一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片及制备方法技术

本发明专利技术公开了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片,所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触。本发明专利技术还公开了LED薄膜芯片的制备方法。本发明专利技术直接在N型粗化层上制备欧姆接触，有效简化了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片制备工艺，降低生产成本的同时解决了业界普遍采用n

【技术实现步骤摘要】
一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片及制备方法
本专利技术属于LED芯片
，尤其是涉及一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片及制备方法。
技术介绍
发光二极管作为新一代的绿色照明光源，具有寿命长、亮度高、功耗低等特点，正逐渐取代传统照明光源。四元合金AlGaInP材料与GaAs衬底晶格匹配，制备的LED发光波长可以覆盖红、黄、绿波段。经过多年的发展，AlGaInP材料已经成为制备红光到黄绿色LED最优良的材料。各种半导体电子器件都需要通过金属电极与其他器件相连。在半导体上沉积金属，形成紧密接触，这种接触称为金属-半导体接触。在特定的条件下，有两种金属-半导体接触类型：欧姆接触和肖特基接触。金属与低掺杂半导体形成的接触通常表现为类似pn结二极管的整流特性，称之为肖特基接触，又名整流接触；金属与重掺杂半导体形成的接触，通常表现为低阻的短路特性，不会在接触界面引起附加压降，称为欧姆接触。近年来，人们利用晶片键合及转移衬底的技术制备了N面出光的AlGaInPLED薄膜型芯片，极大地提高了LED芯片的光提取效率，其光效为传统正本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片，其特征在于：所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触；/nN型电流扩展层的材料(Al

【技术特征摘要】
1.一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片，其特征在于：所述芯片自下而上依次包括：基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极，所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触；
N型电流扩展层的材料(Alx1Ga1-x1)0.5In0.5P中Al组分介于0.30-0.60之间；
N型粗化层的材料(Alx2Ga1-x2)0.5In0.5P中Al组分介于0.25-0.35之间。


2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述N型粗化层厚度为50-1500nm，掺杂浓度为0.7-5E18cm-3。


3.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述N型电流扩展层厚度为1500-5000nm，掺杂浓度为0.5-1E18cm-3。


4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于：所述N电极的电极材料依次包括第一Ni层、第一Au层、Ge层、第二Ni层、第二Au层，其第一Ni层为与N型粗化层最先接触。


5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于：所述N电极的电极材料厚度分别为：第一Ni层3-10nm，第一Au层50-150nm，Ge层20-50nm，第二Ni层3-10nm，第二Au层500-2000nm。


6.一种制备权利要求1-5任...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苏杰，林晓珊，宁如光，杨祺，熊欢，陈振宇，吴礼清，潘彬，王向武，张银桥，
申请(专利权)人：南昌凯迅光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36