一种集成电路封装体及其制备方法技术

本申请提供了一种集成电路封装体及其制备方法，该封装体包括：芯片，包括相对设置的功能面和非功能面，所述功能面上设置有多个间隔排布的第一焊盘；基板，与所述芯片相对间隔设置，且所述基板对应所述第一焊盘的位置设置有第二焊盘；多个第一焊接体，包括导电支撑件以及至少位于所述导电支撑件的一侧端部的第一焊料层，所述第一焊接体电连接于部分所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；多个第二焊接体，包括第二焊料层，所述第二焊接体电连接于剩余所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；其中，所述导电支撑件的熔点大于所述第一焊料层以及所述第二焊料层的熔点。通过上述方式，本申请能够降低回流时芯片相对基板发生倾斜的概率。

An integrated circuit package and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种集成电路封装体及其制备方法
本申请涉及封装
，特别是涉及一种集成电路封装体及其制备方法。
技术介绍
在集成电路封装体中，球状阵列封装是一种较为常见的产品封装方式。该封装方式具体包括：利用植球机在芯片的第一焊盘上形成锡球，然后使用表面贴装技术将芯片和基板进行贴装、回流焊接。本申请的专利技术人在长期研究过程中发现，上述集成电路封装体在回流焊接过程中，由于基板的翘曲或者贴装时芯片的倾斜，可能会导致芯片上的锡球没有与对应位置处的基板上的第二焊盘连接，进而导致焊点开路，使得集成电路封装体失效。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种集成电路封装体及其制备方法，能够降低回流时芯片相对基板发生倾斜的概率。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种集成电路封装体，所述封装体包括：芯片，包括相对设置的功能面和非功能面，所述功能面上设置有多个间隔排布的第一焊盘；基板，与所述芯片相对间隔设置，且所述基板对应所述第一焊盘的位置设置有第二焊盘；多个第一焊接体，包括导电支撑件以及至少位于所述导电支撑件的一侧端部的第一焊料层，所述第一焊接体电连接于部分所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；多个第二焊接体，包括第二焊料层，所述第二焊接体电连接于剩余所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；其中，所述导电支撑件的熔点大于所述第一焊料层以及所述第二焊料层的熔点。其中，所述芯片为矩形，位于所述芯片的四个角部的所述第一焊盘位置处分别设置有所述第一焊接体。其中，位于所述芯片最外围的所述第一焊盘位置处对应设置有所述第一焊接体。其中，所述导电支撑件为柱体，所述第一焊料层覆盖所述导电支撑件远离所述芯片一侧的端部；或，所述导电支撑件为球体或椭球体，所述第一焊料层包裹所述导电支撑件的外围。其中，所述封装体还包括：底填胶，位于所述芯片的所述功能面与所述基板之间。为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种集成电路封装体的制备方法，所述制备方法包括：在芯片的功能面上的多个第一焊盘位置处或者在基板的多个第二焊盘位置处分别形成第一焊接结构和第二焊接结构，其中，所述第一焊接结构包括导电支撑件以及至少覆盖所述导电支撑件的一侧端部的第一焊料层，所述第二焊接结构包括第二焊料层，所述导电支撑件的熔点大于所述第一焊料层以及所述第二焊料层的熔点；将所述芯片的所述功能面朝向基板设置，且所述第一焊接结构和所述第二焊接结构分别与对应位置处的第一焊盘和第二焊盘对应；对所述芯片和所述基板整体进行回流处理，其中，所述回流处理的温度小于所述导电支撑件的熔点但大于所述第一焊料层以及所述第二焊料层的熔点。其中，所述在芯片的功能面上的多个第一焊盘位置处或者在基板的多个第二焊盘位置处分别形成第一焊接结构和第二焊接结构，包括：在所述芯片的所述功能面上的多个所述第一焊盘位置处或者在所述基板的多个所述第二焊盘位置处分别形成球状的第一焊接结构和球状的第二焊接结构，其中，所述第一焊接结构中的所述导电支撑件为球状或者椭球状，所述第一焊料层包裹所述导电支撑件，所述第二焊接结构的高度大于等于所述第一焊接结构的高度。其中，所述在芯片的功能面上的多个第一焊盘位置处或者在基板的多个第二焊盘位置处分别形成第一焊接结构和第二焊接结构，包括：在所述芯片的所述功能面上的多个所述第一焊盘位置处或者在所述基板的多个所述第二焊盘位置处分别形成柱状的第一焊接结构和球状的第二焊接结构，其中，所述第一焊接结构中的所述导电支撑件为柱状，所述第一焊料层位于所述导电支撑件远离所述芯片一侧端部，所述第二焊接结构的高度大于等于所述导电支撑件的高度。其中，所述第一焊接结构中的所述第一焊料层的高度占所述第一焊接结构的高度的1/4-1/3。其中，所述制备方法还包括：用底填胶填充所述芯片与所述基板之间的区域。本申请的有益效果是：本申请中集成电路封装体包括：芯片、基板、多个第一焊接体和多个第二焊接体；其中，芯片的功能面上设置有多个间隔排布的第一焊盘，基板对应第一焊盘的位置设置有第二焊盘，第一焊接体包括导电支撑件以及位于导电支撑件一侧端部的第一焊料层，第一焊接体电连接于部分芯片的第一焊盘与对应的第二焊盘之间，第二焊接体电连接于剩余的第一焊盘与对应的第二焊盘之间；且第一焊接体中导电支撑件的熔点大于第一焊料层和第二焊料层的熔点。本申请中第一焊接体中的导电支撑件的熔点较高，在回流过程中，耐压性和抗坍塌性较强，可以保证焊接过程中芯片和基板之间的高度一致性；由于导电支撑件较强的耐压性，在贴装过程中可以施加更大的压力，以充分保证第一焊接体和第二焊接体与对应位置处的第一焊盘和第二焊盘接触，且在回流过程中可以降低由于一侧焊料快速熔化导致芯片发生倾斜的概率，降低集成电路封装体出现开路的概率，提高集成电路封装体的良率。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：图1为现有技术中集成电路封装体的制备方法对应的一实施方式的结构示意图；图2为本申请集成电路封装体一实施方式的结构示意图；图3为图2中芯片、第一焊接体和第二焊接体一实施方式的俯视示意图；图4为图2中芯片、第一焊接体和第二焊接体另一实施方式的俯视示意图；图5为本申请集成电路封装体另一实施方式的结构示意图；图6为本申请集成电路封装体的制备方法一实施方式的流程示意图；图7为图6中步骤S101-S103对应的一实施方式的结构示意图；图8为图6中步骤S101对应的另一实施方式的结构示意图；图9为本申请集成电路封装体的制备方法另一实施方式的流程示意图；图10为图9中步骤S201-S203对应的一实施方式的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。请参阅图1，图1为现有技术中集成电路封装体的制备方法对应的一实施方式的结构示意图。如图1a所示，在芯片10的功能面100上的第一焊盘(图未示)上正常植球，所有焊球102可以一次植上；如图1b所示，将芯片10倒装在基板12上，芯片10上的焊球102与基板12对应位置处的第二焊盘120对位；如图1c所示，将上述芯片10和基板12整体进行回流处理，在回流处理过程中，由于芯片10贴装时倾斜或者回流温度有差异，导致部分焊球102先融化，焊球102坍塌，在张力作用下，芯片10向一边翘起；如图1d所示，由于芯片10翘起，最终导致回流后有些位置处的焊球102没有与对应位置处的第二焊盘120电连接，导致集成电路封装体封装失效。...

