波长转换元件、发光半导体部件及其制造方法技术

一种波长转换元件(1)，其包括至少一种烧结的波长转换材料(20)，其中，网格(3)由在烧结的波长转换材料(20)内的通道(2)形成，通道(2)被烧结的波长转换材料(20)至少部分地包围，通道(2)沿垂直于或倾斜于波长转换元件(1)的主延伸方向的方向至少部分地穿进烧结的波长转换材料(20)，并且通道(2)包含非转换烧结的分隔件材料(30)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对一种波长转换元件和用于制造波长转换元件的方法进行了说明。还对包括波长转换元件的发光半导体部件和用于制造包括波长转换元件的发光半导体部件的方法进行了说明。某些实施方式对用于发光半导体部件的波长转换元件进行了说明。另外的实施方式对用于制造波长转换元件的方法进行了说明。其他实施方式对包括波长转换元件的发光半导体部件和用于制造这种发光半导体部件的方法进行了说明。根据至少一个实施方式，波长转换元件包含至少一种烧结的波长转换材料。波长转换元件可以是自支承的。波长转换元件可以在没有任何机械支承或稳定部件的情况下是稳定的。波长转换元件具有主延伸面。具体地，波长转换元件成形为如片或板，并且在沿主延伸面的方向具有比在垂直于主延伸的方向(其对应于波长转换元件的厚度)更大的尺寸。另外，波长转换元件可以包括多个层和/或片。例如，层和/或片可以包含相同的烧结的波长转换材料，或者层和/或片中的每个可以包含与其他层/或片的波长转换材料不同的波长转换材料。此外，所述层中的一个可以包括非掺杂层，其可以特别用作支承层和/或支承片，其中，非掺杂层可以布置成与波长转换元件的辐射出口区相对。术语“烧结的”是指在高温下对本文所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种波长转换元件，其包括至少一种烧结的波长转换材料，其中，‑通过所述烧结的波长转换材料之内的通道形成网格，‑所述通道被所述烧结的波长转换材料至少部分地包围，‑所述通道沿垂直于或倾斜于所述波长转换元件的主延伸方向的方向至少部分地穿进所述烧结的波长转换材料，并且‑所述通道包含非转换烧结的分隔件材料。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.10 US 61/950,5741.一种波长转换元件，其包括至少一种烧结的波长转换材料，其中，-通过所述烧结的波长转换材料之内的通道形成网格，-所述通道被所述烧结的波长转换材料至少部分地包围，-所述通道沿垂直于或倾斜于所述波长转换元件的主延伸方向的方向至少部分地穿进所述烧结的波长转换材料，并且-所述通道包含非转换烧结的分隔件材料。2.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述通道至少部分地平行于所述波长转换元件的主延伸方向延伸。3.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述通道完全穿过所述烧结的波长转换材料，或者所述通道部分地穿进所述烧结的波长转换材料。4.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述非转换烧结的分隔件材料不透射紫外线和/或可见光。5.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述非转换烧结的分隔件材料反射紫外线和/或可见光。6.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述烧结的波长转换材料包含选自以下材料中的一种或更多种的掺杂陶瓷材料：YAG:Ce、LuAG:Ce、LuYAG:Ce。7.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述烧结的波长转换材料包含选自以下组的一种或更多种材料：(AE)SiON、(AE)SiAlON、(AE)AlSiN3、(AE)2Si5N8，其中，AE是碱土金属；硫化物；正硅酸盐。8.根据权利要求1所述的波长转换元件，其中，所述烧结的波长转换材料包含分散在基质材料中的波长转换物质。9.一种用于制造波长转换元件的方法，所述方法包括以下步骤：A)提供具有顶侧和位于与所述顶侧相对的底侧的支承片，B)在所述支承片的顶侧上设置波长转换材料，...

【专利技术属性】
技术研发人员：布丽塔·格厄特茨，克里斯多佛·A·塔里，
申请(专利权)人：欧司朗光电半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE