紫外LED的外延结构制造技术

本发明专利技术提供了一种紫外LED的外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由In

Epitaxial structure of UV LED

The invention provides an epitaxial structure of an ultraviolet LED, which comprises: a stress control layer, an n-type current expansion layer, an active area light-emitting layer and a p-type current expansion layer successively growing on the growing substrate surface, wherein the active area light-emitting layer is in

【技术实现步骤摘要】
紫外LED的外延结构
本专利技术涉及LED
，尤其是一种紫外LED的外延结构。
技术介绍
在生长短波长365nm-370nm范围的紫外LED结构时，为了减少外延层内部的光子吸收，通常使用N型的AlGaN替代GaN作为电流扩展层；同时，采用高Al组分的AlGaN作为势垒层把载流子限制在多量子阱中进行复合。但是，N型AlGaN电流扩展层和高Al组分的AlGaN势垒层对InGaN量子阱层施加了较大的压应力，产生了诸如界面缺陷等高密度非辐射复合中心的同时，加剧了量子限制stark效应，限制了InGaN量子阱厚度的增加，从而制约了紫外LED光效的提高。
技术实现思路
为了克服以上不足，本专利技术提供了一种紫外LED的外延结构，有效缓解现有紫外LED的外延结构中出现的压应力较大等技术问题。本专利技术提供的技术方案为：一种紫外LED的外延结构，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由InaGa1-aN量子阱层和AlbGa1-bN势垒层形成的周期性结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外LED的外延结构，其特征在于，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由In

【技术特征摘要】
1.一种紫外LED的外延结构，其特征在于，包括：在生长衬底表面依次生长的应力控制层、n型电流扩展层、有源区发光层及p型电流扩展层；其中，有源区发光层为由InaGa1-aN量子阱层和AlbGa1-bN势垒层形成的周期性结构，周期为4～7；
在该周期性结构中，由下到上InaGa1-aN量子阱层的厚度逐层增加15％，0.01<a<0.05，最下层的InaGa1-aN量子阱层的厚度为2～4nm；由下到上...

【专利技术属性】
技术研发人员：付羿，刘卫，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36