雪崩光电二极管制造技术
一种雪崩光电二极管，包括：P型接触层(11)、光吸收层(12)、组分渐变对称倍增层(13)和N型接触层(14)，其中，所述P型接触层(11)与所述光吸收层(12)相连，所述光吸收层(12)与所述组分渐变对称倍增层(13)相连，所述组分渐变对称倍增层(13)与所述N型接触层(14)相连；所述组分渐变对称倍增层(13)，用于放大所述电信号，所述组分渐变对称倍增层(13)呈中心对称结构，由多个渐变层组成。该技术方案通过多层渐变层抑制载流子的离化，降低过剩噪声因子的同时，组分渐变对称倍增层(13)的对称结构有效地缓解了大晶格失配体系应力，获得高质量外延薄膜，降低噪声性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，说明书已公开。
【技术保护点】
PCT国内申请，权利要求书已公开。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】PCT国内申请，...
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