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本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制备方法。所述制备方法先将半导体激光器芯片靠近腔面处的高掺杂低阻层腐蚀出一条平行于腔面的沟槽；在沟槽及边缘区域制作SiO2绝缘层，在高掺杂低阻层再制作P面金属层且P面金属层覆盖SiO2绝缘层，使在SiO2...
该专利属于苏州长光华芯光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州长光华芯光电技术有限公司授权不得商用。

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