一种LED芯片以及LED显示屏制造技术

本实用新型专利技术提供一种LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏，LED芯片包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，限制了光的传播方向，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出，使得光只从侧面逸出，取消了正面集中出光的方式，该LED芯片应用于LED显示屏，有效解决了LED显示屏的光斑问题。

An LED Chip and LED Display Screen

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片以及LED显示屏
本技术涉及半导体发光器件领域，具体涉及一种侧向出光的LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode)，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度、低热量、长寿命、无毒、可回收再利用等优点，被称为是21世纪最有发展前景的绿色照明光源。目前LED芯片主要用在照明和显示屏领域，LED显示屏相较于现有其他类型的显示屏，具有亮度高、寿命长以及视角大等特点。但是，LED的亮度较高也会出现明显的光斑，影响显示效果。
技术实现思路
为此，本技术提供一种侧面出光的LED芯片以及具有该LED芯片的LED显示屏，能够有效解决光斑的问题。为实现上述目的，本技术提供的技术方案如下：一种LED芯片，包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出。进一步的，所述芯片本体为GaN基的芯片本体，包括：GaN外延层、电流扩散层、透光绝缘层、P电极以及N电极，所述GaN外延层包括衬底以及依次层叠于该衬底上的N型层、发光层和P型层，所述GaN外延层在部分P型层表面蚀刻至裸露N型层，所述电流扩散层设于P型层表面，所述P电极设于电流扩散层上，所述N电极设于N型层上；朝所述P型层的面为芯片本体的表面，朝所述衬底的面为芯片本体的底面。进一步的，所述电流扩散层为ITO膜层、AZO膜层、ZnO膜层或石墨烯膜层。进一步的，所述反光层为布拉格反射层，设于芯片本体表面的所述布拉格反射层具有让位口，并让位于电极使其裸露。进一步的，所述反光层为金属反光层，所述金属反光层不连通所述芯片本体的P型层和N型层。进一步的，所述芯片本体还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层设于电流扩散层、N型层以及P型层和N型层的交界处的表面，并裸露出P电极和N电极，位于芯片本体表面的金属反光层设于绝缘保护层表面。进一步的，所述绝缘保护层的材料采用SiN、SiO2、SiON、Al2O3、MgF2中的一种。进一步的，所述芯片本体还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层设置于由P电极垂直投影于P型层的表面位置，并被电流扩散层所覆盖。进一步的，所述电流阻挡层的材料采用SiN、SiO2、SiON、Al2O3中的一种。一种LED显示屏，至少包括上述所述的LED芯片。通过本技术提供的技术方案，具有如下有益效果：所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，限制了光的传播方向，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出，使得光只从侧面逸出，取消了正面集中出光的方式，该LED芯片应用于LED显示屏，有效解决了LED显示屏的光斑问题。附图说明图1所示为实施例一中LED芯片的的结构示意图；图2所示为实施例二中LED芯片的的部分结构示意图；图3所示为实施例三中LED芯片的的结构示意图。具体实施方式为进一步说明各实施例，本技术提供有附图。这些附图为本技术揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本技术的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。本技术提供一种LED芯片，包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出。所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，限制了光的传播方向，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出，使得光只从侧面逸出，取消了正面集中出光的方式，该LED芯片应用于LED显示屏，有效解决了LED显示屏的光斑问题。