【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体激光器芯片测试固定装置及其方法。
技术介绍
半导体激光器器件具有体积小、重量轻、电光转换效率高等优点,在医疗、军事、通信等领域作为光源以及泵浦光源源受到广泛的应用。半导体激光器芯片通常需要经过封装形成器件后才出厂使用。在半导体激光器芯片封装之前,为了提高封装的成品率,需要对半导体激光器芯片进行相关的性能测试,挑选出合格的半导体激光器芯片,淘汰掉不合格的芯片。。在半导体激光器高功率的应用领域中,半导体激光器芯片往往以巴条形成存在,巴条中通常存在多个发光单元,发光单元的输出特性是否合格决定着巴条是否合格。半导体激光器巴条测试过程中,由于所测试的性能多,测试时间较长,芯片与芯片固定装置的接触面积过小会导致芯片内集热过多而烧毁芯片,并且不利于芯片测试数据的一致性和增大测试过程对芯片的损伤,激光器测试装置需要具备以下三点:第一,需要合理的温度控制装置,保证所有发光单元的散热和加热一致;第二,需要合理的方式来固定芯片,增大芯片的散热;第三,需要保持芯片受力的一致性,降低芯片的应力对芯片造成损坏,从而降低固定装置对芯片的不良影响。目前国内外多家机构对半导体激光器测试系统进行了研究,国外的如ILX、Yel、Corning等公司,在半导体激光器测试系统上有多年的经验。Corning公司报道的文章(JOURNALOFLIGHTWAVETECHNOLOGY,VOL.23,NO.2,FEBRUAR ...
【技术保护点】
一种半导体激光器芯片测试固定装置,包括芯片载体平台、真空吸附装置、温度控制装置、P面供电电极和N面供电电极,芯片载体平台的下表面与真空吸附装置贴合,所述温度控制装置经真空吸附装置对芯片载体平台传导散热;芯片载体平台或者真空吸附装置还设置有温度探测孔;其特征在于:所述芯片载体平台为绝缘导热材质,在芯片载体平台的上表面设置有间隔排列的多条金属膜,金属膜的长度方向与待测芯片的发光单元腔长方向平行;每一条金属膜作为一个独立的P面供电电极,用于与待测芯片单个发光单元的P面电极对应完全贴合,每一条金属膜上相应固定有单独的供电接触头;在相邻P面供电电极之间平行开设有条形的真空吸附孔,真空吸附孔贯通芯片载体平台的上下表面,所有真空吸附孔均与真空吸附装置的内气路孔道相通;所述N面供电电极为一个整体的电极,位于P面供电电极的上方,并避开相应供电接触头所处位置,N面供电电极的下表面平整光滑,使其能够与待测芯片的N面电极完全贴合。
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器芯片测试固定装置,包括芯片载体平台、真空吸附
装置、温度控制装置、P面供电电极和N面供电电极,芯片载体平台的下表
面与真空吸附装置贴合,所述温度控制装置经真空吸附装置对芯片载体平台
传导散热;芯片载体平台或者真空吸附装置还设置有温度探测孔;其特征在
于:
所述芯片载体平台为绝缘导热材质,在芯片载体平台的上表面设置有间
隔排列的多条金属膜,金属膜的长度方向与待测芯片的发光单元腔长方向平
行;每一条金属膜作为一个独立的P面供电电极,用于与待测芯片单个发光
单元的P面电极对应完全贴合,每一条金属膜上相应固定有单独的供电接触
头;在相邻P面供电电极之间平行开设有条形的真空吸附孔,真空吸附孔贯
通芯片载体平台的上下表面,所有真空吸附孔均与真空吸附装置的内气路孔
道相通;所述N面供电电极为一个整体的电极,位于P面供电电极的上方,
并避开相应供电接触头所处位置,N面供电电极的下表面平整光滑,使其能
够与待测芯片的N面电极完全贴合。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片测试固定装置,其特征在于:
所述芯片载体平台的上表面平整光滑,所述多条金属膜镀于芯片载体平
台的上表面;
或者,所述芯片载体平台的上表面对应于所述多条金属膜的位置分别设
置浅槽,金属膜填入相应的浅槽使得芯片载体平台的上表面平整光滑。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器芯片测试固定装置,其特征在于:
所述P面供电电极的宽度大于待测芯片单个发光单元的P面电极的宽度,长
度大于待测芯片发光单元的腔长。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器芯片测试固定装置,其特征在于:
所述多条金属膜的宽度和间距满足:待测芯片的每个发光单元沿腔长方向的
中心对称线与相应P面供电电极的中心对称线重合,真空吸附孔对应于待测
芯片的相邻P面电极之间的区域,相邻真空吸附孔之间的距离小于发光单元
的宽度。
5.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员:李秀山,王贞福,杨国文,
申请(专利权)人:中国科学院西安光学精密机械研究所,
类型:发明
国别省市:陕西;61
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