电子封装件制造技术

一种电子封装件，包括：具有电性接触垫的承载结构、设于该承载结构上的电子元件、形成于该承载结构与该电子元件之间的包覆层、以及形成于该承载结构上并环绕该电子元件的止挡部，以经由该止挡部的设计，止挡该包覆层溢流至该电性接触垫，避免该包覆层污损该电性接触垫。

Electronic package

【技术实现步骤摘要】
电子封装件
本专利技术有关一种封装制程，尤指一种能防止线路污损的电子封装件。
技术介绍
随着半导体封装技术的演进，半导体装置(Semiconductordevice)已开发出不同的封装型态，而为提升电性功能及节省封装空间，业界遂发展出堆叠多个封装结构以形成封装堆叠结构(PackageonPackage，简称POP)的封装型态，此种封装型态能发挥系统封装(SiP)异质整合特性，可将不同功用的电子元件，例如：存储器、中央处理器、绘图处理器、影像应用处理器等，经由堆叠设计达到系统的整合，而适用于各种轻薄短小型电子产品。图1为悉知封装堆叠结构1的剖面示意图。如图1所示，该封装堆叠结构1包含有半导体元件11、第一封装基板10、第二封装基板12、多个支撑焊球13、电子装置16(如存储器芯片或存储器封装结构)以及封装胶体18。该半导体元件11以覆晶方式将其电极垫110结合多个导电凸块15设于该第一封装基板10的第一电性接触垫101上，并形成底胶14于该第一封装基板10与该半导体元件11之间，以包覆该些导电凸块15，且该电子装置16也以覆晶方式设于该第二封装基板12上。该些支撑焊球13用以连结且电性耦接该第一封装基板10的第二电性接触垫102与该第二封装基板12的接点120。该封装胶体18包覆该些支撑焊球13、该底胶14与该半导体元件11。另该第一封装基板10下侧形成多个焊锡球19，以接置一电路板(图未示)。目前第一封装基板10中，该些第一电性接触垫101与该些第二电性接触垫102位于该第一封装基板10的同一平面上且相邻配置。然而，由于在目前对电子产品皆要求轻薄短小的情形下，使该些第一电性接触垫101(或该电子元件11)与该些第二电性接触垫102(或该支撑焊球13)之间的距离t极小(约160μm以下)，故当该半导体元件11经由该些导电凸块15设于该些第一电性接触垫101上，并以底胶14包覆该些导电凸块15时，该底胶14容易溢流至该第二电性接触垫102而污损该第二电性接触垫102，导致该第二电性接触垫102于后续制程中无法顺利接合该支撑焊球13。因此，如何克服悉知技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述悉知技术的缺失，本专利技术提供一种电子封装件，以避免包覆层污损电性接触垫。本专利技术的电子封装件，包括：承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该第一侧具有相互分离的多个第一电性接触垫与多个第二电性接触垫；电子元件，其设于该承载结构的第一侧上且电性连接该些第一电性接触垫；包覆层，其形成于该承载结构的第一侧与该电子元件之间；以及止挡部，其形成于该承载结构的第一侧并位于该第一电性接触垫与该第二电性接触垫之间。所述的电子封装件中，该第一电性接触垫或该第二电性接触垫上形成有金属部。例如，该止挡部与该金属部的构成材料为相同。该止挡部相对于该承载结构第一侧的高度与该金属部相对于该承载结构第一侧的高度为相同。所述的电子封装件中，该第二电性接触垫上形成有导电体。例如，该止挡部位于该电子元件与该导电体之间。该导电体包含焊锡凸块或金属柱。该电子元件的至少一侧面与该导电体之间的最短距离为至多160微米。所述的电子封装件中，该第一电性接触垫与该第二电性接触垫之间的最短距离为至多160微米。所述的电子封装件中，该电子元件经由导电凸块结合及电性连接该第一电性接触垫。例如，该包覆层包覆该导电凸块。所述的电子封装件中，该包覆层为底胶。所述的电子封装件中，该止挡部未电性连接该承载结构。所述的电子封装件中，该止挡部为墙体。所述的电子封装件中，该止挡部环绕该电子元件。所述的电子封装件中，该止挡部包含多个金属层。所述的电子封装件中，该止挡部包含多个相互分离的止挡段。例如，各该止挡段的布设对应各该第二电性接触垫的位置作配置。该些止挡段之间的间隙的中心轴线呈非直线状。该些止挡段的任二相邻者为交错排列。由上可知，本专利技术的电子封装件，主要经由该止挡部的设计以控制该包覆层的溢流范围，故相较于悉知技术，本专利技术的电子封装件能止挡如底胶的包覆层溢流至该第二电性接触垫，以避免底胶污损该第二电性接触垫，因而该第二电性接触垫于后续制程中能顺利接合支撑用的导电体。附图说明图1为悉知封装堆叠结构的剖面示意图。图2A为本专利技术的电子封装件的剖视示意图。图2B为本专利技术的电子封装件的局部上视示意图。图3A为本专利技术的电子封装件的另一实施例。图3B及图3C为本专利技术的电子封装件的局部放大剖视示意图。图4及图5为本专利技术的电子封装件的其它不同实施例的局部上视示意图。符号说明1封装堆叠结构10第一封装基板101,201第一电性接触垫102,202第二电性接触垫11半导体元件110,210电极垫12第二封装基板120接点13支撑焊球14底胶15导电凸块16电子装置18封装胶体19焊锡球2电子封装件20承载结构20a第一侧20b第二侧200介电体203绝缘保护层21电子元件21a作用面21b非作用面21c侧面23导电体24包覆层25导电凸块28止挡部28a,48a,58a止挡段280缺口37金属部371第一金属层372第二金属层480间隙481,482弧面d,t距离H,h高度S弯曲路径。具体实施方式以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“第一”、“第二”及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。图2A为本专利技术的电子封装件2的剖视示意图。如图2A所示，该电子封装件2包括：一承载结构20、一电子元件21、多个导电体23、一包覆层24以及一止挡部28。所述的承载结构20为如扇出(fanout)型重布线路层(redistributionlayer，简称RDL)。于其他实施例中，该承载结构20可为如具有核心层与线路部的封装基板(substrate)或无核心层(coreless)的线路结构。应可理解地，该承载结构也可为其它可供承载如芯片等电子元件21的承载单元，例如硅中介板(siliconinterposer)，并不限于上述。于本实施例中，该承载结构20具有相对的第一侧20a与第二侧20b，且其包含介电体2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子封装件，其特征在于，包括：/n承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该第一侧具有相互分离的多个第一电性接触垫与多个第二电性接触垫；/n电子元件，其设于该承载结构的第一侧上且电性连接该些第一电性接触垫；/n包覆层，其形成于该承载结构的第一侧与该电子元件之间；以及止挡部，其形成于该承载结构的第一侧并位于该第一电性接触垫与该第二电性接触垫之间。/n

