一种防掩膜板划伤系统及曝光系统技术方案

技术编号:14487865 阅读:83 留言:0更新日期:2017-01-28 19:50
本发明专利技术公开一种防掩膜板划伤系统及曝光系统,涉及显示技术领域,以在防止曝光过程中基板表面的异物划伤掩膜版的问题,并降低掩膜板的修复成本。该防掩膜板划伤系统利用扫描单元用于扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度;检测单元用于判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,如果是,则停止曝光基板,如果否,则继续曝光基板;其中,预设高度小于掩膜板所在高度到基板所在高度的高度差。所述曝光系统包括上述技术方案所提的防掩膜板划伤系统。本发明专利技术提供的防掩膜板划伤系统用于基板曝光。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种防掩膜板划伤系统及曝光系统
技术介绍
在显示装置制作过程中,一般会使用曝光工艺制作常见的显示基板,这些显示基板可以为阵列基板、彩膜基板或触孔基板等。目前,常见的彩膜基板、触控基板主要通过接近式曝光工艺制作而成;即在基板上涂覆整面的光刻胶,然后将掩膜板置于基板上方,保证掩膜版与基板之间具有一定的间距,然后利用紫外光透过掩膜版的透光区照射到基板上的光刻胶,使得基板上的光刻胶的物理特性发生改变,从而实现对基板的光刻胶的曝光。但是,由于接近式曝光工艺中,基板与掩膜板之间的距离d一般都比较近,如果基板上光刻胶的表面所存在的异物的高度h>d,那么基板上存在的异物就会划伤掩膜板表面,从而影响曝光系统对基板表面的光刻胶的曝光处理,并影响产品的良率。为了克服上述问题,在曝光之前对基板进行清洗处理,然后采用接近式曝光工艺对基板上的光刻胶进行曝光,但这并不能完全保证清洗的洁净度;而且,在清洗结束和曝光完成之前仍然存在异物掉落到基板上的可能性,因此,在曝光前对基板进行清洗并不能完全克服异物划伤掩膜版的问题。另外,一种方式是在掩膜板上分布包裹有修复材料的微胶囊和催化剂;当异物划伤掩膜版时,会同时将微胶囊划破,微胶囊中的修复材料与催化剂接触发生聚合反应实现掩膜版的自修复,但这种方法的修复成本较高,难以广泛使用。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防掩膜板划伤系统及曝光系统,以在防止曝光过程中基板表面的异物划伤掩膜版的问题,并降低掩膜板的修复成本。为了实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种防掩膜板划伤系统,包括扫描单元以及与扫描单元的输出端相连的检测单元;所述扫描单元用于扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度;所述检测单元用于判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,如果是,则停止曝光基板,如果否,则继续曝光基板;其中,预设高度小于掩膜板所在高度到基板所在高度的高度差。与现有技术相比,本专利技术提供的防掩膜板划伤系统具有如下有益效果:本专利技术提供的防掩膜板划伤系统中,通过扫描单元扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度,并利用检测单元判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,只要检测单元的判断结果显示处在曝光状态的基板表面存在高度大于预设高度的异物,就直接停止曝光基板,而由于预设高度小于掩膜板所在高度到基板所在高度的高度差,这样能够在基板表面的异物与掩膜板接触前,就停止曝光,从而防止掩膜板被基板表面的异物划伤的问题,并降低掩膜板的修复成本。本专利技术还提供了一种曝光系统,包括上述技术方案所述防掩膜板划伤系统,所述防掩膜板划伤系统设在所述曝光系统的基台的非曝光区域。与现有技术相比,本专利技术提供的曝光系统的有益效果与上述技术方案提供的防掩膜板划伤系统的有益效果相同,在此不做赘述。