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提供一种具有25％左右的极高的效率的发光元件。发光元件包括包含磷光客体、n型主体及p型主体的发光层，发光层夹在含n型主体的n型层与含p型主体的p型层之间，并且在发光层中n型主体和p型主体可以形成激基复合物。在实现1200cd/m2的亮度的低...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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