【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种制备方法,尤其涉及一种半导体激光器芯片及其制备方法。
技术介绍
当大量光子在半导体激光器腔面处被吸收产生大量电子空穴对时,一方面半导体芯片腔面材料之间院子结合力被破坏,使腔面发生氧化,腔面氧化促进非辐射复合吸收,造成腔面温度上升并加剧氧化,带来恶性循环,直至腔面热量上升至材料熔点导致半导体激光器发生COMD。
技术实现思路
为了能够解决上述技术问题,本专利技术提供一种半导体激光器芯片及其制备方法,本专利技术能抑制半导体激光器腔面注入电流密度过大的缺陷。本专利技术的解决方案是:一种半导体激光器芯片,其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层和作为N电极的N面金属层,P面金属层的内侧为高掺杂低阻层;高掺杂低阻层靠近所述半导体激光器芯片的腔面处的腐蚀有一条平行于腔面的沟槽;在沟槽及边缘区域设置有SiO2绝缘层,P面金属层覆盖高掺杂低阻层的同时还覆盖SiO2绝缘层,使在SiO2绝缘层的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层扩散到出腔面处,而是在沟槽处被阻挡。作为上述方案的进一步改进,所述半导体激光器芯片从P电极到N电极的方向依次包括P电极、高掺杂低阻层、P-载流子阻挡层、P-光子波导层、量子阱、N-光子波导层、N-载流子阻挡层、GaAs衬底、N电极。作为上述方案的进一步改进,在半导体激光器芯片的腔面蒸镀钝化一层薄膜。本专利技术还提供一种半导体激光器芯片的制备方法,先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽;在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层,在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层,使在SiO2绝 ...
【技术保护点】
一种半导体激光器芯片,其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层(4)和作为N电极的N面金属层(12),P面金属层(4)的内侧为高掺杂低阻层(1);其特征在于:高掺杂低阻层(1)靠近所述半导体激光器芯片的腔面(5)处的腐蚀有一条平行于腔面(5)的沟槽(2);在沟槽(2)及边缘区域设置有SiO2绝缘层(3),P面金属层(4)覆盖高掺杂低阻层(1)的同时还覆盖SiO2绝缘层(3),使在SiO2绝缘层(3)的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层(1)扩散到出腔面(5)处,而是在沟槽(2)处被阻挡。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器芯片,其相对的两个外侧分别为作为P电极的P面金属层(4)和作为N电极的N面金属层(12),P面金属层(4)的内侧为高掺杂低阻层(1);其特征在于:高掺杂低阻层(1)靠近所述半导体激光器芯片的腔面(5)处的腐蚀有一条平行于腔面(5)的沟槽(2);在沟槽(2)及边缘区域设置有SiO2绝缘层(3),P面金属层(4)覆盖高掺杂低阻层(1)的同时还覆盖SiO2绝缘层(3),使在SiO2绝缘层(3)的窗口内注入的电流不会直接通过高掺杂低阻层(1)扩散到出腔面(5)处,而是在沟槽(2)处被阻挡。2.如权利要求1所述的半导体激光器芯片,其特征在于:所述半导体激光器芯片从P电极到N电极的方向依次包括P电极、高掺杂低阻层、P-载流子阻挡层、P-光子波导层、量子阱、N-光子波导层、N-载流子阻挡层、GaAs衬底、N电极。3.如权利要求1所述的半导体激光器芯片,其特征在于:在半导体激光器芯片的腔面(5)蒸镀钝化一层薄膜。4.一种半导体激光器芯片的制备方法,其特征在于:先将半导体激光器芯片靠近腔面(5)处的高掺杂低阻层(1)腐蚀出一条平行于腔面(5)的沟槽(2);在沟槽(2)及边缘区域制作SiO2绝缘层(...
【专利技术属性】
技术研发人员:周立,潘之炜,郭栓银,谭少阳,吴涛,
申请(专利权)人:苏州长光华芯光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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