一种发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管，包括支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极，所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极，所述的金属屏蔽层内部含有金属反射层，所述的半导体结构层包括P型化合物半导体层、活性层、N型化合物半导体层，所述的石墨烯结构层包括石墨烯层和超颖金属层，所述的第一电极包括电极垫和扩展部分；该发光二极管能够防止由于电极材料吸收而引起光损耗，此外，所用的石墨烯材料具有良好的传输特性，节能环保，经济高效。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及生活用品
，具体为一种发光二极管。
技术介绍
光电子技术的发展越来越快，发光二极管的应用也越来越广泛，尤其是用于照明和光源领域，二极管具有体积小，固体化，寿命长，低功耗，抗干扰等优点是其它显示器件难以比拟的，其品种多，产量大，用途广，遍及千家万户，但是现有的技术难以解决的是如何使灯光效率更好，功耗更加低，抗干扰能力更强，满足现有的节能环保的理念。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种发光二极管，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种发光二极管，包括支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极，所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层、键合金属层、金属屏蔽层、半导体结构层、石墨烯结构层、第一电极，所述的金属屏蔽层内部含有金属反射层，所述的半导体结构层包括P型化合物半导体层、活性层、N型化合物半导体层，所述的石墨烯结构层包括石墨烯层和超颖金属层，所述的第一电极包括电极垫和扩展部分；所述的支撑基板层为绝缘材料，所述的键合金属层是通过共晶键合形成的，所述的石墨烯结构层厚度小于1nm，所述的石墨烯结构层比第一电极更宽，并且完全围绕第一电极，防止第一电极吸收光线，从而进一步提高发光效率，所述的N型化合物半导体层包括氮化镓（GaN）或氮化铝（AlN），所述的超颖金属层由金材料制成，并且为蜂窝状，中间穿插介电材料，所述的超颖金属层具有负折射率，入射光通过超颖金属层的对面散发到外界，所述的电极垫由引线键合形成的，所述的扩展部分使电流均匀分布在一个宽区域中的。优选的，所述的支撑基板层为蓝宝石。优选的，所述的金属屏蔽层由镍材料制成。优选的，所述的金属反射层由银材料制成。优选的，所述的介电材料包括二氧化硅。与现有技术相比，本技术的有益效果是：该发光二极管能够防止由于电极材料吸收而引起光损耗，此外，所用的石墨烯材料具有良好的传输特性，节能环保，经济高效。附图说明图1为本技术的结构示意图；图2为图1A-A处的剖面图；图3为石墨烯层的结构示意图。图中：1、支撑基板层，2、键合金属层，3、金属屏蔽层，4、半导体结构层，5、石墨烯结构层，6、第一电极，7、金属反射层，8、P型化合物半导体层，9、活性层，10、N型化合物半导体层，11、石墨烯层，12、超颖金属层，13、电极垫，14、扩展部分。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1-3，本技术提供一种技术方案：一种发光二极管，包括支撑基板层1、键合金属层2、金属屏蔽层3、半导体结构层4、石墨烯结构层5、第一电极6，一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层1、键合金属层2、金属屏蔽层3、半导体结构层4、石墨烯结构层5、第一电极6，金属屏蔽层3内部含有金属反射层7，半导体结构层4包括P型化合物半导体层8、活性层9、N型化合物半导体层10，石墨烯结构层5包括石墨烯层11和超颖金属层12，第一电极6包括电极垫13和扩展部分14；支撑基板层1为绝缘材料，键合金属层2是通过共晶键合形成的，石墨烯结构层5厚度小于1nm，石墨烯结构层5比第一电极6更宽，并且完全围绕第一电极6，防止第一电极6吸收光线，从而进一步提高发光效率，N型化合物半导体层10包括氮化镓（GaN）或氮化铝（AlN），超颖金属层12由金材料制成，并且为蜂窝状，中间穿插介电材料，超颖金属层12具有负折射率，入射光通过超颖金属层12的对面散发到外界，电极垫13由引线键合形成的，扩展部分14使电流均匀分布在一个宽区域中的。支撑基板层1为蓝宝石，金属屏蔽层3由镍材料制成，金属反射层7由银材料制成，介电材料包括二氧化硅。