一种半导体激光器耦合结构制造技术

本发明专利技术提供的半导体激光器耦合结构，包括半导体激光器本体、选择反射镜和处理器，选择反射镜设置在可见光指示器与可见光耦合镜之间，可见光指示器与可见光耦合镜位于选择反射镜同侧，且分别位于选择反射镜的入射光路径和反射光路径上，可见光指示器出射的可见光依次经过选择反射镜和可见光耦合镜的反射后，与半导体激光器本体出射的红外光同轴出射，处理器设置在选择反射镜背向可见光耦合镜一侧，与半导体激光器的开关信号连接，适于接收经过选择反射镜透射的回返光并判断回返光强度从而控制半导体激光器开启或者停止工作，通过接收并检测回返光强度与预设值进行比较，从而控制激光器的开启或停止，以避免回返光强度太强对芯片造成干扰甚至损伤。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器耦合结构
本专利技术涉及半导体激光器
，具体涉及一种半导体激光器耦合结构。
技术介绍
半导体激光器的工作过程：由芯片组发出未调制激光束，经FAC/SAC镜片组进行空间发散角及光斑位置的调试，再经过反射镜片组的反射，使其均匀排列于光纤耦合镜片组上，光纤耦合镜片组对其进行聚焦后进入到光纤中导出，用于后端。现有红光耦合技术：在耦合镜和反射镜片组之间加入一个平面镜片，该镜片呈45°角度竖直放置。并在垂直于激光芯片阵列的方向上放置红光指示器，工作时，红光指示器出射的红光由平面镜片反射进入到光纤耦合镜片组，与半导体激光器出射的红外光一起耦合进入光纤，作为后续激光加工的可视化红色指示光。但是，激光器在进行加工，尤其是金属焊接时，由于熔融金属表面的高反射率(最高可达90％以上)，会有大量的激光被反射，部分原路反射回光纤中，这部分光被称为回返光。由于光路可逆，回返光会经由原出射光路返回到芯片中，从而对芯片原来的谐振状态产生不良影响，当回返光达到一定强度时有可能导致芯片损坏。造成激光器功率下降，严重时会导致激光器报废。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的回返光容易影响芯片的谐振状态，造成激光器功率下降，甚至芯片的损坏。为此，本专利技术提出一种半导体激光器耦合结构，包括：半导体激光器本体；还包括：选择反射镜，设置在可见光指示器与可见光耦合镜之间；所述可见光指示器与所述可见光耦合镜位于所述选择反射镜同侧，且分别位于选择反射镜的入射光路径和反射光路径上；所述可见光指示器出射的可见光依次经过所述选择反射镜和所述可见光耦合镜的反射后，与所述半导体激光器本体出射的红外光同轴出射；处理器，设置在所述选择反射镜背向所述可见光耦合镜一侧，与半导体激光器的开关信号连接，适于接收经过选择反射镜透射的回返光并判断回返光强度从而控制所述半导体激光器开启或者停止工作。所述选择反射镜朝向所述可见光耦合镜一面层叠设置可见光反射膜和红外增透膜。还包括：匀光结构，设置在所述选择反射镜与所述处理器之间，且位于回返光经所述选择反射镜透射的路径上。所述可见光耦合镜朝向可见光指示器的一面为反射面，背向可见光指示器的一面为增透面。所述可见光耦合镜朝向可见光指示器的一面设置可见光反射膜，背向可见光指示器的一面设置红外增透膜。所述可见光耦合镜为平面镜。还包括：偏振分光棱镜，设置在双路的芯片组与所述可见光耦合镜之间。所述可见光耦合镜为偏振镜片。所述可见光指示器的出射光为红光；所述可见光反射膜为红光反射膜。所述处理器包括光电探测器和控制器。本专利技术技术方案，具有如下优点：1.本专利技术提供的半导体激光器耦合结构，包括半导体激光器本体、选择反射镜和处理器，选择反射镜设置在可见光指示器与可见光耦合镜之间，可见光指示器与可见光耦合镜位于选择反射镜同侧，且分别位于选择反射镜的入射光路径和反射光路径上，可见光指示器出射的可见光依次经过选择反射镜和可见光耦合镜的反射后，与半导体激光器本体出射的红外光同轴出射，处理器设置在选择反射镜背向可见光耦合镜一侧，与半导体激光器的开关信号连接，适于接收经过选择反射镜透射的回返光并判断回返光强度从而控制半导体激光器开启或者停止工作，通过接收回返光，并将检测到的回返光强度与预设值进行比较，从而控制激光器的开启或停止，以避免回返光强度太强对芯片造成干扰甚至损伤。2.本专利技术提供的半导体激光器耦合结构，选择反射镜朝向可见光耦合镜一面层叠设置可见光反射膜和红外增透膜。