本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明公开的半导体器件包括：隧道结，隧道结包括p型半导体层和n型半导体层。n型半导体层中掺杂有第一导电离子和第二导电离子，第一导电离子的半径小于第二导电离子的半径，第二导电离子的饱和掺杂浓度大于第...

本实用新型公开了一种高功率半导体激光器波长锁定装置，该装置包括：多个单管半导体激光器，用于产生预设波长的激光；合束模块，用于将多个单管半导体激光器输出的激光进行合束；光纤光栅，用于接收合束后的激光，对多个单管半导体激光器进行波长锁定，实...

本发明提供的半导体激光器耦合结构，包括半导体激光器本体、选择反射镜和处理器，选择反射镜设置在可见光指示器与可见光耦合镜之间，可见光指示器与可见光耦合镜位于选择反射镜同侧，且分别位于选择反射镜的入射光路径和反射光路径上，可见光指示器出射的...

本发明提供了一种双有源区激光器芯片及制备方法，其中，双有源激光器芯片包括：依次设置的衬底、下有源区和上有源区；上有源区中包括上有源区量子阱；下有源区中包括下有源区量子阱；上有源区量子阱与下有源区量子阱的材料为In

本发明公开了一种激光光能回收装置及方法，该装置包括：激光光源，用于发射激光光束；偏振模块，用于将激光光源发射的激光光束进行分离，得到偏振模式不同的两束激光，两束激光的能量不同；回收模块，用于将两束激光中能量较小的激光光束进行回收。通过实...

本发明提供一种限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法，限制层结构包括间隔分布的若干介质掩膜块以及在所述若干介质掩膜块之间间隙生成的限制层，其中，所述限制层采用砷化镓层替换现有的砷化铝镓层，从而形成一种介质掩膜块和砷化镓限制层混...

本发明提供一种接触层的制作方法、半导体激光器及其制作方法，接触层的制作方法为先在所述半导体激光器的外延层上形成非掺杂半导体层，再对所述非掺杂半导体层进行掺杂。采用此制作方法制作的接触层包括掺杂区域和非掺杂区域，非掺杂区域电流无法注入，只...

本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种多有源区级联的半导体激光器。所述多有源区级联的半导体激光器包括：若干级联有源区，每一所述级联有源区包括多个有源区；隧道结，在所述级联有源区的至少一侧设置，与所述级联有源区电连接；其中，在所述级...

本发明公开了一种半导体器件，涉及半导体光电子器件领域。本发明公开的半导体器件，包括：第一导电类型半导体层；设置在第一导电类型半导体层上的插入层，插入层为硅碲共掺杂的铟镓砷；设置在插入层上第二导电类型半导体层；其中第一导电类型和第二导电类...

本实用新型公开一种输出性能检测装置，包括：检测组件，其包括热电堆功率计和积分球；光学组件，其包括透镜和棱镜，所述棱镜设于所述透镜和所述热电堆功率计之间；调整组件，其包括棱镜调整组件，所述棱镜调整组件包括第一驱动件、第一转动连接件和第一调...

本实用新型公开一种探针测量装置，包括：基架；以及设于所述基架上的：电极夹具组件，其连接于电源，所述电极夹具组件包括固定夹具和活动夹具，所述活动夹具可相对于所述固定夹具运动以抵接于置于所述固定夹具上的待测量件；探针测量组件，其连接于测量仪...

本发明提供一种光纤耦合散热结构及光纤输入头，包括插芯和外罩，插芯紧密配合在裸纤外部，外罩紧密配合在插芯外部，在插芯的端面与外罩的端面之间预留容置空间，裸纤的偶合面位于容置空间内，避免与其他部件接触，减少能量辐射，插芯采用玻璃材料制成，使...

本实用新型公开一种龙门取放装置，包括：龙门连接架体，其包括连接横梁和对称设置的支撑架体，所述连接横梁连接所述支撑架体；运动模组，其包括移动模组和旋转模组，所述移动模组包括X轴移动模组和Y轴移动模组，所述X轴移动模组设于多个所述支撑架体的...

本发明公开一种光纤耦合装置和激光耦合设备，其中光纤耦合装置包括：导热壳体；裸光纤，其穿设于所述导热壳体，用于进行能量传输，其中所述导热壳体的输入端部平齐于所述裸光纤的输入端部；插芯，其位于所述导热壳体和所述裸光纤之间，以连接所述导热壳体...

本发明提供了一种半导体激光器低温测试装置，包括低温箱体，内具有放置待测激光器件的密闭腔体，所述密闭腔体具有至少一个第一进气口及至少一个第一出气口；防凝露组件，与所述第一进气口及所述第一出气口连接以形成闭合循环回路；操作部件，设于所述低温...

本实用新型涉及半导体加工装置技术领域，具体涉及一种支撑盘、气路系统及气相外延生长系统。支撑盘包括本体，所述本体上具有中心，所述本体上设有多圈气体接口，任意一圈所述气体接口到所述中心的距离相等，且绕所述中心均匀分布，各圈所述气体接口距离所...

本实用新型公开一种光纤与插芯装配的集成装置，包括设在基座上的第一夹具、第二夹具、驱动结构及检测组件。在光纤与插芯组装时，先将光纤嵌在第二定位腔内，光纤的前端伸出第二定位腔并位于第一定位腔和第二定位腔之间的第一区域内；插芯预先放置在第一定...

本发明公开了一种双脉冲双向环形激光放大器，包括：第一光隔离器，用于在第一方向上透射第一偏振态的第一脉冲，将第二方向上的第一偏振态的第二脉冲转换为第二偏振态，并反射第二偏振态的第二脉冲，其中，第一方向与第二方向相反；第二光隔离器，用于在第...

本发明公开了一种半导体激光器阵列、半导体激光器制冷装置及其制备方法。该半导体激光器制冷装置包括：若干制冷单元，各制冷单元之间层叠设置，各制冷单元与相邻制冷单元部分重合，且重合部分位于各制冷单元的同一端；各制冷单元之间通过焊接连接，构成整...

本发明半导体技术领域，具体涉及封装结构、半导体器件及封装方法，其中封装结构包括：基底；焊料，形成在所述基底表面；巴条，所述巴条的第一电极面与所述焊料接触且所述巴条的一端伸出所述基底的预设边缘；其中，所述焊料在所述基底表面的正投影面积小于...