一侧设置有P电极层与N电极层;
位于所述发光层一侧的封装层,其中,所述封装层设置有多个通孔,每个所述通孔连通至所述P电极层或N电极层,且每个所述通孔内均填充有散热导电介质,所述散热导电介质与所述P电极层或N电极层连接。


2.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构包括引脚焊盘,所述引脚焊盘位于所述封装层远离所述发光层的一侧,每个所述引脚焊盘与多个所述通孔内填充的散热导电介质连接。


3.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括钝化层、光学材料层以及粘合层;
所述钝化层位于所述发光层远离所述封装层的一侧;
所述光学材料层位于所述钝化层远离所述发光层的一侧,且所述钝化层与所述光学材料层通过所述粘合层连接。


4.如权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述发光层还包括N型氮化物层、多量子阱层以及P型层,所述N型氮化物层、所述多量子阱层以及所述P型层依次连接,且所述P电极层与所述P型层连接,所述N电极层与所述N型氮化物层连接。


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【专利技术属性】
技术研发人员:李祈昕燕英强曾昭烩胡川刘晓燕陈志涛
申请(专利权)人:广东省半导体产业技术研究院
类型:新型
国别省市:广东;44

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