基于陶瓷封装的LED器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于陶瓷封装的LED器件，包括：陶瓷基板及形成于陶瓷基板表面的焊盘结构；焊接于焊盘表面的LED芯片；设置于LED芯片与陶瓷基板相对的发光一侧表面的双层膜，其中，双层膜包括相互接触的荧光膜和硅胶膜，且荧光膜与LED芯片发光一侧表面接触；围设于LED芯片及双层膜四周的高反射率白胶，有效解决现有陶瓷封装的LED器件照度低的技术问题，保证封装产品的密封性及出光颜色均匀性的同时进一步收窄发光角度。同时进一步收窄发光角度。同时进一步收窄发光角度。

【技术实现步骤摘要】
基于陶瓷封装的LED器件


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是一种基于陶瓷封装的LED器件。

技术介绍

[0002]由于LED器件具有能耗低、寿命长等优点，已经广泛应用于通用照明领域。而LED器件体积小、发光密度高等特点，使得其在特殊照明领域具备独特的优势，例如对于智能手机的拍照补光，LED器件是最佳的选择。
[0003]目前，应用于智能手机拍照补光的陶瓷封装LED器件普遍采用3种封装方式，且多采用5面发光的倒装LED芯片。其中，第一种封装方式如图1所示，封装过程中先将LED芯片2焊接于陶瓷基板1表面，之后在LED芯片2发光一侧表面喷涂荧光粉或者贴荧光胶层3，最后使用硅胶进行压膜形成压膜层4；第二种封装方式如图2所示，封装过程中先将LED芯片2焊接于陶瓷基板1表面，之后在LED芯片2发光一侧表面喷涂荧光粉或者贴荧光胶层3，并在LED芯片和荧光粉或者荧光胶层四周围设高反射率白胶5，最后使用硅胶进行压膜形成压膜层4；第三种封装方式如图3所示，封装过程中先将LED芯片2焊接于陶瓷基板1表面，之后在LED芯片2发光一侧表面喷涂荧光粉或者贴荧光胶层3，最后在LED芯片和荧光粉或者荧光胶层四周围设高反射率白胶5。
[0004]对于封装后的产品，采用第一种封装方式得到的LED器件发光角度一般在140
°
左右，第二种和第三种封装方式发光角度在120
°
左右。发光角度较大，会导致中心照度不够。且第三种封装方式中，因为白胶裸露在外，生产过程中出现异物不良、边角破损不良的概率较高，同时荧光胶层上方无压模层和扩散剂，会导致LED器件的发光颜色均匀性较差。另外，支架类产品因为有碗杯的存在，发光角度一般在115
°
左右。与之相比，陶瓷封装的LED器件经常出现虽然光通量高于支架类产品，但照度却更低的问题。

技术实现思路

[0005]为了克服以上不足，本技术提供了一种基于陶瓷封装的LED器件，有效解决现有陶瓷封装的LED器件照度低的技术问题。
[0006]本技术提供的技术方案为：
[0007]一种基于陶瓷封装的LED器件，包括：
[0008]陶瓷基板及形成于所述陶瓷基板表面的焊盘结构；
[0009]焊接于焊盘表面的LED芯片；
[0010]设置于所述LED芯片与陶瓷基板相对的发光一侧表面的双层膜，其中，所述双层膜包括相互接触的荧光膜和硅胶膜，且所述荧光膜与LED芯片发光一侧表面接触；及
[0011]围设于所述LED芯片及双层膜四周的高反射率白胶。
[0012]进一步优选地，所述LED器件还包括压于所述双层膜及高反射率白胶表面的硅胶层。
[0013]进一步优选地，所述高反射率白胶的上表面与上层膜的上表面齐平。
[0014]进一步优选地，所述双层膜中，硅胶膜的厚度大于荧光膜的厚度。
[0015]进一步优选地，所述双层膜的总厚度在200μm以上，其中，荧光膜的厚度在30
‑
80nm之间。
[0016]进一步优选地，所述硅胶层中均匀掺杂有光扩散剂。
[0017]在本技术提供的基于陶瓷封装的LED器件中，在对LED芯片进行陶瓷封装之前，先制备双层膜，然后将双层膜贴于LED芯片发光一侧表面，进一步在LED芯片及双层膜四周围设高反射率白胶，并使得高反射率白胶的上表面与上层膜的上表面齐平，收窄封装产品出光角度(可通过调节双层膜中硅胶膜的厚度将发光角度收窄至115
°
左右甚至更小)的同时最大化提升LED器件内部的反射率，从而提高器件的出光效率。另外，在双层膜及高反射率白胶表面压制掺杂有光扩散剂的硅胶层，保证封装产品的密封性及出光颜色的均匀性的同时进一步收窄发光角度。同时，硅胶层能够对高反射率白胶进行保护，解决白胶表面粘粘异物和边角破损等不良。
附图说明
[0018]图1为现有LED器件第一种封装形式结构示意图；
[0019]图2为现有LED器件第二种封装形式结构示意图；
[0020]图3为现有LED器件第三种封装形式结构示意图；
[0021]图4为本技术中基于陶瓷封装的LED器件一种实施例剖面结构示意图；
[0022]图5为本技术中基于陶瓷封装的LED器件另一种实施例剖面结构示意图；
[0023]图6为本技术一实例中倒装LED芯片焊接于陶瓷基板表面结构示意图；
[0024]图7为本技术如图6所示实例中将双层膜覆盖于LED芯片发光侧表面结构示意图；
[0025]图8为本技术如图6和图7所示实例中在芯片四周填充高反射率白胶结构示意图；
[0026]图9为本技术如图6、图7和图8所示实例中在白胶和双层膜表面压硅胶层结构示意图。
[0027]附图标记：
[0028]1‑
陶瓷基板，2
‑
LED芯片，31
‑
荧光膜，32
‑
硅胶膜，4
‑
压膜层，5
‑
白胶，6
‑
硅胶层。
具体实施方式
[0029]为了更清楚地说明本技术实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
[0030]本技术的一种实施例，一种基于陶瓷封装的LED器件，如图4所示，包括：陶瓷基板1及形成于陶瓷基板1表面的焊盘结构；焊接于焊盘表面的LED芯片2；设置于LED芯片2与陶瓷基板1相对的发光一侧表面的双层膜，其中，双层膜包括相互接触的荧光膜31和硅胶膜32，且荧光膜31与LED芯片2发光侧表面接触；围设于LED芯片2及双层膜四周的高反射率白胶5。
[0031]本技术的另一种实施例，如图5所示，该基于陶瓷封装的LED器件包括：陶瓷基板1及形成于陶瓷基板1表面的焊盘结构；焊接于焊盘表面的LED芯片2；设置于LED芯片2与陶瓷基板1相对的发光一侧表面的双层膜，其中，双层膜包括相互接触的荧光膜31和硅胶膜32，且荧光膜31与LED芯片2发光侧表面接触；围设于LED芯片2及双层膜四周的高反射率白胶5；及压于双层膜及高反射率白胶5表面的硅胶层6。
[0032]在上述实施例中，LED芯片2多采用倒装LED芯片，封装之前在陶瓷基板1表面形成包括N极和P极的焊盘结构即可。在实际应用中，也可以采用其他结构的LED芯片，形成相应的电极结构进行焊接即可。另外，在封装之前对双膜层进行制备，将透明的硅胶膜涂覆于荧光膜表面制备得到包括一层荧光膜和一层硅胶膜的双膜层，其中，硅胶膜的厚度大于荧光膜的厚度，且在保证双层膜总厚度和LED器件出光的前提下，荧光膜尽量薄，硅胶膜尽量厚。在实际应用中，为了减少封装产品的发光角度，将双层膜的总厚度限定为200μm以上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于陶瓷封装的LED器件，其特征在于，包括：陶瓷基板及形成于所述陶瓷基板表面的焊盘结构；焊接于焊盘表面的LED芯片；设置于所述LED芯片与陶瓷基板相对的发光一侧表面的双层膜，其中，所述双层膜包括相互接触的荧光膜和硅胶膜，且所述荧光膜与LED芯片发光一侧表面接触；及围设于所述LED芯片及双层膜四周的高反射率白胶。2.如权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述LED器件还包括压于所述双层膜及高反射率白胶表面的硅胶层。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：封波，李玲，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：新型
国别省市：