BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器及制法制造技术

本发明专利技术公开了一种BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；n型薄膜层与p型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度可通过控制生长时间来控制，可根据需要从几十纳米到几微米不等；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节Be、Mg和Zn三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV-6.2eV。本发明专利技术通过BeMgZnO四元合金薄膜层作为吸收层，获得在日盲范围200nm到375nm响应的紫外探测器，从而覆盖整个日盲区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及紫外探测器
，特别涉及一种BeMgZnO基同质p-η结构紫外探测器及制法。
技术介绍
紫外探测尤其是日盲波段的探测技术无论在军事上还是在民用上都有很大的应用军事领域日盲探测可用在军事通信、导弹尾焰的探测和制导等方面；民用领域可用于火灾预警、海洋石油漏油、环境监测等方面。目前商用的日盲探测器有硅探测器、光电倍增管和半导体探测器。相对硅探测器和光电倍增管来说，由于半导体材料具有携带方便、造价低、响应度高等优点而备受关注。 而研究用于日盲探测的半导体材料主要有II1- V族的合金AlGaN和I1-VI族的合金MgZnO。 目前报道的GaN通过掺入铝能把能带调宽到日盲区，并制作成MSM和p-η等结构的探测器。 但是AlGaN的生长温度高，而且高铝组份的合金结晶质量差，空间的抗辐射性也不如ZnO。ZnO作为另外一种寛禁带半导体通过掺入镁也能把禁带调到日盲区，目前已有 MgZnO基的日盲探测器的报导。但是MgZnO也有缺点氧化镁和氧化锌的晶体结构不一样， 限制了高镁组份合金的制备。BeZnO作为一种新型的合金材料，其能带理论上能从3. 4eV调到10. 6eV，覆盖整个日盲本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种BeMgZnO基同质p?n结构紫外探测器，其特征在于：包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有n型薄膜层，n型薄膜层上生长有p型薄膜层；n型薄膜层上制作有金属电极的负极，p型薄膜层上生长有金属电极的正极；所述n型薄膜层与p型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度在为200nm～1um；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV?6.2eV。

【技术特征摘要】
1.一种BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，其特征在于包括衬底、衬底上沉积有缓冲层，缓冲层上生长有η型薄膜层，η型薄膜层上生长有P型薄膜层；η型薄膜层上制作有金属电极的负极，P型薄膜层上生长有金属电极的正极；所述η型薄膜层与P型薄膜层均为BeMgZnO四元合金薄膜层，BeMgZnO四元合金薄膜层的厚度在为200nm Ium ；BeMgZnO四元合金薄膜层通过调节铍、镁和锌三种元素的原子配比来调节禁带宽度，禁带宽度为3.37eV-6. 2eV。2.根据权利要求1的BeMgZnO基同质p-η结构紫外探测器，其特征在于所述衬底为单晶、氮化镓、砷化镓、氧化镁、单面或双面抛光的蓝宝石；衬底为蓝宝石时，蓝宝石的取向可以是C、R、M和a取向。3.根据权利要求1的BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，其特征在于缓冲层由氧化铍、金属镁、氧化镁和氧化锌中的一种或一种以上材料形成，缓冲层的厚度为10nm-100nm。4.根据权利要求1的BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器，其特征在于所述金属电极由钛、铝、镍、金、钼、银、铱、钥、钽、铌、钴、锆和钨中的一种或一种以上形成，此金属电极的沉积厚度为IOnm 500nm。5.根据权利要求1的BeMgZnO基同质p-η结构紫外探测器,其特征在于金属电极上沉积有金层或银层，该金层或银层的厚度IOnm lOOOnm。6.根据权利要求1的BeMgZnO基同质p-n结构紫外探测器,其特征在于p型薄膜层通过掺元素锂、钠、氮或磷来实现；n型薄膜层通过掺元素铝或镓来实现。7.如权利要求1-6任一项所述的BeMgZnO基同质p-η结构紫外探测器的制法,其特征在于包括如下步骤 1)清洗衬底在硫酸盐酸体积比为3:1的酸中加热15min 30min，之后经过丙酮、异丙醇清洗，...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤子康，祝渊，苏龙兴，张权林，陈明明，陈安琪，桂许春，项荣，吴天准，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：