【技术实现步骤摘要】
201610232785
【技术保护点】
一种发光元件,包括:第一电极;所述第一电极上的空穴注入层;所述第一电极上的层,所述层包含磷光化合物、第一有机化合物以及第二有机化合物;所述层上的电子注入层;以及所述电子注入层上的第二电极,其中,在所述层中,在从所述层的底表面到顶表面的方向上所述第一有机化合物的浓度和所述第二有机化合物的浓度变化,其中选择所述第一有机化合物及所述第二有机化合物,以便在其间形成激基复合物,以及其中所述磷光化合物为有机金属配合物,该有机金属配合物的源于三重态MLCT转移的吸收与所述激基复合物的发光重叠。
【技术特征摘要】
2011.03.30 JP 2011-0742721.一种发光元件,包括:
第一电极;
所述第一电极上的空穴注入层;
所述第一电极上的层,所述层包含磷光化合物、第一有机化合物以
及第二有机化合物;
所述层上的电子注入层;以及
所述电子注入层上的第二电极,
其中,在所述层中,在从所述层的底表面到顶表面的方向上所述第
一有机化合物的浓度和所述第二有机化合物的浓度变化,
其中选择所述第一有机化合物及所述第二有机化合物,以便在其间
形成激基复合物,以及
其中所述磷光化合物为有机金属配合物,该有机金属配合物的源于
三重态MLCT转移的吸收与所述激基复合物的发光重叠。
2.一种发光元件,包括:
第一电极;
所述第一电极上的第一EL层;
所述第一EL层上的电荷发生层;
所述电荷发生层上的第二EL层;以及
所述第二EL层上的第二电极,
其中所述第一EL层和所述第二EL层中...
【专利技术属性】
技术研发人员:山崎舜平,濑尾哲史,下垣智子,大泽信晴,井上英子,门间裕史,尾坂晴惠,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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