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解,构成本专利技术的一部分,本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术,并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中:图1为本实施例提供的防掩膜板划伤系统中扫描单元的数量M=1时,扫描单元与处在曝光状态的基板的位置关系图;图2为本实施例提供的防掩膜板划伤系统中扫描单元的数量M=2时,扫描单元与处在曝光状态的基板的位置关系图;图3为本实施例提供的防掩膜板划伤系统中第一种结构的扫描单元确定异物在基板表面坐标的原理图;图4为本实施例提供的防掩膜板划伤系统中第一种结构的扫描单元确定异物的尺寸的原理图;图5为本实施例提供的防掩膜板划伤系统中第二种结构的扫描单元确定异物在基板表面坐标的原理图;图6为本实施例提供的防掩膜板划伤系统中第二种结构的扫描单元确定异物的尺寸的原理图;图7为本实施例提供的防掩膜板划伤系统的结构框图;图8为本实施例提供的防掩膜板划伤系统的工作流程图;图9为图7中扫描单元的数量M为多个时,各个扫描单元与检测单元的连接框图;图10为本专利技术实施例提供的防掩膜板划伤系统在第一种结构时扫描单元与检测单元的结构连接框图;图11为本专利技术实施例提供的防掩膜板划伤系统在第一种结构时的工作流程图;图12为本专利技术实施例提供的防掩膜板划伤系统在第二种结构时扫描单元与检测单元的结构连接框图;图13为本专利技术实施例提供的防掩膜板划伤系统在第二种结构时扫描单元下的工作流程图;附图标记:1-扫描单元,11-信号发生模块;11A-第一信号发生模块,11B-第二信号发生模块;12-信号接收模块,12A-第一信号接收模块;12B-第二信号接收模块,13A-第一信号收发器;13B-第二信号收发器,2-检测单元;21A-信号比对模块,21B-信号检测模块;22-数据计算模块,23-异物高度确定模块;3-曝光控制单元,4-报警单元;01-基台,02-掩膜板;03-基板,S1-第1扫描单元;S2-第2扫描单元,SM-第M扫描单元。具体实施方式为了进一步说明本专利技术实施例提供的防掩膜板划伤系统及曝光系统,下面结合说明书附图进行详细描述。实施例一请参阅图1、图2、图7和图8,本专利技术实施例提供的防掩膜板划伤系统包括:包括扫描单元1以及与扫描单元1的输出端相连的检测单元2;扫描单元1用于扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度;检测单元2用于判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,如果是,则停止曝光基板,如果否,则继续曝光基板;其中,预设高度小于掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差。下面结合图7和图8对本实施例提供的防掩膜板划伤系统的工作过程进行详细说明。第一步,扫描单元1扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度;第二步,检测单元2用于判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,如果是,则停止曝光基板,如果否,则继续曝光基板。通过本实施例提供的防掩膜板划伤系统的工作过程可知,通过扫描单元1扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度,并利用检测单元2判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,只要检测单元2的判断结果显示处在曝光状态的基板表面存在高度大于预设高度的异物,就直接停止曝光基板,而由于预设高度小于掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差,这样能够在基板03表面的异物与掩膜板02接触前,就停止曝光,从而防止掩膜板02被基板03表面的异物划伤的问题,并降低掩膜板02的修复成本。可以理解的是,本实施例中掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差具体是指掩膜板02的下表面到基板03的上表面之间的距离;而考虑到掩膜板的下表面会设有一些遮光体遮光,因此,本实施例中掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差具体可以限定为掩膜板02的遮光体到基板03的上表面之间的距离。另外,上述实施例中的预设高度是以掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差的具体值来设定的,例如,当掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差在350μm时,预设高度可以为20μm-300μm,只要保证小于掩膜板02所在高度到基板03所在高度的高度差即可。而扫描处在曝光状态的基板03表面的异物高度的实现方式是多种多样的,例如:请参阅图1和图2,扫描单元1位于处在曝光状态的基板03所在平面和掩膜板02所在平面之间,且扫描单元1在基板03所在平面的正投影位于基板03的周围,以防止扫描单元1影本文档来自技高网...
