氮化镓基可见/紫外双色光电探测器制造技术

一种氮化镓基可见／紫外双色光电探测器，包括衬底（１），其特征在于：在衬底（１）上通过外延生长依次垂直置有二个光电二极管，其中一个为可见光光电二极管（２），另一个为紫外光电二极管（３）；如果入射光是从器件的正面入射，则在衬底上先置可见光光电二极管（２），后置紫外光电二极管３；如果入射光是从器件的背面入射，也即从器件的衬底入射，则正好相反。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器，具体是指可同时探测可见波段和紫外波段的氮化镓基双色光电探测器。
技术介绍
近年来，GaN、AlGaN、InGaN等氮化镓基光电器件受到人们的关注，其中比较突出的是发光器件和光电探测器件。由于氮化镓基光电探测器具有抗辐射性能好、可用于高温环境等优点，加上其可以做到对可见光波段不敏感这一显著优点，使其成为一个研究和开发热点。国外已报道的氮化镓基单元紫外探测器有多种，如光导型、MS型、PIN型以及光三极管型等，列阵焦平面探测器也有报道。如文献“MRS Internet J.Nitride Semicond.Res.5，9(2000).”所报道的“Solar-Blind AlGaNHeterostructure Photodiodes”，采用异质结PIN结构，其响应波长为250-290nm，峰值响应在270nm附近；焦平面探测器也多采用PIN结构，实现的探测波长范围也比较窄，如文献“MRS Internet J.Nitride Semicond.Res.5，6(2000).”所报道的128×128焦平面器件，其响应波段在320-365nm。国内GaN基材料的研究本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基可见/紫外双色光电探测器，包括衬底(1)，其特征在于在衬底(1)上通过外延生长依次垂直置有二个光电二极管，其中一个为可见光光电二极管(2)，另一个为紫外光电二极管(3)；如果入射光是从器件的正面入射，则在衬底上先置可见光光电二极管(2)，后置紫外光电二极管3；如果入射光是从器件的背面入射，也即从器件的衬底入射，则正好相反。2.根据权利要求1的一种氮化镓基可见/紫...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向阳，王平，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：