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一种N面出光AlGaInPLED薄膜芯片及制备方法技术
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文档序号:29137427
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本发明公开了N面出光AlGaInPLED薄膜芯片,所述芯片自下而上依次包括:基板、键合金属层、金属反射电极、介质层、P型欧姆接触层、发光层、N型电流扩展层、N型粗化层、N电极,所述N电极与N型粗化层直接形成欧姆接触。本发明还公开了LED薄膜...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。
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