【技术特征摘要】
20181023 TW 1071373661.一种电子封装件，其特征在于，包括：
承载结构，其具有相对的第一侧与第二侧，且该第一侧具有相互分离的多个第一电性接触垫与多个第二电性接触垫；
电子元件，其设于该承载结构的第一侧上且电性连接该些第一电性接触垫；
包覆层，其形成于该承载结构的第一侧与该电子元件之间；以及止挡部，其形成于该承载结构的第一侧并位于该第一电性接触垫与该第二电性接触垫之间。


2.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第一电性接触垫或该第二电性接触垫上形成有金属部。


3.根据权利要求2所述的电子封装件，其特征在于，该止挡部与该金属部的构成材料为相同。


4.根据权利要求2所述的电子封装件，其特征在于，该止挡部相对于该承载结构第一侧的高度与该金属部相对于该承载结构第一侧的高度为相同。


5.根据权利要求1所述的电子封装件，其特征在于，该第二电性接触垫上形成有导电体。


6.根据权利要求5所述的电子封装件，其特征在于，该止挡部位于该电子元件与该导电体之间。


7.根据权利要求5所述的电子封装件，其特征在于，该电子元件的至少一侧面与该导电体之间的最短距离为至多160微米。


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【专利技术属性】
技术研发人员：程吕义，郑有志，庄旻锦，杨志仁，林长甫，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71