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本申请提出了一种芯片结构，涉及半导体领域。该芯片结构包括发光层，其中，发光层的一侧设置有P电极层与N电极层，以及位于发光层一侧的封装层，其中，封装层设置有多个通孔，每个通孔连通至P电极层或N电极层，且每个通孔内均填充有散热导电介质，散热导电...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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