封装结构、半导体器件及封装方法技术

本发明专利技术半导体技术领域，具体涉及封装结构、半导体器件及封装方法，其中封装结构包括：基底；焊料，形成在所述基底表面；巴条，所述巴条的第一电极面与所述焊料接触且所述巴条的一端伸出所述基底的预设边缘；其中，所述焊料在所述基底表面的正投影面积小于所述巴条在所述基底表面的正投影面积。本发明专利技术实施例提供的封装结构，通过将巴条的一端伸出基底的预设边缘且控制焊料在基底表面的正投影面积小于巴条在所述基底表面的正投影面积，使得在基底与巴条之间形成让位空间，用于预防焊料流动或迁移到巴条的腔面以及侧面处，即避免了巴条的失效。

Packaging structure, semiconductor device and packaging method

【技术实现步骤摘要】
封装结构、半导体器件及封装方法
本专利技术涉及半导体
，具体涉及封装结构、半导体器件及封装方法。
技术介绍
现行半导体巴条在封装时所使用的焊料分两类，一种是硬性焊料，一种是软性焊料。其中，软焊料一般为铟。铟焊料虽然有导热率高，封装应力小的优点，但其在加热情况下易流动且在半导体器件使用过程中，加电易发生电迁移。具体地，如图1a所示，巴条30通过焊料20焊接封装在基底10上，在巴条第一电极面均匀接触焊料。如图1b所示，在封装过程中使得焊料均匀接触整个第一电极面；或者，更进一步地，焊料区域的面积会大于巴条面积以更好地保证散热。但是，在巴条工作过程中，铟焊料会因电学迁移特性，从焊接面向巴条侧边(包括巴条前后腔面以及巴条左右侧面)迁移。当铟焊料迁移到巴条侧边的PN结的第二电极材料处时，铟焊料将联通巴条的PN结，形成并联在PN结上的一个电阻，成为一个芯片边缘的漏电通道。铟焊料是金属材料，形成的电阻远小于芯片PN结电阻，芯片工作时大量电流从该漏电通道流过，容易造成该位置发热烧毁，导致巴条失效。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种封装结构、半导体器件及封装方法，以解决现有封装方法所导致的巴条容易失效的问题。根据第一方面，本专利技术实施例提供了一种封装结构，包括：基底；焊料，形成在所述基底表面；巴条，所述巴条的第一电极面与所述焊料接触且所述巴条的一端伸出所述基底的预设边缘；其中，所述焊料在所述基底表面的正投影面积小于所述巴条在所述基底表面的正投影面积。<br>本专利技术实施例提供的封装结构，通过将巴条的一端伸出基底的预设边缘且控制焊料在基底表面的正投影面积小于巴条在所述基底表面的正投影面积，使得在基底与巴条之间形成让位空间，用于预防焊料流动或迁移到巴条的腔面以及侧面处，能够避免巴条的失效。结合第一方面，在第一方面第一实施方式中，所述巴条的一端伸出所述预设边缘的距离为10μm-20μm。本专利技术实施例提供的封装结构，通过将巴条伸出基底的预设边缘，在伸出的部分无焊料，能够预防焊料流动或迁移到巴条的前腔面。结合第一方面第一实施方式，在第一方面第二实施方式中，在所述巴条的腔长方向上，所述焊料的一端与所述预设边缘平齐，另一端与所述预设边缘之间的距离为所述巴条的腔长与第一预设值的差值；其中，所述第一预设值为50μm-200μm。本专利技术实施例提供的封装结构，通过控制焊料的另一端与巴条的后腔面相距一定的距离，能够预防焊料流动或迁移到巴条的后腔面。结合第一方面第二实施方式，在第一方面第三实施方式中，所述巴条的腔长为2mm-3mm。结合第一方面第二实施方式或第三实施方式，在第一方面第四实施方式中，在预设方向上，所述焊料的长度为所述巴条在所述预设方向上的长度与第二预设值的差值；其中，所述第二预设值为150μm-400μm，所述预设方向为与所述腔长垂直的方向。本专利技术实施例提供的封装结构，通过控制焊料的长度在对应于与腔长垂直的方向与巴条在该方向的长度相距一定的距离，能够预防焊料流动或迁移到巴条的左右两侧，抑制边缘漏电。根据第二方面，本专利技术实施例还提供了一种半导体器件，包括：本专利技术第一方面，或第一方面任一项实施方式中所述的封装结构；预设部件，与所述封装结构连接；其中所述预设部件与所述半导体器件适配。本专利技术实施例提供的半导体器件，通过将巴条的一端伸出基底的预设边缘且控制焊料在基底表面的正投影面积小于巴条在所述基底表面的正投影面积，使得在基底与巴条之间形成让位空间，用于预防焊料流动或迁移到巴条的腔面以及侧面处，即避免了巴条的失效，可以提高该半导体器件的使用寿命。根据第三方面，本专利技术实施例还提供了一种封装方法，包括：提供基底以及巴条；基于所述巴条的尺寸确定掩膜板的开口尺寸；利用所述掩膜板在所述基底表面形成焊料，并去除所述掩膜板；控制巴条的一端伸出所述基底的预设边缘且将所述巴条的第一电极面与所述焊料接触；其中，所述焊料在所述基底表面的正投影面积小于所述巴条在所述基底表面的正投影面积。