发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列，属于半导体技术领域。方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底；在每个第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将第二绑定层与第一绑定层绑定在一起；去除衬底；在每个第一发光单元上设置反射电极；将转移基板平行设置在电路控制板的上方；将激光从转移基板垂直射向各个第一发光单元，牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将第一发光单元与转移基板分离，第一发光单元落在电路控制板用于设置第一发光单元的区域上。本发明专利技术解决了激光无法将红黄光LED芯片从衬底转移到电路控制板的问题。

Transfer Method, Transfer Substrate and Light Emitting Diode Array of Light Emitting Diode Chip

The invention discloses a transfer method of a light-emitting diode chip, a transfer substrate and a light-emitting diode array, belonging to the field of semiconductor technology. The method includes: providing a substrate with multiple first light-emitting units at intervals; forming a first binding layer on each first light-emitting unit; providing a transfer substrate, which comprises a transparent substrate, a sacrificial layer and a second binding layer in turn; binding the second binding layer to the first binding layer; removing the substrate; and setting a reflection electrode on each first light-emitting unit; The transfer substrate is arranged parallel to the top of the circuit control board; the laser is emitted vertically from the transfer substrate to each first light-emitting unit, the energy decomposition is absorbed by the region through which the laser passes in the sacrificial layer, the first light-emitting unit is separated from the transfer substrate, and the first light-emitting unit falls on the area where the circuit control board is used to set up the first light-emitting unit. The invention solves the problem that the laser can not transfer the red and yellow LED chip from the substrate to the circuit control board.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列。
技术介绍
发光二极管(英文：LightEmittingDiode，简称：LED)是一种可以把电能转化为光能的半导体二极管。芯片是LED的核心组件，广泛应用在户内和户外的显示屏上。随着显示质量和显示需求的提高，显示面积和显示密度不断增大，应用在显示屏上的LED芯片的数量也不断增加。在实际应用中，通常先在衬底上形成若干相互独立的芯片；然后将芯片朝向电路控制板设置；最后将激光从衬底垂直射向电路控制板上设置芯片的位置，激光作用在衬底和芯片的交界面上，交界面的材料吸收激光能量并分解，芯片与衬底分离，落在控制电路板上设置芯片的位置。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：对于蓝绿光LED芯片来说，衬底一般采用透明的蓝宝石，激光可以透过衬底到达衬底和芯片的交界面上，实现芯片与衬底的分离。但是对于红黄光LED芯片来说，衬底一般采用吸光的砷化镓(GaAs)，砷化镓的能带宽度较窄，可以吸收大部分激光能量，导致激光无法穿透衬底到达衬底和芯片的交界面，因此无法实现红黄光LED芯片从衬底到电路控制板的转移。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片的转移方法、转移基板及发光二极管阵列，能够解决现有技术激光无法将红黄光LED芯片从衬底转移到电路控制板的问题。所述技术方案如下：一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片的转移方法，所述转移方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底，每个所述第一发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；在每个所述第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起；去除所述衬底；在每个所述第一发光单元上设置反射电极；将所述转移基板平行设置在电路控制板的上方，所述多个第一发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准；将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。可选地，所述将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起，包括：通过热压的方式将所述第二绑定层与所述第一绑定层粘结在一起。可选地，所述转移方法还包括：将所述转移基板相对所述电路控制板平移，至少一个未与所述转移基板分离的第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元且未设置所述第一发光单元的区域对准；将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。