一种发光二极管芯片制造技术

本实用新型专利技术公开一种发光二极管芯片，包括基板，基板上分布有相互隔离的多个发光二极管单元；每个发光二极管单元上分布有第一型和第二型延伸电极；一透明绝缘层覆盖多个发光二极管单元；透明绝缘层中设有多个穿过透明绝缘层的导电通道，每个发光二极管单元的第一型与第二型延伸电极分别通过导电通道连通透明绝缘层上端面；透明绝缘层上设有第一型电极、第二型电极和多个电极连接层；第一型电极和第二型电极分别通过导电通道电连接不同发光二极管单元上的第一型延伸电极和第二型延伸电极，不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极通过导电通道和电极连接层电连接；本实用新型专利技术各发光二极管单元之间可实现灵活的电性连接，且电流分布均匀。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及发光二极管芯片制造领域，尤其是一种由多个发光二极管单元集成的发光二极管芯片。
技术介绍
集成式发光二极管芯片是把多个发光二极管单元集成在一个基板上，然后各个发光二极管单元之间形成电学连接，最终组合成一个发光芯片与外部电源连接发光。附图1所示是一种现有集成发光二极管芯片剖视结构图，其各个发光二极管单元20集成在一个基板1a上，发光二极管单元20之间采用跨接电极层30形成电学连接，跨接电极层30下方及发光二极管单元20之间具有绝缘层60，头尾的发光二极管单元分别设有第二型电极100b及第一型电极100a。这种集成芯片存在以下问题，一是采用这种跨接的方式局限了电极线路的布局，难于实现复杂的混合连接；二是绝缘层及发光二极管单元之间存在高低落差，跨接电极层30存在断裂风险，降低集成芯片的可靠性；三是在各发光二极管单元20内电流分布未能达到较佳水平。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种由多个发光二极管单元集成的发光二极管芯片，芯片内各发光二极管单元之间可以实现灵活的电性连接，并使芯片内每个发光二极管单元有更加均匀的电流分布。为达到上述目的，本技术的技术方案是：一种发光二极管芯片，包括基板，在该基板之一表面上分布有多个发光二极管单元，相邻发光二极管单元之间具有隔离区使该发光二极管单元相互分离；每个发光二极管单元上分布有第一型延伸电极和第二型延伸电极；一透明绝缘层覆盖该多个发光二极管单元；多个导电通道分布于该透明绝缘层中且穿过该透明绝缘层，每个发光二极管单元的该第一型延伸电极与该第二型延伸电极分别通过至少一个导电通道连通该透明绝缘层的上端面；该透明绝缘层上设有第一型电极、第二型电极和多个电极连接层；该第一型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第一型延伸电极；该第二型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第二型延伸电极；各不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极通过该导电通道和该电极连接层电连接，使该多个发光二极管单元形成电连接。优选该多个发光二极管单元通过该导电通道和该电极连接层电连接成串联、并联或串并联关系。进一步，该透明绝缘层还延伸至所有该隔离区并覆盖所有该隔离区。以确保各个发光二极管单元之间形成电学隔离。优选该发光二极管单元包含第一型半导体层、第二型半导体层以及位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的一发光层，该第一型延伸电极位于该第一型半导体层上，该第二型延伸电极位于该第二型半导体层上。进一步，该透明绝缘层上端面相对于该基板之一表面的高度为一致，该透明绝缘层上端面与每个发光二极管单元的最小距离大于10μm。该透明绝缘层上端面保持平坦性，防止制造时各发光二极管单元之间电性连接不良，使器件电学连接更具稳定性，提高良品率；另外使该透明绝缘层上端面与每个发光二极管单元的最小距离大于10μm，拉开第一型电极、第二型电极和多个电极连接层与发光层的距离，提高光线的出光角度，以提高亮度。优选该多个发光二极管单元通过多个该电极连接层和该导电通道电连接形成一交流发光二极管芯片。进一步，每个发光二极管单元上的第一型延伸电极有多个，每个发光二极管单元上的该多个第一型延伸电极利用该导电通道和该电极连接层形成电连接；和/或每个发光二极管单元上的第二型延伸电极有多个，每个发光二极管单元上的该多个第二型延伸电极利用该导电通道和该电极连接层形成电连接。通过设置多个第一型延伸电极和多个第二型延伸电极，可使发光二极管单元内的电流分布更加均匀。进一步，该第一型电极通过该导电通道与不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极同时电连接，该第二型电极通过该导电通道与不同发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极同时电连接。进一步，该透明绝缘层为多层结构。以利于透明绝缘层的制备，特别是方便相邻发光二极管单元之间隔离区的充填，保证透明绝缘层上端面为平坦型。优选该多层结构包括覆盖两两相邻发光二极管单元侧壁之第一透明绝缘层、填满该隔离区之第二透明绝缘层和同时覆盖该第二透明绝缘层与该多个发光二极管单元表面之第三透明绝缘层。进一步优选该第二透明绝缘层为涂布玻璃。