一种生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜及制备方法技术

本发明专利技术公开了生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，包括生长在Si衬底上的低温In0.28Ga0.72As缓冲层及生长在低温缓冲层上的InGaAs(Eg＝1.0eV)外延层薄膜。本发明专利技术还公开上述生长在Si衬底上的InGaAs薄膜的制备方法，低温生长的In0.28Ga0.72As缓冲层，缓冲层的退火工艺和In0.3Ga0.7As外延层薄膜的生长，均采用分子束外延生长的方法。本发明专利技术得到的In0.3Ga0.7As薄膜晶体质量好，表面平整，对半导体器件的制备，尤其是太阳电池领域，有着积极的促进意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及InGaAs薄膜的制备领域，尤其涉及一种生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜及其制备方法。
技术介绍
III-V族化合物由于具有稳定性好、有效质量小、电子迁移率和峰值速度高、以及光吸收系数较高等优点，被广泛地应用于光电器件中。在这当中，InxGa1-xAs(0≤x≤1)材料的禁带宽度随着In组分变化可以在0.35eV(InAs)-1.43eV(GaAs)范围内变化。根据这些特性，InxGa1-xAs材料可以被应用于高电子迁移率晶体管、光电二极管、室温红外探测器等光电半导体器件领域。尤其是特定组分的InxGa1-xAs材料，由于其为直接带隙半导体，且具有特定的禁带宽度，因此在某些领域，如高效叠层太阳电池中具有广泛的应用。外延生长In0.3Ga0.7As材料常采用InP、GaAs及Si等作为衬底材料。但InP与GaAs价格昂贵、晶片尺寸较小、并且脆性大，不利于工业化及大尺寸生产。Si衬底与InP、GaAs衬底相比，价格低廉，并且易于大尺寸化。同时，现在市...

【技术保护点】
一种生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，其特征在于，包括生长在Si衬底上的In0.28Ga0.72As缓冲层及生长在In0.28Ga0.72As缓冲层上的In0.3Ga0.7As薄膜；所述In0.28Ga0.72As缓冲层为在360～400℃生长的In0.28Ga0.72As薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，其特征在于，包括生长在Si
衬底上的In0.28Ga0.72As缓冲层及生长在In0.28Ga0.72As缓冲层上的In0.3Ga0.7As薄
膜；所述In0.28Ga0.72As缓冲层为在360～400℃生长的In0.28Ga0.72As薄膜。
2.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，其特征在
于，所述In0.28Ga0.72As缓冲层的厚度为12～15nm。
3.根据权利要求1所述的生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，其特征在
于，所述In0.3Ga0.7As薄膜的厚度为100nm～1000nm。
4.一种生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜的制备方法，其特征在于，包
括以下步骤：
(1)Si衬底清洗；
(2)Si衬底预处理；
(3)Si衬底脱氧化膜；
(4)In0.28Ga0.72As缓冲层生长：
将Si衬底温度降至360～400℃，在反应室压力...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，高芳亮，温雷，李景灵，管云芳，张曙光，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：发明
国别省市：广东;44