【技术实现步骤摘要】
本技术涉及激光直写曝光机
,具体来说是一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器。
技术介绍
激光直写装备在电路板PCB制造中占有重要位置,不同的曝光干膜或者油墨所对应的最佳曝光波长不同,对一种干膜或者油墨曝光时使用合适的多波长能够增加产能。目前单颗375nm或者405nm半导体发光二极管最大只有1.1W,如果需要大于10W的半导体激光器,就需要将多个半导体发光二极管发出的光通过耦合透镜耦合进光纤,再将光纤进行捆绑。基于这方面原理考虑,如何提供375nm和405nm混合波长的高功率紫外半导体激光器已经成为急需解决的技术问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中尚无多波长半导体激光器的缺陷,提供一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器来解决上述问题。为了实现上述目的,本技术的技术方案如下:一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,包括壳体,所述的壳体内安装有上排405nm半导体发光阵列和下排375nm半导体发光阵列,壳体的侧部设有一号光纤输出端口和二号光纤输出端口,上排405nm半导体发光阵列和下排375nm半导体发光阵列分别位于一号光纤输出端口的两侧;上排405nm半导体发光阵列包括16个上光纤耦合模块,下排375nm半导体发光阵列包括16个下光纤耦合模块,上光纤耦合模块的半导体发光二极管为405nm半导体发光二极管,下光纤耦合模块的半导体发光二极管为375nm半导体发光二极管,16个上光纤耦合模块和16个下光纤耦合模块上均接有光纤;8个上光纤耦合模块所接的光纤与8个下光纤耦合模块所接的光纤捆绑成一号光纤束,一号光纤束接入一号光 ...
【技术保护点】
一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,包括壳体(11),其特征在于:所述的壳体(11)内安装有上排405nm半导体发光阵列(12)和下排375nm半导体发光阵列(13),壳体(11)的侧部设有一号光纤输出端口(7)和二号光纤输出端口(8),上排405nm半导体发光阵列(12)和下排375nm半导体发光阵列(13)分别位于一号光纤输出端口(7)的两侧;上排405nm半导体发光阵列(12)包括16个上光纤耦合模块(6),下排375nm半导体发光阵列(13)包括16个下光纤耦合模块(5),上光纤耦合模块(6)的半导体发光二极管为405nm半导体发光二极管,下光纤耦合模块(5)的半导体发光二极管为375nm半导体发光二极管,16个上光纤耦合模块(6)和16个下光纤耦合模块(5)上均接有光纤(4);8个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)与8个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成一号光纤束(15),一号光纤束(15)接入一号光纤输出端口(7),另8个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)与另8个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成二号光纤束(16),二号光纤束(16)接入二号 ...
【技术特征摘要】
1.一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,包括壳体(11),其特征在于:所述的壳体(11)内安装有上排405nm半导体发光阵列(12)和下排375nm半导体发光阵列(13),壳体(11)的侧部设有一号光纤输出端口(7)和二号光纤输出端口(8),上排405nm半导体发光阵列(12)和下排375nm半导体发光阵列(13)分别位于一号光纤输出端口(7)的两侧;上排405nm半导体发光阵列(12)包括16个上光纤耦合模块(6),下排375nm半导体发光阵列(13)包括16个下光纤耦合模块(5),上光纤耦合模块(6)的半导体发光二极管为405nm半导体发光二极管,下光纤耦合模块(5)的半导体发光二极管为375nm半导体发光二极管,16个上光纤耦合模块(6)和16个下光纤耦合模块(5)上均接有光纤(4);8个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)与8个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成一号光纤束(15),一号光纤束(15)接入一号光纤输出端口(7),另8个上光纤耦合模块(6)所接的光纤(4)与另8个下光纤耦合模块(5)所接的光纤(4)捆绑成二号光纤束(16),二号光纤束(16)接入二号光纤输出端口(8)。2.根据权利要求1所述的一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,其特征在于:所述的上光纤耦合模块(6)包括半导体发光二极管(1)和耦合透镜(2),半导体发光二极管(1)和耦合透镜(2)均安装在中间件(17)上,中间件(17)横向安装有连接件(14),连接件(14)上安装有光纤陶瓷插头(3),光纤陶瓷插头(3)上连接有光纤(4),所述的半导体发光二极管(1)、耦合透镜(2)和光纤陶瓷插头(3)三者依次排列且三者的中间点位于同一条直线上。3.根据权利要求2所述的一种用于激光直写曝光机的多波长紫外半导体激光器,其特征在于:还包括安装在壳体(11)内的循环水冷却装置,所述的循环水冷却装置包括进水管(21)、出水管(22)、上导热铜块(23)和下导热铜块(20),所述的进水管(21)和出水管(22)均安装在壳体(11)的同一侧部,进水管(21)通过上直通快速接头(24)安装在上导热铜块(23)的进水口上,上导热铜块(23)的出水口安装有上直角快速接头(25),上直角快速接头(25)安装在串联冷却水...
【专利技术属性】
技术研发人员:张宽,
申请(专利权)人:合肥芯碁微电子装备有限公司,
类型:新型
国别省市:安徽;34
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