【技术保护点】
1.一种集成电路封装体，其特征在于，所述封装体包括：/n芯片，包括相对设置的功能面和非功能面，所述功能面上设置有多个间隔排布的第一焊盘；/n基板，与所述芯片相对间隔设置，且所述基板对应所述第一焊盘的位置设置有第二焊盘；/n多个第一焊接体，包括导电支撑件以及至少位于所述导电支撑件的一侧端部的第一焊料层，所述第一焊接体电连接于部分所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；/n多个第二焊接体，包括第二焊料层，所述第二焊接体电连接于剩余所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；/n其中，所述导电支撑件的熔点大于所述第一焊料层以及所述第二焊料层的熔点。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路封装体，其特征在于，所述封装体包括：
芯片，包括相对设置的功能面和非功能面，所述功能面上设置有多个间隔排布的第一焊盘；
基板，与所述芯片相对间隔设置，且所述基板对应所述第一焊盘的位置设置有第二焊盘；
多个第一焊接体，包括导电支撑件以及至少位于所述导电支撑件的一侧端部的第一焊料层，所述第一焊接体电连接于部分所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；
多个第二焊接体，包括第二焊料层，所述第二焊接体电连接于剩余所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘之间；
其中，所述导电支撑件的熔点大于所述第一焊料层以及所述第二焊料层的熔点。


2.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，
所述芯片为矩形，位于所述芯片的四个角部的所述第一焊盘位置处分别设置有所述第一焊接体。


3.根据权利要求1或2所述的封装体，其特征在于，
位于所述芯片最外围的所述第一焊盘位置处对应设置有所述第一焊接体。


4.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，
所述导电支撑件为柱体，所述第一焊料层覆盖所述导电支撑件远离所述芯片一侧的端部；或，
所述导电支撑件为球体或椭球体，所述第一焊料层包裹所述导电支撑件的外围。


5.根据权利要求1所述的封装体，其特征在于，所述封装体还包括：
底填胶，位于所述芯片的所述功能面与所述基板之间。


6.一种集成电路封装体的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在芯片的功能面上的多个第一焊盘位置处或者在基板的多个第二焊盘位置处分别形成第一焊接结构和第二焊接结构，其中，所述第一焊接结构包括导电支撑件以及至少覆盖所述导电支撑件的一侧端部的第一焊料层，所述第二焊接结构包括第二焊料层，所述导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：周锋，
申请(专利权)人：通富微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32