实施例一参照图1所示，具体的，本实施例中，所述芯片本体为GaN基的芯片本体，包括：GaN外延层、电流扩散层20、P电极41以及N电极42，所述GaN外延层包括衬底11以及依次层叠于该衬底11上的N型层12、发光层13和P型层14，所述GaN外延层在部分P型层14表面蚀刻至裸露N型层12，所述电流扩散层20设于P型层14表面，所述P电极41设于电流扩散层20上，所述N电极42设于N型层12上；朝所述P型层14的面为芯片本体的表面，朝所述衬底11的面为芯片本体的底面。所述反光层为布拉格反射层31(DBR反射层)，布拉格反射层31分别设于芯片本体的表面和底面，设于芯片本体表面的所述布拉格反射层31覆盖电流扩散层20、N型层12以及P型层14和N型层12的交界处的表面，并设有让位口，让位于电极(即P电极41和N电极42)使其裸露。布拉格反射层31本身为绝缘层，其具体的结构是现有技术，制备简便、材料成本低、反射率高，在可见光范围的反射率可达95％以上。进一步的，所述电流扩散层20为ITO膜层，成本低，制备简便；当然的，在其他实施例中，还可以采用AZO膜层、ZnO膜层或石墨烯膜层等替换。实施例二本实施例提供的一种LED芯片，其结构与实施例一中的结构大致相同，不同之处在于：参照图2所示，本实施例中，所述芯片本体还包括电流阻挡层50，所述电流阻挡层50设置于由P电极41垂直投影于P型层14的表面位置，并被电流扩散层20所覆盖。采用该电流阻挡层50，可阻挡电流由P电极41垂直向下流至P型层14，该部分电流被阻挡后会强制性通过电流扩散层20向外扩散，使电流分布均匀，发光更为均匀。具体的，本实施例中，电流阻挡层50采用SiO2膜层，容易制备，阻挡效果好。当然的，在其他实施例中，电流阻挡层50也可以采用SiN、SiON、Al2O3中的一种。实施例三本实施例提供的一种LED芯片，其结构与实施例一中的结构大致相同，不同之处在于：参照图3所示，所述反光层为金属反光层32，如反光性好的铝层、银层等等，所述金属反光层32不连通所述芯片本体的P型层14和N型层12。具体的，所述芯片本体还包括绝缘保护层60，所述绝缘保护层60设于电流扩散层20、N型层12以及P型层14和N型层12的交界处的表面，并裸露出P电极41和N电极42，位于芯片本体表面的金属反光层32设于绝缘保护层60表面。图3中，金属反光层32与P电极41连接，但与N电极42绝缘隔离，进而不连通P型层14和N型层12，防止短路。当然的，本实施例中的金属反光层32也可以和N电极42形成接触，与P电极41隔离；又或者是同时与P电极41、N电极42隔离。进一步的，本实施例中，所述绝缘保护层60的材料采用SiO2，即为SiO2膜层，当然的，在其他实施例中，绝缘保护层60的材料也可以采用SiN、SiON、Al2O3、MgF2中的一种。再具体的，N电极42与金属反光层32之间可填充绝缘层70来实现阻隔，绝缘层70的材质可同样采用绝缘保护层60相同的材质。当然的，在其他实施例中，反光层的类型也可以采用现有技术中其他常见的能够对可将光进行反射的材料层，如反光漆层等等；又或者是，芯片本体的表面和底面的反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED芯片，包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，其特征在于：所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，包括芯片本体，该芯片本体具有设置电极的表面、与该表面相背的底面以及连接表面和背面之间的侧面，其特征在于：所述芯片本体的表面和底面均设有反光层，射至表面和底面的光通过反光层的反射从芯片本体的侧面射出。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于：所述芯片本体为GaN基的芯片本体，包括：GaN外延层、电流扩散层、透光绝缘层、P电极以及N电极，所述GaN外延层包括衬底以及依次层叠于该衬底上的N型层、发光层和P型层，所述GaN外延层在部分P型层表面蚀刻至裸露N型层，所述电流扩散层设于P型层表面，所述P电极设于电流扩散层上，所述N电极设于N型层上；朝所述P型层的面为芯片本体的表面，朝所述衬底的面为芯片本体的底面。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于：所述电流扩散层为ITO膜层、AZO膜层、ZnO膜层或石墨烯膜层。4.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于：所述反光层为布拉格反射层，设于芯片本体表面的所述布拉格反射层具...

【专利技术属性】
技术研发人员：林聪辉，纪志源，
申请(专利权)人：晶宇光电厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35