本专利技术实施例提供的封装方法，通过将巴条的一端伸出基底的预设边缘且控制焊料在基底表面的正投影面积小于巴条在所述基底表面的正投影面积，使得在基底与巴条之间形成让位空间，用于预防焊料流动或迁移到巴条的腔面以及侧面处，即避免了巴条的失效。结合第二方面，在第二方面第一实施方式中，所述基于所述巴条的尺寸确定掩膜板的开口尺寸，包括：确定所述巴条的腔长；计算所述巴条的腔长与第一预设值的差值，以得到所述掩膜板对应于所述腔长方向上的开口尺寸；其中，所述第一预设值为50μm-200μm。结合第二方面第一实施方式，在第二方面第二实施方式中，所述基于所述巴条的尺寸确定掩膜板的开口尺寸，还包括：确定所述巴条在垂直于所述腔长方向上的长度；计算确定出的长度与第二预设值的差值，以得到所述掩膜板对应于与所述腔长垂直的方向上的开口尺寸；其中，所述第二预设值为150μm-400μm。本专利技术实施例提供的封装方法，利用巴条的尺寸设置掩膜板的开口尺寸，以保证后续利用该掩膜板的开口能够控制所形成的焊料的尺寸，防止焊料在流动或迁移至巴条的侧边，抑制边缘漏电。结合第二方面第二实施方式，在第二方面第三实施方式中，所述利用所述掩膜板在所述基底表面形成焊料，包括：将所述掩膜板对应于所述腔长方向上的开口的一侧与所述基底的预设边缘平齐；利用所述掩膜板在所述基底表面蒸镀所述焊料。结合第二方面或第二方面第三实施方式，在第二方面第四实施方式中，所述控制巴条的一端伸出所述基底的预设边缘，包括：采用悬空方式将所述巴条的一端伸出所述基底的预设边缘10μm-20μm。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1a-图1b示出了现有封装结构的示意图；图2a为现有封装结构的仰视图；图2b为图2a中A部放大图；图3a为现有封装结构的侧视图；图3b为图3a中B部放大图；图4a为根据本专利技术实施例的封装结构的示意图；图4b为图4a中C部放大图；图5为根据本专利技术实施例的封装方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如上文所示，现有的巴条封装结构中，一般使得焊料涂覆巴条的整个第一电极面，以保证较好本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n基底；/n焊料，形成在所述基底表面；/n巴条，所述巴条的第一电极面与所述焊料接触且所述巴条的一端伸出所述基底的预设边缘；其中，所述焊料在所述基底表面的正投影面积小于所述巴条在所述基底表面的正投影面积。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
基底；
焊料，形成在所述基底表面；
巴条，所述巴条的第一电极面与所述焊料接触且所述巴条的一端伸出所述基底的预设边缘；其中，所述焊料在所述基底表面的正投影面积小于所述巴条在所述基底表面的正投影面积。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述巴条的一端伸出所述预设边缘的距离为10μm-20μm。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，在所述巴条的腔长方向上，所述焊料的一端与所述预设边缘平齐，另一端与所述预设边缘之间的距离为所述巴条的腔长与第一预设值的差值；其中，所述第一预设值为50μm-200μm。


4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，在预设方向上，所述焊料的长度为所述巴条在所述预设方向上的长度与第二预设值的差值；其中，所述第二预设值为150μm-400μm，所述预设方向为与所述腔长垂直的方向。


5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
权利要求1-4中任一项所述的封装结构；
预设部件，与所述封装结构连接；其中所述预设部件与所述半导体器件适配。


6.一种封装方法，其特征在于，包括：
提供基底以及巴条；
基于所述巴条的尺寸确定掩膜板的开口尺寸；
利用所述掩膜板在所述基底表面形成焊料，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：周立，王俊，王文桂，靳嫣然，潘华东，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32