一种BeMgZnO基MSM日盲探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器及其制备方法，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有薄膜层；薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形，叉指电极之间的间隙部分为感光区域；所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为几十纳米到几微米不等；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节Be、Mg和Zn三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV～6.2eV。本发明专利技术通过BeMgZnO四元合金薄膜层作为吸收层，获得在日盲范围200nm到375nm响应的紫外探测器，从而覆盖整个日盲区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及紫外探测器
，特别涉及。
技术介绍
紫外探测是继红外探测和激光探测之后发展起来的另外一种重要的探测技术，广泛应用于军事和日常生活中。对于军事上来说，由于喷气机、火箭和导弹在发射和飞行的过程中辐射出大量的紫外线，所发展紫外探测技术将有助于提高我们的空间防务，保障我们 的国土安全。在民用方面，紫外探测也有广泛的应用，比如矿井可燃气体和汽车尾气的监测、环境污染的监测、DNA测试和海底漏油监测等等。目前，商用的紫外探测器主要有硅紫外探测器、光电倍增管和GaN宽禁带半导体探测器，他们有一定的优势，但也有一些明显的不足。其中(一)光电倍增管需要在高压下工作，因此需配带有高压源而显得体积笨重，而且易损坏。(二)硅紫外探测器有三个明显的缺点1、对可见光有很强的吸收，因此需要附带一个复杂的滤光系统，提高了造价；2、对紫外线的吸收很强，造成紫外光的穿透深度很浅，降低了量子效率；3、空间抗辐照性差，限制了其在太空的应用。(三)GaN宽禁带半导体探测器作为第三代半导体材料，具有宽禁带、不需要滤光系统、轻巧便携等优点，而且通过AlGaN合金化可以使禁带宽度在3. 4eV到6. 2eV之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有薄膜层；薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形，叉指电极之间的间隙部分为感光区域；其特征在于：所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为200nm～1um；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，其禁带宽度为3.37eV～6.2eV。

【技术特征摘要】
1.一种BeMgZnO基的MSM结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有薄膜层；薄膜层上制作有作为金属接触的叉指电极图形，叉指电极之间的间隙部分为感光区域；其特征在于所述薄膜层为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度为200nm Ium ；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，其禁带宽度为3. 37eV 6. 2eV。2.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于所述衬底为单晶、氮化镓、砷化镓、氧化镁、单面或双面抛光的蓝宝石；衬底为双面抛光的蓝宝石时，双面抛光的蓝宝石的取向是c、R或a取向。3.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于缓冲层由氧化铍、镁、氧化镁和氧化锌中的一种或一种以上材料形成，缓冲层的厚度为10nm-100nm。4.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于所述叉指电极由钛、铝、镍、金、钼、银、铱、钥、钽、铌、钴、锆和钨中的一种或一种以上形成，叉指电极的沉积厚度为IOnm 500nm。5.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于叉指电极上沉积有金层或银层，该金层或银层的厚度IOnm lOOOnm。6.根据权利要求1的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器，其特征在于叉指电极的对数为3(Γ50，叉指电极的间距和指宽分别为8 μ m和3 μ m。7.如权利要求1-6任一项所述的BeMgZnO基MSM结构紫外探测器的制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤子康，祝渊，苏龙兴，张权林，陈明明，陈安琪，桂许春，项荣，吴天准，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：