【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaN基探测器，所述探测器包括衬底、生长在所述衬底上的外延层、以及设于所述外延层上的n型电极和p型电极，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的不掺杂的GaN层、n型层、GaN有源层和p型层，所述n型电极设于所述n型层上，其特征在于，所述外延层还包括设于所述p型层上的IGZO层，所述p型电极设于所述IGZO层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：桂宇畅，
申请(专利权)人：华灿光电股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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