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本发明公开了生长在Si衬底上的In0.3Ga0.7As薄膜，包括生长在Si衬底上的低温In0.28Ga0.72As缓冲层及生长在低温缓冲层上的InGaAs(Eg＝1.0eV)外延层薄膜。本发明还公开上述生长在Si衬底上的InGaAs薄膜的制...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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