可见光反射膜可以将可见光指示器中出射的可见光反射到可见光耦合镜上，也可以将回返光中的可见光反射，减少可见光对红外光的干扰，红外增透膜的设置有利于回返光中红外光的透射，使处理器能够接收到足够用于检测的红外光量。3.本专利技术提供的半导体激光器耦合结构，匀光结构设置在选择反射镜与处理器之间，且位于回返光经选择反射镜透射的路径上。匀光结构能够将透射的红外光线进行匀化分散，避免光纤角度差异产生测量误差，提高检测精度。4.本专利技术提供的半导体激光器耦合结构，在双路偏振合束结构中，可见光耦合镜朝向可见光指示器的一面设置可见光反射膜，提高了可见光的反射效率，背向可见光指示器的一面设置红外增透膜，提高了芯片出射红外光的透射率，整体提高激光器的出射效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术半导体激光器耦合结构的结构示意图一；图2为本专利技术半导体激光器耦合结构的结构示意图二；图3为本专利技术半导体激光器耦合结构的结构示意图三。附图标记说明：1、选择反射镜；2、光电探测器；21、第一安装壳；3、匀光结构；4、可见光指示器；41、第二安装壳；5、可见光耦合镜；6、芯片组；7、SAC镜片组；8、反射镜片组；9、光纤耦合镜片组；10、偏振分光棱镜；100、壳体；101、光纤连接部。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。实施例1本实施例提供一种半导体激光器耦合结构，包括半导体激光器本体、选择反射镜1、匀光结构3和处理器。如图1所示，半导体激光器本体为单路空间合束结构，包括壳体100以及设置在壳体100内的芯片组6、SAC镜片组7、反射镜片组8、可见光耦合镜5、光纤耦合镜片组9和可见光指示器4，壳体100上开设光纤连接部101，用于连接光纤，芯片组6出射的红外光线依次经过SA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器耦合结构，包括：半导体激光器本体；/n其特征在于，还包括：/n选择反射镜(1)，设置在可见光指示器(4)与可见光耦合镜(5)之间；所述可见光指示器(4)与所述可见光耦合镜(5)位于所述选择反射镜(1)同侧，且分别位于选择反射镜(1)的入射光路径和反射光路径上；/n所述可见光指示器(4)出射的可见光依次经过所述选择反射镜(1)和所述可见光耦合镜(5)的反射后，与所述半导体激光器本体出射的红外光同轴出射；/n处理器，设置在所述选择反射镜(1)背向所述可见光耦合镜(5)一侧，与半导体激光器的开关信号连接，适于接收经过选择反射镜(1)透射的回返光并判断回返光强度从而控制所述半导体激光器开启或者停止工作。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器耦合结构，包括：半导体激光器本体；
其特征在于，还包括：
选择反射镜(1)，设置在可见光指示器(4)与可见光耦合镜(5)之间；所述可见光指示器(4)与所述可见光耦合镜(5)位于所述选择反射镜(1)同侧，且分别位于选择反射镜(1)的入射光路径和反射光路径上；
所述可见光指示器(4)出射的可见光依次经过所述选择反射镜(1)和所述可见光耦合镜(5)的反射后，与所述半导体激光器本体出射的红外光同轴出射；
处理器，设置在所述选择反射镜(1)背向所述可见光耦合镜(5)一侧，与半导体激光器的开关信号连接，适于接收经过选择反射镜(1)透射的回返光并判断回返光强度从而控制所述半导体激光器开启或者停止工作。


2.根据权利要求1所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述选择反射镜(1)朝向所述可见光耦合镜(5)一面层叠设置可见光反射膜和红外增透膜。


3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，还包括：
匀光结构(3)，设置在所述选择反射镜(1)与所述处理器之间，且位于回返光经所述选择反射镜(1)透射的路径上。

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【专利技术属性】
技术研发人员：潘华东，俞浩，陈磊，王俊，廖新胜，闵大勇，
申请(专利权)人：苏州长光华芯光电技术有限公司，苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32