一种防掩膜板划伤系统及曝光系统

【技术保护点】
一种防掩膜板划伤系统,其特征在于,包括扫描单元以及与扫描单元的输出端相连的检测单元;所述扫描单元用于扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度;所述检测单元用于判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,如果是,则停止曝光基板,如果否,则继续曝光基板;其中,预设高度小于掩膜板所在高度到基板所在高度的高度差。

【技术特征摘要】
1.一种防掩膜板划伤系统,其特征在于,包括扫描单元以及与扫描单元的输出端相连的检测单元;所述扫描单元用于扫描处在曝光状态的基板表面的异物高度;所述检测单元用于判断处在曝光状态的基板表面是否存在高度大于预设高度的异物,如果是,则停止曝光基板,如果否,则继续曝光基板;其中,预设高度小于掩膜板所在高度到基板所在高度的高度差。2.根据权利要求1所述的防掩膜板划伤系统,其特征在于,其特征在于,所述扫描单元位于处在曝光状态的基板所在平面和掩膜板所在平面之间,且所述扫描单元在基板所在平面的正投影位于所述基板的周围;所述扫描单元的数量为M个,各所述扫描单元沿基板到掩膜板的方向排列;其中,当M=1,所述扫描单元扫描的异物高度等于预设高度;当M≥2,各所述扫描单元扫描的异物高度不同,其中一个扫描单元的扫描的异物高度等于预设高度。3.根据权利要求2所述的防掩膜板划伤系统,其特征在于,所述扫描单元包括信号发生模块和信号接收模块,所述检测单元包括信号比对模块和异物高度确定模块,所述信号接收模块和信号发生模块分别与信号比对模块的输入端相连,所述信号比对模块的输出端通过异物高度确定模块与曝光控制单元的输入端相连;所述信号发生模块用于发出扫描基板表面异物的扫描信号;所述信号接收模块用于接收扫描信号;所述信号比对模块用于比对发出的扫描信号和接收的扫描信号,以判断信号发生模块发出的扫描信号是否存在没有被信号接收模块接收的部分,如果信号发生模块发出的扫描信号没有被信号接收模块接收的部分,则处在曝光状态的基板表面存在异物;所述异物高度确定模块用于根据信号发生模块发出的扫描信号没有被信号接收模块接收的部分,确定所述异物的高度,判断所述异物的高度是否大于等于预设高度;所述曝光控制单元用于当处在曝光状态的基板表面存在高度大于预设高度的异物时,控制曝光机停止曝光基板。4.根据权利要求3所述的防掩膜板划伤系统,其特征在于,所述信号发生模块包括分别与信号比对模块的输入端相连的第一信号发生模块和第二信号发生模块,所述信号接收模块包括分别与信号比对模块的输入端相连的第一信号接收模块和第二信号接收模块;所述第一信号发生模块在基板所在平面的正投影靠近所述基板的第一侧边,所述第一信号接收模块在基板所在平面的正投影靠近所述基板的第二侧边,所述第一侧边与第二侧边平行;所述第二信号发生模块在基板所在平面的正投影靠近所述基板的第三侧边,所述第二信号接收模块在基板所在平面的正投影靠近所述基板的第四侧边,所述第三侧边与第四侧边平行;所述第三侧边分别与第一侧边和第二侧边垂直,所述第四侧边分别与第一侧边和第二侧边垂直;所述第一信号发生模块和第二信号发生模块均用于发出扫描基板表面异物的扫描信号;所述第一信号接收模块和第二信号接收模块均用于接收扫描信号;所述信号比对模块用于比对第一信号发生模块发出的扫描信号和第一信号接收模块接收的扫描信号,以判断第一信号发生模块发出的扫描信号是否存在没有被第一信号接收模块接收的部分,以及比对第二信号发生模块发出的扫描信号和第二信号接收...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘庭良曹中林冯远明周刚
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司成都京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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