附图说明图1是一种现有集成发光二极管芯片剖视结构图；图2是本技术第一种实施例的俯视图；图3是图2的A-A剖视图；图4是图3的B处放大图；图5是本技术第一种实施例隐藏透明绝缘层的立体图；图6是本技术第一种实施例和第二种实施例等效电路图；图7是本技术第二种实施例的俯视图；图8是图7的C-C剖视图；图9是本技术第二种实施例隐藏透明绝缘层的立体图；图10是本技术第三种实施例的俯视图；图11是本技术第三种实施例隐藏透明绝缘层的立体图；图12是本技术第三种实施例等效电路图；图13是本技术第四种实施例的俯视图；图14是本技术第四种实施例隐藏透明绝缘层的立体图；图15是本技术第四种实施例等效电路图。具体实施方式下面结合附图和具体的实施方式对本技术作进一步详细说明。本技术一种发光二极管芯片的第一种实施方式如图2至图6所示，图2是本技术第一种实施例的俯视图，图3是图2 沿A-A剖线的剖视图。发光二极管芯片包括一基板1，在基板1之一表面上分布有四个发光二极管单元2，相邻发光二极管单元2之间具有隔离区3使发光二极管单元2相互分离；具体分布方式可在基板1的上面以外延方式依次生长第一型半导体层（N型半导体层）21、发光层22、第二型半导体层（P型半导体层）23和电流扩展层24，电流扩展层24具有低电阻高传导特性，可视发光二极管单元提高电流扩展性能之需求而设置，基板1系作为成长基板，其材质可包含但不限于砷化镓(GaAs)、锗(germanium, Ge)、磷化铟(indium phosphide, InP)、蓝宝石(sapphire)、碳化硅(silicon carbide, SiC)、硅(silicon)、氧化锂铝(lithium aluminum oxide, LiAlO2)、氧化锌(zinc oxide, ZnO)、氮化镓(gallium nitride, GaN)、氮化铝(aluminum nitride, AlN)。然后通过蚀刻移除部分区域上的第一型半导体层21、发光层22、第二型半导体层23至暴露出基板1，形成隔离区3，以在基板1上集成四个分开排列的发光二极管单元2，，每个发光二极管单元2均包括有第一型半导体层（N型半导体层）21、发光层22、第二型半导体层（P型半导体层）23和电流扩展层24；对于本结构，可视需求增加隔离区3，以形成更多个发光二极管单元2；在每个发光二极管单元2一端面自上而下蚀刻，移除第二型半导体层23及发光层22，使部分第一型半导体层21暴露出来。在每个发光二极管单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片，其特征在于：包括基板，在该基板之一表面上分布有多个发光二极管单元，相邻发光二极管单元之间具有隔离区使该发光二极管单元相互分离；每个发光二极管单元上分布有第一型延伸电极和第二型延伸电极；一透明绝缘层覆盖该多个发光二极管单元；多个导电通道分布于该透明绝缘层中且穿过该透明绝缘层，每个发光二极管单元的该第一型延伸电极与该第二型延伸电极分别通过至少一个导电通道连通该透明绝缘层的上端面；该透明绝缘层上设有第一型电极、第二型电极和多个电极连接层；该第一型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第一型延伸电极；该第二型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第二型延伸电极；各不同该发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极通过该导电通道和该电极连接层电连接，使该多个发光二极管单元形成电连接。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于：
包括基板，在该基板之一表面上分布有多个发光二极管单元，相邻发光二极管单元之间具有隔离区使该发光二极管单元相互分离；
每个发光二极管单元上分布有第一型延伸电极和第二型延伸电极；
一透明绝缘层覆盖该多个发光二极管单元；
多个导电通道分布于该透明绝缘层中且穿过该透明绝缘层，每个发光二极管单元的该第一型延伸电极与该第二型延伸电极分别通过至少一个导电通道连通该透明绝缘层的上端面；
该透明绝缘层上设有第一型电极、第二型电极和多个电极连接层；
该第一型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第一型延伸电极；
该第二型电极通过至少一个该导电通道电连接至少一个发光二极管单元上的一个或多个该第二型延伸电极；
各不同该发光二极管单元上的同型延伸电极或不同型延伸电极通过该导电通道和该电极连接层电连接，使该多个发光二极管单元形成电连接。
2.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该多个发光二极管单元通过该导电通道和该电极连接层电连接成串联、并联或串并联。
3.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该透明绝缘层还延伸至所有该隔离区并覆盖所有该隔离区。
4.根据权利要求1所述的一种发光二极管芯片，其特征在于：该多个发光二极管单元包含第一型半导体层、第二型半导体层以及位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间的一发光层，该第一型延伸电极位于该第一型半导体层上，该第二型延伸电极位于该第二型半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴哲雄，吕瞻暘，曾晓强，刘建科，林聪辉，白梅英，
申请(专利权)人：晶宇光电厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35