实施例1：该发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层1、键合金属层2、金属屏蔽层3、半导体结构层4、石墨烯结构层5、第一电极6，其中， 金属屏蔽层3内部含有金属反射层7，半导体结构层4包括P型化合物半导体层8、活性层9、N型化合物半导体层10，石墨烯结构层5包括石墨烯层11和超颖金属层12，第一电极6包括电极垫13和扩展部分14，支撑基板层1为蓝宝石，键合金属层2是通过共晶键合形成的，石墨烯结构层5厚度为0.85nm，石墨烯结构层5比第一电极6更宽，并且完全围绕第一电极6，防止第一电极6吸收光线，从而进一步提高发光效率，N型化合物半导体层10为氮化镓（GaN），金属屏蔽层3由镍材料制成，金属反射层7由银材料制成，超颖金属层12由金材料制成，并且为蜂窝状，中间穿插介电材料，介电材料包括二氧化硅，超颖金属层12具有负折射率，入射光通过超颖金属层12的对面散发到外界，电极垫13由引线键合形成的，扩展部分14使电流均匀分布在一个宽区域中的。将该发光二极管接上电源，更加经济高效，节能环保。实施例2：该发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层1、键合金属层2、金属屏蔽层3、半导体结构层4、石墨烯结构层5、第一电极6，其中， 金属屏蔽层3内部含有金属反射层7，半导体结构层4包括P型化合物半导体层8、活性层9、N型化合物半导体层10，石墨烯结构层5包括石墨烯层11和超颖金属层12，第一电极6包括电极垫13和扩展部分14，支撑基板层1为蓝宝石，键合金属层2是通过共晶键合形成的，石墨烯结构层5厚度为0.9nm，石墨烯结构层5比第一电极6更宽，并且完全围绕第一电极6，防止第一电极6吸收光线，从而进一步提高发光效率，N型化合物半导体层10为氮化铝（AlN），金属屏蔽层3由镍材料制成，金属反射层7由银材料制成，超颖金属层12由金材料制成，并且为蜂窝状，中间穿插介电材料，介电材料包括二氧化硅，超颖金属层12具有负折射率，入射光通过超颖金属层12的对面散发到外界，电极垫13由引线键合形成的，扩展部分14使电流均匀分布在一个宽区域中的。将该发光二极管接上电源，更加经济高效，节能环保。以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其改进构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，其特征是:包括支撑基板层（1）、键合金属层（2）、金属屏蔽层（3）、半导体结构层（4）、石墨烯结构层（5）、第一电极（6），所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层（1）、键合金属层（2）、金属屏蔽层（3）、半导体结构层（4）、石墨烯结构层（5）、第一电极（6），所述的金属屏蔽层（3）内部含有金属反射层（7），所述的半导体结构层（4）包括P型化合物半导体层（8）、活性层（9）、N型化合物半导体层（10），所述的石墨烯结构层（5）包括石墨烯层（11）和超颖金属层（12），所述的第一电极（6）包括电极垫（13）和扩展部分（14）；所述的支撑基板层（1）为绝缘材料，所述的键合金属层（2）是通过共晶键合形成的，所述的石墨烯结构层（5）厚度小于1nm，所述的石墨烯结构层（5）比第一电极（6）更宽，并且完全围绕第一电极（6），防止第一电极（6）吸收光线，从而进一步提高发光效率，所述的N型化合物半导体层（10）包括氮化镓（GaN）或氮化铝（AlN），所述的超颖金属层（12）由金材料制成，并且为蜂窝状，中间穿插介电材料，所述的超颖金属层（12）具有负折射率，入射光通过超颖金属层（12）的对面散发到外界，所述的电极垫（13）由引线键合形成的，所述的扩展部分（14）使电流均匀分布在一个宽区域中的。...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征是:包括支撑基板层（1）、键合金属层（2）、金属屏蔽层（3）、半导体结构层（4）、石墨烯结构层（5）、第一电极（6），所述的一种发光二极管从下到上的结构依次为支撑基板层（1）、键合金属层（2）、金属屏蔽层（3）、半导体结构层（4）、石墨烯结构层（5）、第一电极（6），所述的金属屏蔽层（3）内部含有金属反射层（7），所述的半导体结构层（4）包括P型化合物半导体层（8）、活性层（9）、N型化合物半导体层（10），所述的石墨烯结构层（5）包括石墨烯层（11）和超颖金属层（12），所述的第一电极（6）包括电极垫（13）和扩展部分（14）；所述的支撑基板层（1）为绝缘材料，所述的键合金属层（2）是通过共晶键合形成的，所述的石墨烯结构层（5）厚度小于1nm，所述的石墨烯结构层（5）比第一电极（6）更宽，并且完...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯烁，文涛，屈艺，杨振洲，
申请(专利权)人：兰州理工大学，
类型：新型
国别省市：甘肃;62