光电探测器及其制作方法技术

一种光电探测器，包括：光电二极管，分别位于所述光电二极管两侧的复位晶体管及传输晶体管；其中，所述光电二极管的感光区域为所述复位晶体管及传输晶体管的源区，所述复位晶体管用于使所述光电二极管反偏，所述传输晶体管用于将所述光电二极管转换的电信号传输出去。此外，本发明专利技术还提供了该光电探测器的制作方法。采用本发明专利技术的技术方案，可以较好地改善光电探测器的暗电流过大的问题，同时可以改善其灵敏度较差的问题。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种光电探测器及其制作方法。
技术介绍
光电探测器是将光信号转变为实时的电信号的器件，其工作原理是基于光电效应。光电探测器在工业领域有较多应用。为实现将光电探测器的实时的电信号传输出去，现有的光电探测器在制作时，一般在其感光区域上设置金属互连结构，例如导电插塞等与其它器件电连接。然而，上述的光电探测器在使用过程中会有暗电流过大的问题，进而导致了其灵 敏度较差。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提出一种新的光电探测器及其制作方法，较好地改善光电探测器的暗电流过大的问题，同时解决灵敏度较差的问题。为解决上述问题，本专利技术提供一种光电探测器，包括光电二极管；分别位于所述光电二极管两侧的复位晶体管及传输晶体管，且所述光电二极管的感光区域为所述复位晶体管及传输晶体管的源区；其中，所述复位晶体管用于使所述光电二极管反偏，所述传输晶体管用于将所述光电二极管转换的电信号传输出去。可选地，所述复位晶体管的漏区形成有电极。可选地，所述传输晶体管的漏区形成有电极。可选地，所述光电二极管位于P型基底，其感光区域为N阱，所述复位晶体管及所述传输晶体管均为NMOS晶体管。可选地，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电探测器，其特征在于，包括：光电二极管；分别位于所述光电二极管两侧的复位晶体管及传输晶体管，且所述光电二极管的感光区域为所述复位晶体管及传输晶体管的源区；其中，所述复位晶体管用于使所述光电二极管反偏，所述传输晶体管用于将所述光电二极管转换的电信号传输出去。

【技术特征摘要】
1.一种光电探测器，其特征在于，包括 光电二极管； 分别位于所述光电二极管两侧的复位晶体管及传输晶体管，且所述光电二极管的感光区域为所述复位晶体管及传输晶体管的源区； 其中，所述复位晶体管用于使所述光电二极管反偏，所述传输晶体管用于将所述光电二极管转换的电信号传输出去。2.根据权利要求I所述的光电探测器，其特征在于，所述复位晶体管的漏区形成有电极。3.根据权利要求I所述的光电探测器，其特征在于，所述传输晶体管的漏区形成有电极。4.根据权利要求I所述的光电探测器，其特征在于，所述光电二极管位于P型基底，其感光区域为N阱，所述复位晶体管及所述传输晶体管均为NMOS晶体管。5.根据权利要求I所述的光电探测器，其特征在于，所述光电二极管位于P型基底，所述P型基底具有N阱，所述光电二极管的感光区域为位于所述N阱内的P阱，所述复位晶体管及传输晶体管均为PMOS晶体管。6.根据权利要求I所述的光电探测器，其特征在于，所述光电二极管、所述复位晶体管及所述传输晶体管形成在半导体衬底表面的外延层。7.根据权利要求I所述的光电探测器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶金华，张克云，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：