可选地，所述转移方法还包括：将与所述第一发光单元绑定的转移基板从所述电路控制板的上方移开；提供一间隔设置多个第二发光单元的衬底，每个所述第二发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型发光单元，所述第二发光单元中有源层发出光线的颜色与所述第一发光单元中有源层发出光线的颜色不同；在每个所述第二发光单元上形成第一绑定层；将一未与发光单元绑定的转移基板的第二绑定层与所述第一发光单元上的第一绑定层绑定在一起；去除所述第二发光单元上的衬底；在每个所述第二发光单元上设置反射电极；将与所述第二发光单元绑定的转移基板平行设置在所述电路控制板的上方，所述多个第二发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第二发光单元与所述电路控制板用于设置所述第二发光单元的区域对准；将激光从与所述第二发光单元绑定的转移基板垂直射向所述电路控制板用于设置所述第二发光单元的区域对准的各个第二发光单元，与所述第二发光单元绑定的转移基板的牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第二发光单元与所述转移基板分离，所述第二发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第二发光单元的区域上。另一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管芯片的转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和绑定层；所述透明基板用于供激光透过，并起到支撑作用；所述绑定层用于将发光单元绑定在所述透明基板上；所述牺牲层用于吸收从所述透明基板透过的激光的能量分解，将所述发光单元与所述透明基板分离。可选地，所述透明基板为蓝宝石衬底或者玻璃基板。可选地，所述牺牲层的材料采用氮化镓或者氮化铝。可选地，所述牺牲层的厚度为1nm～50nm。可选地，所述绑定层的材料采用二氧化硅。又一方面，本专利技术实施例提供了一种发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括多个发光单元和转移基板，所述多个发光单元间隔设置在所述转移基板上，每个所述发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层和第一绑定层，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层，所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起。本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果是：通过将衬底上形成的发光单元绑定到设有牺牲层的透明基板上，去除衬底，设置反射电极，当发光单元与控制电路板上设置发光单元的区域对准时，即可透过透明基板将激光作用在牺牲层上，使牺牲层吸收激光的能量分解，发光单元与转移基板分离，落在电路控制板设置发光单元的区域上，完成芯片从衬底到电路控制板的转移。由于激光分离之前，已经将发光单元从衬底转移到透明基板上，透明基板不存在激光无法穿透的问题，因此可以摆脱衬底的限制，实现所有颜色的芯片转移，解决了激光无法将红黄光LED芯片从衬底转移到电路控制板的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例提供的一种发光二极管芯片的转移方法的结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的设有发光单元的衬底的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤102执行之后第一发光单元的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的转移基板的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤104执行之后形成的半导体器件的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤105执行之后形成的半导体器件的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤106执行之后形成的半导体器件的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤107执行之后形成的半导体器件的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤108执行之后形成的半导体器件的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤109之后形成的半导体器件的结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤110执行之后形成的半导体器件的结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的转移方法在步骤201执行之后形成的半导体器件的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底，每个所述第一发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；在每个所述第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起；去除所述衬底；在每个所述第一发光单元上设置反射电极；将所述转移基板平行设置在电路控制板的上方，所述多个第一发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准；将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：提供一间隔设置多个第一发光单元的衬底，每个所述第一发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型半导体层；在每个所述第一发光单元上形成第一绑定层；提供一转移基板，所述转移基板包括依次层叠的透明基板、牺牲层和第二绑定层；将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起；去除所述衬底；在每个所述第一发光单元上设置反射电极；将所述转移基板平行设置在电路控制板的上方，所述多个第一发光单元朝向所述电路控制板，且至少一个所述第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准；将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。2.根据权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述将所述第二绑定层与所述第一绑定层绑定在一起，包括：通过热压的方式将所述第二绑定层与所述第一绑定层粘结在一起。3.根据权利要求1或2所述的转移方法，其特征在于，所述转移方法还包括：将所述转移基板相对所述电路控制板平移，至少一个未与所述转移基板分离的第一发光单元与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元且未设置所述第一发光单元的区域对准；将激光从所述转移基板垂直射向与所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域对准的各个第一发光单元，所述牺牲层中激光经过的区域吸收激光的能量分解，将所述第一发光单元与所述转移基板分离，所述第一发光单元落在所述电路控制板用于设置所述第一发光单元的区域上。4.根据权利要求1或2所述的转移方法，其特征在于，所述转移方法还包括：将与所述第一发光单元绑定的转移基板从所述电路控制板的上方移开；提供一间隔设置多个第二发光单元的衬底，每个所述第二发光单元包括依次层叠的第一型半导体层、有源层和第二型发光单元，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈亮，马非凡，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33