一种新型阻容复合芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种新型阻容复合芯片及其制造方法，所述新型阻容复合芯片包括电阻芯片、电容芯片、两个引线、保护层；所述电阻芯片与电容芯片并联连接，所述两个引线平行设置并分别连接于所述电阻芯片的两面电极，所述保护层包覆所述电阻芯片和电容芯片。相对于现有技术，本发明专利技术的新型阻容复合芯片，通过设置一与电阻芯片并联的电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元器件领域，尤其涉及一种新型阻容复合芯片及其制造方法。
技术介绍
现有电阻产品为独立单一的元器件，其现有的制造工艺通常为：将电阻芯片与引线放入锡炉中进行焊接加工然后包封测试。这样制备的电阻产品缺乏过电压保护的能力，在使用过程中若遇到电压突变或者电压倒灌的现象时容易损坏从而影响电路正常工作。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中的缺点和不足，提供一种新型阻容复合芯片及其制造方法，本专利技术的新型阻容复合芯片在电阻芯片上并联一个电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压避免与其并联的器件造成损坏。本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种新型阻容复合芯片，包括电阻芯片、电容芯片、两个引线、保护层；所述电阻芯片与电容芯片并联连接，所述两个引线平行设置并分别连接于所述电阻芯片的两面电极，所述保护层包覆所述电阻芯片和电容芯片。相对于现有技术，本专利技术的新型阻容复合芯片，通过设置一与电阻芯片并联的电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。进一步，所述电阻芯片为NTC热敏电阻芯片。进一步，所述保护层为玻璃保护层。本专利技术还提供了一种新型阻容复合芯片的制造方法，包括以下步骤：(1)根据需要阻值计算得出的尺寸，将电阻芯片划切成所需尺寸的长条；(2)将电容芯片按照一定宽度划切成条；(3)将划切成条的电阻芯片和电容芯片依次间隔粘合；(4)将粘合好的复合芯片再次按照所需阻值计算得出的尺寸划切成所需尺寸的芯片；(5)将步骤(4)中得到的芯片的电阻芯片和电容芯片两面电极分别与两个平行设置的引线焊接，并使芯片插入两个引线之间；(6)将焊接好的芯片外包覆一层保护层，所述保护层包覆于所述电阻芯片和电容芯片外部。相对于现有技术，通过本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法得到的新型阻容复合芯片，通过设置一与电阻芯片并联的电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压，有效防止芯片的损伤或者阻值的突变，避免与其并联的器件造成损坏。进一步，所述电阻芯片为NTC热敏电阻芯片。进一步，所述保护层为玻璃保护层。为了更好地理解和实施，下面结合附图详细说明本专利技术。附图说明图1是本专利技术的新型阻容复合芯片的结构示意图。图2是本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法的步骤(1)的示意图。图3是本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法的步骤(2)的示意图。图4是本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法的步骤(3)的示意图。图5是本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法的步骤(4)的示意图。图6是本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法的步骤(5)的示意图。图7是本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法的步骤(5)的操作示意图。具体实施方式请参阅图1，其是本专利技术的新型阻容复合芯片的结构示意图。所述新型阻容复合芯片包括电阻芯片1、电容芯片2、与电阻芯片1两面电极连接的两个平行设置的引线3、以及包覆于所述电阻芯片1和电容芯片2外部的保护层4。所述电阻芯片1为NTC热敏电阻芯片。所述电阻芯片1夹持固定于两个引线3的端部，并通过高温锡炉和高温焊锡将引线焊锡。所述电容芯片2并联于所述电阻芯片1，并且设置于所述两个引线3之间。所述保护层4为玻璃保护层。相对于现有技术，本专利技术的新型阻容复合芯片，通过设置一与电阻芯片并联的电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。本专利技术还提供了一种新型阻容复合芯片的制造方法，包括以下步骤，请同时参阅图2-6，其分别是本专利技术的新型阻容复合芯片的制备方法步骤(1)-(5)对应的示意图：(1)根据需要阻值计算得出的尺寸，将电阻芯片1划切成所需尺寸的长条；(2)将电容芯片2按照一定宽度划切成条；(3)将划切成条的电阻芯片1和电容芯片2依次间隔粘合；(4)将粘合好的复合芯片再次按照所需阻值计算得出的尺寸划切成所需尺寸的芯片；(5)将步骤(4)中得到的芯片的电阻芯片和电容芯片两面电极分别与两个平行设置的引线3焊接，并使芯片插入两个引线3之间；具体操作如图6和图7所示，将复合芯片中的电阻芯片和电容芯片一同置于锡炉中，使复合芯片与引线焊接连接。(6)将焊接好的芯片外包覆一层保护层4，所述保护层4包覆于所述电阻芯片1和电容芯片2外部；在本实施例中，所述保护层4为玻璃保护层。通过所述制造方法得到的新型阻容复合芯片经过通电高温负荷实验前后的阻值变化与现有技术中的产品的对比，具体见下表1。由表1可知，本专利技术所述的新型阻容复合芯片通过在电阻芯片上并联电容产品，可以有效防止芯片的损伤或者阻值的突变。表1本专利技术复合芯片与现有技术中的芯片经通电高温负荷实验前后的阻值变化相对于现有技术，通过本专利技术的新型阻容复合芯片的制造方法得到的新型阻容复合芯片，通过设置一与电阻芯片并联的电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压，有效防止芯片的损伤或者阻值的突变，避免与其并联的器件造成损坏。本专利技术并不局限于上述实施方式，如果对本专利技术的各种改动或变形不脱离本专利技术的精神和范围，倘若这些改动和变形属于本专利技术的权利要求和等同技术范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变形。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型阻容复合芯片，其特征在于：包括电阻芯片、电容芯片、两个引线、保护层；所述电阻芯片与电容芯片并联连接，所述两个引线平行设置并分别连接于所述电阻芯片的两面电极，所述保护层包覆所述电阻芯片和电容芯片。

【技术特征摘要】
1.一种新型阻容复合芯片，其特征在于：包括电阻芯片、电容芯片、两个引线、保护层；所述电阻芯片与电容芯片并联连接，所述两个引线平行设置并分别连接于所述电阻芯片的两面电极，所述保护层包覆所述电阻芯片和电容芯片。2.根据权利要求1所述的新型复合芯片，其特征在于：所述电阻芯片为NTC热敏电阻芯片。3.根据权利要求1所述的新型复合芯片，其特征在于：所述保护层为玻璃保护层。4.一种新型阻容复合芯片的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)根据需要阻值计算得出的尺寸，将电阻芯片划切成所需尺寸的长条；(2)将电容芯片按照一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄贵龙，段兆祥，杨俊，唐黎民，
申请(专利权)人：广东爱晟电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44